Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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CoolMOS™ 7 Superjunction MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ 7 Superjunction MOSFETs are optimized for energy efficiency, power density, and ease of use. CoolMOS 7 technology is optimized for specific applications with innovative package concepts and various technologies. CoolMOS 7 MOSFETS are ideal for applications like making electric vehicle charging stations smaller with higher outputs resulting in faster car charging. Thanks to CoolMOS 7, adapters and chargers can be made smaller, lighter, and more efficient. With CoolMOS 7, engineers can make renewable energy systems cheaper and more efficient.

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Resultados: 188

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R065C7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/35.30
5En existencias

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IPL60R065C7AUMA1

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726-IPL60R065C7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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5En existencias

Cinta cortada

S/35.30

S/19.73

S/18.14

S/16.93

S/16.00

Envase tipo carrete

S/16.00

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1 Channel

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29 A

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- 20 V, 20 V

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Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R085P7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/26.16
46En existencias
3,000Se espera el 17/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R085P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R085P7AUMA1

Infineon Technologies

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46En existencias

3,000Se espera el 17/09/2026

Cinta cortada

S/26.16

S/15.69

S/12.61

S/11.09

S/10.35

Envase tipo carrete

S/10.16

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: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

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1 Channel

600 V

39 A

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- 20 V, 20 V

3 V

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Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R360P7SATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.23
1,374En existencias
9,000Se espera el 28/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPN60R360P7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R360P7SATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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1,374En existencias

9,000Se espera el 28/01/2027

Cinta cortada

S/6.23

S/3.45

S/2.55

S/2.00

S/1.84

Envase tipo carrete

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MouseReel Disponible

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1 Channel

600 V

9 A

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7 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R600P7SATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.02
430En existencias
9,000Se espera el 26/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPN60R600P7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R600P7SATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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430En existencias

9,000Se espera el 26/11/2026

Cinta cortada

S/5.02

S/2.76

S/2.04

S/1.66

S/1.53

Envase tipo carrete

S/1.19

Min.: 1
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SOT-223-3

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1 Channel

600 V

6 A

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- 20 V, 20 V

3 V

9 nC

- 40 C

+ 150 C

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Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN70R1K4P7SATMA1
Infineon Technologies
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4,613En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN70R1K4P7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN70R1K4P7SATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Cinta cortada

S/3.85

S/1.76

S/1.56

S/1.20

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Ver

MouseReel Disponible

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Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN70R2K0P7SATMA1
Infineon Technologies
1: S/3.58
733En existencias
12,000Se espera el 22/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPN70R2K0P7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN70R2K0P7SATM1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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733En existencias

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Cinta cortada

S/3.58

S/1.63

S/1.44

S/1.11

Envase tipo carrete

S/0.856

Ver

MouseReel Disponible

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SOT-223-3

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1 Channel

700 V

3 A

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2.5 V

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Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPN80R4K5P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.48
1,534En existencias
24,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPN80R4K5P7ATMA1

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726-IPN80R4K5P7ATMA1

Infineon Technologies

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1,534En existencias

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Cinta cortada

S/4.48

S/2.45

S/1.81

S/1.42

S/1.36

Envase tipo carrete

S/0.95

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SOT-223-3

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1 Channel

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1.5 A

3.8 Ohms

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2.5 V

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Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/22.58
358En existencias
25,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R080P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R080P7XKSA1

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S/22.58

S/11.83

S/10.78

S/9.19

Min.: 1
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129 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R120P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/17.24
499En existencias
500Se espera el 29/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R120P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R120P7XKSA1

Infineon Technologies

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499En existencias

500Se espera el 29/10/2026

S/17.24

S/8.84

S/8.02

S/6.54

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

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1 Channel

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100 mOhms

- 20 V, 20 V

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+ 150 C

95 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R180P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/13.51
644En existencias
1,000Se espera el 8/04/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R180P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R180P7XKSA1

Infineon Technologies

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644En existencias

1,000Se espera el 8/04/2027

S/13.51

S/6.89

S/5.76

S/4.98

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

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+ 150 C

72 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPP60R280CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/13.16
712En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R280CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R280CFD7XKS

Infineon Technologies

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712En existencias

S/13.16

S/6.58

S/5.96

S/5.02

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

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1 Channel

600 V

9 A

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- 20 V, 20 V

3.5 V

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+ 150 C

52 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP65R095C7
Infineon Technologies
1: S/28.18
99En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP65R095C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R095C7

