RD3U041AAFRATL
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755-RD3U041AAFRATL
RD3U041AAFRATL
Fabricante:
Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 250V 4.1A N-CH MOSFET
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 250V 4.1A N-CH MOSFET
Hoja de datos:
Hoja de datos
Specification Sheets
Códigos de cumplimiento
- CNHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- TARIC:
- 8541290000
- ECCN:
- EAR99
Clasificaciones de origen
- País de origen:
- Tailandia
- País de origen del ensamblaje:
- No disponible
- País de difusión:
- No disponible
En existencias: 1,648
-
Existencias:
-
1,648 Se puede enviar inmediatamenteSe ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
-
Plazo de entrega de fábrica:
-
16 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Precio (PEN)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| S/9.26 | S/9.26 | |
| S/5.96 | S/59.60 | |
| S/4.05 | S/405.00 | |
| S/3.22 | S/1,610.00 | |
| S/3.06 | S/3,060.00 | |
| Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500) | ||
| S/2.72 | S/6,800.00 | |
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