Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD
2EDL05N06PFXUMA1
Infineon Technologies
1:
S/5.25
3,159 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-2EDL05N06PFXUMA1
Infineon Technologies
Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD
3,159 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/5.25
10
S/3.80
25
S/3.44
100
S/3.04
250
Ver
2,500
S/2.33
250
S/2.85
500
S/2.74
1,000
S/2.61
2,500
S/2.33
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa POSITION SENS ATV
TLE49641MXTMA1
Infineon Technologies
1:
S/1.99
9,930 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-TLE49641MXTMA1
Infineon Technologies
Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa POSITION SENS ATV
9,930 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/1.99
5
S/1.84
10
S/1.53
50
S/1.49
100
Ver
10,000
S/1.05
100
S/1.39
500
S/1.28
1,000
S/1.22
2,000
S/1.21
5,000
S/1.05
10,000
S/1.05
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Mult.: 1
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10,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 300A HSOF-8
IPT015N10N5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/28.80
28,859 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPT015N10N5ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 300A HSOF-8
28,859 En existencias
1
S/28.80
10
S/18.02
100
S/13.82
500
S/12.30
1,000
S/11.72
2,000
S/11.09
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-2
IPB017N10N5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/25.11
27,986 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB017N10N5ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-2
27,986 En existencias
1
S/25.11
10
S/16.35
100
S/12.30
500
S/12.03
1,000
S/11.09
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IPT007N06NATMA1
Infineon Technologies
1:
S/28.10
18,019 En existencias
20,000 Se espera el 7/08/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPT007N06NATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
18,019 En existencias
20,000 Se espera el 7/08/2026
Embalaje alternativo
1
S/28.10
10
S/18.26
100
S/16.00
500
S/14.99
1,000
Ver
2,000
S/13.08
1,000
S/13.82
2,000
S/13.08
24,000
Presupuesto
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,000
Detalles
Microcontroladores ARM - MCU XMC1000
XMC1404F064X0200AAXUMA1
Infineon Technologies
1:
S/15.61
3,871 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-1404F064X0200AAX
Infineon Technologies
Microcontroladores ARM - MCU XMC1000
3,871 En existencias
1
S/15.61
10
S/11.72
25
S/10.74
100
S/9.69
1,900
S/8.41
3,800
Ver
250
S/9.19
500
S/8.60
1,000
S/8.41
3,800
S/6.77
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1,900
Detalles
Controladores de puertas 200V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT
6EDL04N02PRXUMA1
Infineon Technologies
1:
S/11.41
1,261 En existencias
6,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-6EDL04N02PRXUMA1
Infineon Technologies
Controladores de puertas 200V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT
1,261 En existencias
6,000 En pedido
Ver fechas
Embalaje alternativo
Existencias:
1,261 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
3,000 Se espera el 20/08/2026
3,000 Se espera el 27/08/2026
Plazo de entrega de fábrica:
46 Semanas
1
S/11.41
10
S/8.52
25
S/7.79
100
S/6.97
250
Ver
3,000
S/5.80
250
S/6.62
500
S/6.46
1,000
S/6.11
3,000
S/5.80
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB042N10N3GATMA1
Infineon Technologies
1:
S/12.81
4,219 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB042N10N3GATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
4,219 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/12.81
10
S/7.94
100
S/5.80
500
S/4.71
1,000
S/4.59
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1,000
Detalles
Controladores de puertas 200V half-brdg,0.6A VCC & VBS UVLO & SD
IRS2008STRPBF
Infineon Technologies
1:
S/3.00
19,133 En existencias
12,500 Se espera el 28/07/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IRS2008STRPBF
Infineon Technologies
