150V N-Channel Automotive MOSFETs

PANJIT 150V N-Channel Automotive MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs optimized to have good Figure of Merit (FOM) and AEC-Q101 qualified with standard-level gate drive. These enhancement-mode automotive MOSFETs operate from 18A to 65A continuous drain current and are AEC-Q101 qualified devices. The 150V N-channel MOSFETs operate from -55°C to 175°C junction and storage temperature range. These N-channel MOSFETs feature green molding compounds that are compliant with the IEC 61249 standard and EU RoHS 2.0. The 150V N-channel MOSFETs are ideal for Battery Management System (BMS), Brushless Direct Current (BLDC), and Switch Mode Power Supply (SMPS) SR.

Resultados: 7
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Empaquetado
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
2,591En existencias
Cinta cortada
S/12.26
S/6.11
S/5.49
S/4.44
S/4.36
Envase tipo carrete
S/4.01
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT TO-252AA-2 N-Channel 1 Channel 150 V 40 A 25 mOhms 20 V 4 V 36 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
4,413En existencias
Cinta cortada
S/8.06
S/3.86
S/3.46
S/2.74
Ver
Envase tipo carrete
S/2.25
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 150 V 18 A 50 mOhms 20 V 4 V 22 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
2,569En existencias
Cinta cortada
S/12.61
S/6.31
S/5.68
S/4.59
S/4.52
Envase tipo carrete
S/4.16
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 150 V 42 A 21 mOhms 20 V 4 V 36 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
2,824En existencias
Cinta cortada
S/8.87
S/4.32
S/3.84
S/3.06
S/2.95
Envase tipo carrete
S/2.58
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 150 V 25 A 49 mOhms 20 V 4 V 22 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
1,730En existencias
Cinta cortada
S/8.45
S/4.09
S/3.65
S/2.90
S/2.78
Envase tipo carrete
S/2.42
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT TO-252AA-2 N-Channel 1 Channel 150 V 26 A 49 mOhms 20 V 4 V 22 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Envase tipo carrete
S/4.83
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000
Si SMD/SMT TO-252AA-2 N-Channel 1 Channel 150 V 65 A 16 mOhms 20 V 4 V 53 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Envase tipo carrete
S/4.98
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000
Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 150 V 59 A 17 mOhms 20 V 4 V 53 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q101 Reel