Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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CoolMOS™ 7 Superjunction MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ 7 Superjunction MOSFETs are optimized for energy efficiency, power density, and ease of use. CoolMOS 7 technology is optimized for specific applications with innovative package concepts and various technologies. CoolMOS 7 MOSFETS are ideal for applications like making electric vehicle charging stations smaller with higher outputs resulting in faster car charging. Thanks to CoolMOS 7, adapters and chargers can be made smaller, lighter, and more efficient. With CoolMOS 7, engineers can make renewable energy systems cheaper and more efficient.

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R2K0P7ATMA1
Infineon Technologies
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IPD80R2K0P7ATMA1

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726-IPD80R2K0P7ATMA1

Infineon Technologies

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1,505En existencias

Cinta cortada

S/5.88

S/2.76

S/2.45

S/1.92

Envase tipo carrete

S/1.73

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

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N-Channel

1 Channel

800 V

3 A

1.7 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

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- 55 C

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24 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

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IPP60R125CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/19.85
500En existencias

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IPP60R125CFD7XKSA1

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726-IPP60R125CFD7XKS

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500En existencias

S/19.85

S/10.28

S/8.80

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1 Channel

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18 A

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- 20 V, 20 V

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+ 150 C

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Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R099C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/27.79
53En existencias
240Se espera el 10/09/2026

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53En existencias

240Se espera el 10/09/2026

S/27.79

S/14.48

S/13.31

S/12.14

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CoolMOS

Tube

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IPW60R125CFD7XKSA1
Infineon Technologies
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254En existencias

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S/22.69

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600 V

18 A

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- 20 V, 20 V

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92 W

Enhancement

Tube

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IPW60R180C7XKSA1
Infineon Technologies
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177En existencias

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177En existencias

S/19.27

S/9.69

S/8.84

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Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPW65R095C7XKSA1
Infineon Technologies
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376En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R095C7XKSA1

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726-IPW65R095C7XKSA1

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376En existencias

S/30.01

S/15.76

S/14.52

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Enhancement

CoolMOS

Tube

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Infineon Technologies
1: S/10.08
759En existencias

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IPA60R180P7SXKSA1

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726-IPA60R180P7SXKSA

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S/10.08

S/5.06

S/4.44

S/3.49

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CoolMOS

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IPA60R180P7XKSA1
Infineon Technologies
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741En existencias

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IPA60R180P7XKSA1

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726-IPA60R180P7XKSA1

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S/13.23

S/6.85

S/5.92

S/5.10

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TO-220-3

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1 Channel

600 V

18 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

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+ 150 C

26 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPA60R280P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/10.82
180En existencias
500Se espera el 15/10/2026

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IPA60R280P7XKSA1

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726-IPA60R280P7XKSA1

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S/10.82

S/5.37

S/4.79

S/3.86

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CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA60R360P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/8.21
474En existencias
1,000Se espera el 21/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R360P7SXKSA1

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726-IPA60R360P7SXKSA

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S/8.21

S/4.32

S/3.38

S/2.53

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3 V

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+ 150 C

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Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA60R360P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/9.30
645En existencias

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IPA60R360P7XKSA1

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726-IPA60R360P7XKSA1

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S/9.30

S/4.52

S/4.05

S/3.29

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TO-220-3

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1 Channel

600 V

9 A

300 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

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+ 150 C

22 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA60R600P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/6.54
999En existencias
500Se espera el 12/11/2026

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IPA60R600P7SXKSA1

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726-IPA60R600P7SXKSA

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S/6.54

S/3.10

S/2.77

S/2.23

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

6 A

490 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

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+ 150 C

21 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA80R1K4P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/7.82
702En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA80R1K4P7XKSA1

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726-IPA80R1K4P7XKSA1

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702En existencias

S/7.82

S/3.76

S/3.36

S/2.85

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Mult.: 1

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

4 A

1.4 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

24 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPA80R280P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/16.54
776En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA80R280P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R280P7XKSA1

Infineon Technologies

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776En existencias

S/16.54

S/8.45

S/7.67

S/6.23

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

17 A

280 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA80R360P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/13.58
803En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA80R360P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R360P7XKSA1

Infineon Technologies

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S/13.58

S/6.81

S/6.15

S/5.10

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

800 V

13 A

310 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA80R600P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/10.35
363En existencias
500Se espera el 6/05/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPA80R600P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R600P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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363En existencias

