Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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600V MDmesh™ DM6 Super-junction MOSFETs

STMicroelectronics 600V MDmesh™ DM6 Super-junction MOSFETs are optimized for ZVS, full-bridge, and half-bridge topologies. With a breakdown voltage of 600V, the MDmesh DM6 Power MOSFETs combine an optimized capacitance profile and lifetime killing process. The STMicroelectronics 600V MDmesh DM6 Super-junction MOSFETs offer a low gate charge (Q_g), very low recovery charge (Q_rr), low recovery time (t_rr), and an excellent R_DS(on) per area.

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Resultados: 9

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Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET

STW65N60DM6
STMicroelectronics
1: S/32.70
478En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW65N60DM6

N.º de artículo de Mouser
511-STW65N60DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET

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Hoja de datos

478En existencias

S/32.70

S/17.75

S/16.31

S/14.87

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

38 A

71 mOhms

25 V

3.25 V

54 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 25 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

STL45N60DM6
STMicroelectronics
1: S/31.02
2,637En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL45N60DM6

N.º de artículo de Mouser
511-STL45N60DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 25 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

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2,637En existencias

Cinta cortada

S/31.02

S/18.76

S/16.04

S/14.79

S/13.66

Envase tipo carrete

S/13.39

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-5

N-Channel

1 Channel

600 V

25 A

110 mOhms

25 V

3.25 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

160 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea

STWA65N60DM6
STMicroelectronics
1: S/31.18
585En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STWA65N60DM6

N.º de artículo de Mouser
511-STWA65N60DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea

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Hoja de datos

585En existencias

S/31.18

S/19.50

S/16.78

S/14.56

S/13.16

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

38 A

71 mOhms

25 V

3.25 V

54 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package

STW75N60DM6
STMicroelectronics
1: S/39.55
270En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW75N60DM6

N.º de artículo de Mouser
511-STW75N60DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package

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Hoja de datos

270En existencias

S/39.55

S/27.09

S/22.34

S/21.76

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

72 A

36 mOhms

25 V

3.25 V

117 nC

- 55 C

+ 150 C

446 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 165 mOhm typ., 18 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package

STP26N60DM6
STMicroelectronics
1: S/18.96
1,197En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP26N60DM6

N.º de artículo de Mouser
511-STP26N60DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 165 mOhm typ., 18 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package

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1,197En existencias

S/18.96

S/12.53

S/7.63

S/7.20

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

195 mOhms

25 V

3.25 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 165 mOhm typ., 18 A MDmesh DM6 Power MOSFET in TO-220FP package

STF26N60DM6
STMicroelectronics
1: S/18.26
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STF26N60DM6

N.º de artículo de Mouser
511-STF26N60DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 165 mOhm typ., 18 A MDmesh DM6 Power MOSFET in TO-220FP package

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Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

S/18.26

S/9.54

S/7.43

S/6.89

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

195 mOhms

25 V

3.25 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO247-4 package

STW75N60M6-4
STMicroelectronics
600: S/23.59
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STW75N60M6-4

N.º de artículo de Mouser
511-STW75N60M6-4

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO247-4 package

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Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

S/23.59

Min.: 600
Mult.: 600

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

600 V

72 A

36 mOhms

25 V

3.25 V

106 nC

- 55 C

+ 150 C

446 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 35 mOhm typ., 63 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 long lead

STWA68N60M6
STMicroelectronics
1: S/50.99
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STWA68N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STWA68N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 35 mOhm typ., 63 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 long lead

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Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

S/50.99

S/38.50

S/32.07

S/28.57

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

63 A

41 mOhms

25 V

3.25 V

106 nC

- 55 C

+ 150 C

390 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 36 mOhm typ., 62 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package

STW70N60DM6
STMicroelectronics
600: S/17.67
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STW70N60DM6

N.º de artículo de Mouser
511-STW70N60DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 36 mOhm typ., 62 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package

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S/17.67

Min.: 600
Mult.: 600

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

62 A

42 mOhms

25 V

3.25 V

99 nC

- 55 C

+ 150 C

390 W

Enhancement

MDmesh

Tube

600V MDmesh™ DM6 Super-junction MOSFETs

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