Controladores de puertas 200V half-brdg,0.6A VCC & VBS UVLO & SD
19,133 En existencias
12,500 Se espera el 28/07/2026
1
S/3.00
10
S/2.65
25
S/2.38
100
S/2.10
250
Ver
2,500
S/1.63
250
S/1.96
500
S/1.92
2,500
S/1.63
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa POSITION SENS ATV
TLE493DW2B6A0HTSA1
Infineon Technologies
1:
S/6.70
2,248 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-TLE493DW2B6A0HTS
Infineon Technologies
Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa POSITION SENS ATV
2,248 En existencias
1
S/6.70
5
S/5.96
10
S/5.29
50
S/5.10
100
Ver
3,000
S/3.89
100
S/4.75
500
S/4.36
1,000
S/4.20
2,000
S/3.97
3,000
S/3.89
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición EMBEDDED_POWER
TLE9877QXW40XUMA1
Infineon Technologies
1:
S/24.13
1,951 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-TLE9877QXW40XUMA
Infineon Technologies
Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición EMBEDDED_POWER
1,951 En existencias
1
S/24.13
10
S/18.49
25
S/17.09
100
S/15.53
250
S/15.26
2,500
S/13.08
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 293A 2.1mOhm 200nC Qg
IRFS3006TRL7PP
Infineon Technologies
1:
S/21.72
593 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
942-IRFS3006TRL7PP
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 293A 2.1mOhm 200nC Qg
593 En existencias
1
S/21.72
10
S/13.94
100
S/10.82
500
S/9.15
800
S/8.45
2,400
S/7.98
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
800
Detalles
Controladores de puertas LOW SIDE DRIVERS
1EDN7550BXTSA1
Infineon Technologies
1:
S/3.15
408 En existencias
9,575 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-1EDN7550BXTSA1
Infineon Technologies
Controladores de puertas LOW SIDE DRIVERS
408 En existencias
9,575 En pedido
Ver fechas
Existencias:
408 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
2,975 Se espera el 29/07/2026
600 Se espera el 17/08/2026
6,000 Se espera el 5/11/2026
Plazo de entrega de fábrica:
39 Semanas
1
S/3.15
10
S/2.21
25
S/1.98
100
S/1.73
250
Ver
3,000
S/1.37
250
S/1.61
500
S/1.54
1,000
S/1.48
3,000
S/1.37
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8
BSC039N06NSATMA1
Infineon Technologies
1:
S/6.93
23 En existencias
80,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-BSC039N06NSATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8
23 En existencias
80,000 En pedido
Ver fechas
Embalaje alternativo
Existencias:
23 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
10,000 Se espera el 24/09/2026
15,000 Se espera el 6/05/2027
55,000 Se espera el 13/05/2027
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
1
S/6.93
10
S/4.44
100
S/2.90
500
S/2.65
2,500
S/1.72
5,000
S/1.42
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa MAGNETIC SENSOR IC'S
TLE49641MXTSA1
Infineon Technologies
1:
S/2.57
4,486 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-SP000923326
Infineon Technologies
Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa MAGNETIC SENSOR IC'S
4,486 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/2.57
5
S/2.23
10
S/1.99
50
S/1.74
100
Ver
3,000
S/1.16
100
S/1.62
500
S/1.37
1,000
S/1.29
2,000
S/1.21
3,000
S/1.16
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V StrongIRFET Power Mosfet
IRFH7545TRPBF
Infineon Technologies
1:
S/8.10
6 En existencias
4,000 Se espera el 5/08/2026
N.º de artículo de Mouser
942-IRFH7545TRPBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V StrongIRFET Power Mosfet
6 En existencias
4,000 Se espera el 5/08/2026
1
S/8.10
10
S/4.98
100
S/3.29
500
S/2.58
4,000
S/1.73
8,000
Ver
1,000
S/2.21
2,000
S/2.04
8,000
S/1.71
24,000
S/1.68
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
4,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
IPB048N15N5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/29.82
5,799 Se espera el 24/09/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPB048N15N5ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
5,799 Se espera el 24/09/2026
1
S/29.82
10
S/19.93
100
S/16.04
500
S/14.25
1,000
S/12.61
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1,000
Detalles