Infineon Technologies

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99En existencias

S/28.18

S/18.45

S/13.58

S/11.52

S/10.70

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

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- 20 V, 20 V

3 V

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+ 150 C

128 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A TO220-3

IPP65R225C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/13.82
500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP65R225C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R225C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A TO220-3

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500En existencias

S/13.82

S/6.93

S/6.07

S/5.06

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

11 A

199 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R050G7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/43.01
23En existencias
2,000Se espera el 25/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R050G7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R050G7XTMA1

Infineon Technologies

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23En existencias

2,000Se espera el 25/02/2027

Cinta cortada

S/43.01

S/24.60

S/22.03

S/20.82

Envase tipo carrete

S/20.82

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

600 V

44 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

245 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPU80R4K5P7AKMA1
Infineon Technologies
1: S/4.75
1,500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPU80R4K5P7AKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPU80R4K5P7AKMA1

Infineon Technologies

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1,500En existencias

S/4.75

S/2.06

S/1.83

S/1.51

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

800 V

1.5 A

4.5 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

4 nC

- 50 C

+ 150 C

13 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R031CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/48.66
134En existencias
240Se espera el 10/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R031CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R031CFD7XKS

Infineon Technologies

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Hoja de datos

134En existencias

240Se espera el 10/09/2026

S/48.66

S/26.90

S/25.46

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

63 A

26 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

141 nC

- 55 C

+ 150 C

278 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R090CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/27.36
240En existencias
960Se espera el 3/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R090CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R090CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

240En existencias

960Se espera el 3/09/2026

S/27.36

S/14.64

S/14.36

S/12.73

S/11.44

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

25 A

90 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R120P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/20.59
272En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R120P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R120P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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272En existencias

S/20.59

S/10.43

S/9.54

S/8.14

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

26 A

100 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

95 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW65R065C7
Infineon Technologies
1: S/37.95
164En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R065C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R065C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

164En existencias

S/37.95

S/25.92

S/21.37

S/19.03

S/18.02

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

33 A

65 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

171 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW65R065C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/37.41
58En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R065C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R065C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

58En existencias

S/37.41

S/20.12

S/18.57

S/18.02

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

33 A

58 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

171 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 75A TO247-4

IPZ65R019C7
Infineon Technologies
1: S/93.42
73En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPZ65R019C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPZ65R019C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 75A TO247-4

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Hoja de datos

73En existencias

S/93.42

S/74.77

S/64.65

S/61.23

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

75 A

17 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

215 nC

- 55 C

+ 150 C

446 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 46A TO247-4

IPZ65R045C7
Infineon Technologies
1: S/54.38
135En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPZ65R045C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPZ65R045C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 46A TO247-4

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Hoja de datos

135En existencias

S/54.38

S/41.42

S/34.53

S/29.12

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

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N-Channel

1 Channel

650 V

46 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

93 nC

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+ 150 C

227 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPZA60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/34.60
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IPZA60R060P7XKSA1

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726-IPZA60R060P7XKSA

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N-Channel

1 Channel

600 V

48 A

49 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

164 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPZA60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/27.48
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TO-247-4

N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

77 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

117 W

Enhancement

CoolMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPP80R280P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/16.04
255En existencias
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IPP80R280P7XKSA1

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726-IPP80R280P7XKSA1

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

17 A

280 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

36 nC

- 50 C

+ 150 C

101 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

CoolMOS™ 7 Superjunction MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.5 A
1.9 A
2.5 A
3 A
4 A
4.5 A
6 A
7 A
8 A
8.5 A
9 A
10 A
11 A
12 A
12.5 A
13 A
14 A
15 A
16 A
17 A

17 mOhms
19 mOhms
26 mOhms
28 mOhms
30 mOhms
34 mOhms
40 mOhms
49 mOhms
50 mOhms
52 mOhms
53 mOhms
55 mOhms
57 mOhms
58 mOhms
60 mOhms
62 mOhms
65 mOhms
66 mOhms
69 mOhms
70 mOhms

3.8 nC
4 nC
4.7 nC
5.8 nC
6.8 nC
7.5 nC
9 nC
10 nC
10.5 nC
11 nC
13 nC
15 nC
16.4 nC
17 nC
18 nC
20 nC
23 nC
24 nC
25 nC
27 nC

500 mW
6 W
6.1 W
6.2 W
6.9 W
7 W
7.2 W
7.4 W
13 W
18 W
21 W
22 W
22.7 W
24 W
24.9 W
26 W
26.5 W
27 W
28 W
29 W