Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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CoolMOS™ CM8 650V Power MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ CM8 650V Power MOSFETs are designed according to the Superjunction (SJ) principle to offer low switching and conduction losses. These MOSFETs are suitable for hard and soft switching topologies due to the devices' commutation ruggedness. The CoolMOS™ CM8 650V MOSFETs feature fast design‑in through low ringing tendency and usage across the PFC and PWM stages. These MOSFETs enable simplified thermal management through an advanced die attach technique. The CoolMOS™ CM8 650V MOSFETs are RoHS compliant and fully qualified as per JEDEC standards for industrial applications. Typical applications include LLC resonant converters, AI servers, telecom power supplies, and data centers.

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Id - Corriente de drenaje continua

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

IPW65R025CM8XKSA1
Infineon Technologies
1: S/52.94
639En existencias
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IPW65R025CM8XKSA1

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726-IPW65R025CM8XKSA

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

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S/52.94

S/40.33

S/33.63

S/29.93

S/28.34

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

90 A

25 mOhms

- 20 V to 20 V

4.7 V

124 nC

- 55 C

+ 150 C

201 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

IPDQ65R018CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: S/65.04
663En existencias
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726-IPDQ65R018CM8XTM

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Cinta cortada

S/65.04

S/49.55

S/41.26

S/36.78

Envase tipo carrete

S/34.84

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22

N-Channel

1 Channel

650 V

127 A

18 mOhms

- 20 V to 20 V

4.7 V

173 nC

- 55 C

+ 150 C

625 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

IPT65R025CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: S/46.17
929En existencias
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IPT65R025CM8XTMA1

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726-IPT65R025CM8XTMA

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929En existencias

Cinta cortada

S/46.17

S/33.40

S/27.83

S/24.83

S/24.80

Envase tipo carrete

S/23.47

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PG-HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

101 A

25 mOhms

- 20 V to 20 V

4.7 V

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543 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

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IPW65R018CM8XKSA1
Infineon Technologies
1: S/71.47
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726-IPW65R018CM8XKSA

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1,429En existencias

960En pedido

S/71.47

S/54.46

S/45.39

S/40.40

S/38.26

Min.: 1
Mult.: 1

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PG-TO247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

116 A

18 mOhms

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173 nC

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521 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPZA65R018CM8XKSA1
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S/74.31

S/56.60

S/47.18

S/39.78

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

116 A

18 mOhms

- 20 V to 20 V

4.7 V

173 nC

- 55 C

+ 150 C

521 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

IPZA65R040CM8XKSA1
Infineon Technologies
1: S/42.12
566En existencias
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S/42.12

S/29.78

S/24.83

S/22.07

S/20.90

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

62 A

40 mOhms

- 20 V to 20 V

4.7 V

80 nC

- 55 C

+ 150 C

329 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

IPW65R040CM8XKSA1
Infineon Technologies
1: S/40.52
308En existencias
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IPW65R040CM8XKSA1

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726-IPW65R040CM8XKSA

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308En existencias

S/40.52

S/28.65

S/23.86

S/20.12

Min.: 1
Mult.: 1

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N-Channel

1 Channel

650 V

62 A

70 mOhms

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4.7 V

80 nC

- 55 C

+ 150 C

201 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

IPW65R060CM8XKSA1
Infineon Technologies
1: S/31.26
167En existencias
480Se espera el 20/08/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R060CM8XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R060CM8XKSA

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480Se espera el 20/08/2026

S/31.26

S/21.99

S/17.79

S/14.29

S/14.17

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

45 A

60 mOhms

- 20 V to 20 V

4.7 V

52 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

IPZA65R025CM8XKSA1
Infineon Technologies
1: S/55.04
323En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
IPZA65R025CM8XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZA65R025CM8XKS

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323En existencias

S/55.04

S/41.92

S/34.95

S/29.54

S/29.47

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

90 A

25 mOhms

- 20 V to 20 V

4.7 V

124 nC

- 55 C

+ 150 C

201 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

IPDQ65R008CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: S/106.42
2,235Se espera el 13/08/2026
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N.º de artículo del Fabricante
IPDQ65R008CM8XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ65R008CM8XTM

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2,235Se espera el 13/08/2026

Cinta cortada

S/106.42

S/77.34

S/69.48

S/66.76

Envase tipo carrete

S/66.06

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22

N-Channel

1 Channel

650 V

270 A

8 mOhms

- 20 V to 20 V

4.7 V

375 nC

- 55 C

+ 150 C

1.249 kW

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

IPT65R018CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: S/59.20
2,000Se espera el 25/03/2027
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPT65R018CM8XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT65R018CM8XTMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

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2,000Se espera el 25/03/2027

Cinta cortada

S/59.20

S/45.11

S/37.60

S/33.51

S/31.68

Envase tipo carrete

S/31.68

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PG-HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

134 A

18 mOhms

- 20 V to 20 V

4.7 V

173 nC

- 55 C

+ 150 C

694 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

IPT65R040CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: S/34.45
3,498En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPT65R040CM8XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT65R040CM8XTMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

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3,498En pedido

Cinta cortada

S/34.45

S/23.00

S/19.11

S/17.59

Envase tipo carrete

S/16.66

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PG-HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

67 A

40 mOhms

- 20 V to 20 V

4.7 V

80 nC

- 55 C

+ 150 C

390 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

CoolMOS™ CM8 650V Power MOSFETs

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