GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100V GaN FETs

Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100V GaN FETs are general-purpose, normally off e-mode devices that deliver superior performance and very low on-state resistance.

Resultados: 3
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Tecnología
Nexperia GaN FETs GANE1R8-100QBA/SOT8091/VQFN7
Hoja de datos
2,457En existencias
Cinta cortada
S/41.38
S/22.97
S/21.76
S/19.93
Envase tipo carrete
S/17.75
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
SMD/SMT VQFN-7 P-Channel 1 Channel 100 V 100 A 1.8 mOhms 6 V 2.5 V 22 nC - 40 C + 150 C 65 W Enhancement GaN
Nexperia GaN FETs GANE2R7-100CBA/SOT8089/WLCSP22
Hoja de datos
1,453En existencias
Cinta cortada
S/22.77
S/11.95
S/10.90
S/9.85
Envase tipo carrete
S/8.14
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
SMD/SMT WLCSP-22 P-Channel 1 Channel 100 V 64 A 2.7 mOhms 5.5 V 2.5 V 13 nC - 40 C + 150 C 470 W Enhancement GaN
Nexperia GaN FETs GANE7R0-100CBA/SOT8090/WLCSP6
Hoja de datos
988En existencias
Cinta cortada
S/10.55
S/5.18
S/4.67
S/3.73
Envase tipo carrete
S/3.28
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
SMD/SMT VQFN-7 N-Channel 1 Channel 100 V 29 A 7 mOhms 6 V 2.5 V 4.5 nC - 40 C + 150 C 182 W Enhancement GaN