500Se espera el 6/05/2027

S/10.35

S/5.10

S/4.55

S/3.65

S/3.19

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

8 A

510 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

28 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPD60R180P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.21
984En existencias
12,500Se espera el 29/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R180P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R180P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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984En existencias

12,500Se espera el 29/10/2026

Cinta cortada

S/11.21

S/5.57

S/5.02

S/4.05

S/3.78

Envase tipo carrete

S/3.57

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

180 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

72 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD60R280P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.81
7En existencias
5,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R280P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R280P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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7En existencias

5,000En pedido

Cinta cortada

S/9.81

S/5.61

S/4.20

S/3.41

Envase tipo carrete

S/2.74

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

214 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

53 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R360P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/6.38
2,445En existencias
17,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R360P7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R360P7SAUMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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2,445En existencias

17,500En pedido

Cinta cortada

S/6.38

S/3.55

S/2.61

S/2.05

S/1.88

Envase tipo carrete

S/1.53

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

300 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

13 nC

- 40 C

+ 150 C

41 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD70R360P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/7.24
179En existencias
260,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPD70R360P7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD70R360P7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

179En existencias

260,000En pedido

Cinta cortada

S/7.24

S/3.42

S/2.59

S/2.13

S/2.00

Envase tipo carrete

S/1.62

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

700 V

12.5 A

300 mOhms

- 16 V, 16 V

2.5 V

16.4 nC

- 40 C

+ 150 C

59.5 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD70R600P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/5.76
217En existencias
25,000Se espera el 17/06/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPD70R600P7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD70R600P7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

217En existencias

25,000Se espera el 17/06/2027

Cinta cortada

S/5.76

S/2.85

S/2.15

S/1.70

S/1.64

Envase tipo carrete

S/1.32

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

700 V

8.5 A

490 mOhms

- 16 V, 16 V

2.5 V

10.5 nC

- 40 C

+ 150 C

43.1 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R1K4P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.93
219En existencias
2,500Se espera el 15/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R1K4P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R1K4P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Hoja de datos

219En existencias

2,500Se espera el 15/10/2026

Cinta cortada

S/6.93

S/3.66

S/2.92

S/2.22

S/1.97

Envase tipo carrete

S/1.69

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

4 A

1.4 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V CoolMOS P7PowerDevice

IPD80R3K3P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.64
2,947En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R3K3P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R3K3P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V CoolMOS P7PowerDevice

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S/2.94

S/2.02

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: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

1.9 A

2.8 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

5.8 nC

- 55 C

+ 150 C

18 W

Enhancement

CoolMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R450P7ATMA1
Infineon Technologies
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159En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
IPD80R450P7ATMA1

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726-IPD80R450P7ATMA1

Infineon Technologies

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S/5.53

S/4.98

S/4.01

S/3.87

Envase tipo carrete

S/3.56

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

11 A

450 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

24 nC

- 50 C

+ 150 C

73 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R4K5P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.75
1,558En existencias
2,500Se espera el 1/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R4K5P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R4K5P7ATMA1

Infineon Technologies

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S/4.75

S/2.20

S/1.90

S/1.51

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S/1.21

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

1.5 A

4.5 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

4 nC

- 50 C

+ 150 C

13 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

CoolMOS™ 7 Superjunction MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.5 A
1.9 A
2.5 A
3 A
4 A
4.5 A
6 A
7 A
8 A
8.5 A
9 A
10 A
11 A
12 A
12.5 A
13 A
14 A
15 A
16 A
17 A

17 mOhms
19 mOhms
26 mOhms
28 mOhms
30 mOhms
34 mOhms
40 mOhms
49 mOhms
50 mOhms
52 mOhms
53 mOhms
55 mOhms
57 mOhms
58 mOhms
60 mOhms
62 mOhms
65 mOhms
66 mOhms
69 mOhms
70 mOhms

3.8 nC
4 nC
4.7 nC
5.8 nC
6.8 nC
7.5 nC
9 nC
10 nC
10.5 nC
11 nC
13 nC
15 nC
16.4 nC
17 nC
18 nC
20 nC
23 nC
24 nC
25 nC
27 nC

500 mW
6 W
6.1 W
6.2 W
6.9 W
7 W
7.2 W
7.4 W
13 W
18 W
21 W
22 W
22.7 W
24 W
24.9 W
26 W
26.5 W
27 W
28 W
29 W