Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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HP8K/HT8K Dual Channel Enhancement Mode MOSFETs

ROHM Semiconductor HP8K/HT8K Dual Channel Enhancement Mode MOSFETs offer dual N-channel or N-channel/P-channel transistor polarity. The HP8K and HT8K MOSFETs are available in small, surface-mount HSMT8 and HSOP8 backside heat-dissipating dual packages that provide low on-resistances and energy savings. Applications include single-/three-phase brushless motor drives or switching operations.

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Resultados: 16

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 17A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. HP8KE6TB1 ROHM Semiconductor 1: S/ 9.50 4,860En existencias	N.º de artículo del Fabricante HP8KE6TB1 N.º de artículo de Mouser 755-HP8KE6TB1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 17A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm hp8k ht8k mosfets	Hoja de datos	4,860En existencias	Cinta cortada S/ 9.50 S/ 4.67 S/ 4.01 S/ 3.34 Envase tipo carrete S/ 2.95 Ver S/ 3.16 S/ 2.87 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	HSOP-8	N-Channel	2 Channel	100 V	17 A	54 mOhms	20 V	2.5 V	6.7 nC	- 55 C	+ 150 C	21 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 13A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. HT8KE6TB1 ROHM Semiconductor 1: S/ 9.07 5,917En existencias	N.º de artículo del Fabricante HT8KE6TB1 N.º de artículo de Mouser 755-HT8KE6TB1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 13A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm hp8k ht8k mosfets	Hoja de datos	5,917En existencias	Cinta cortada S/ 9.07 S/ 4.40 S/ 3.81 S/ 3.14 S/ 2.95 Envase tipo carrete S/ 2.65 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	HSMT-8	N-Channel	2 Channel	100 V	13 A	57 mOhms	20 V	2.5 V	6.7 nC	- 55 C	+ 150 C	14 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 7A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KE5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. HT8KE5TB1 ROHM Semiconductor 1: S/ 6.58 5,978En existencias	N.º de artículo del Fabricante HT8KE5TB1 N.º de artículo de Mouser 755-HT8KE5TB1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 7A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KE5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm hp8k ht8k mosfets	Hoja de datos	5,978En existencias	Cinta cortada S/ 6.58 S/ 3.11 S/ 2.65 S/ 2.17 Envase tipo carrete S/ 1.77 Ver S/ 1.99 S/ 1.74 S/ 1.70	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	HSMT-8	N-Channel	2 Channel	100 V	7 A	193 mOhms	20 V	2.5 V	2.9 nC	- 55 C	+ 150 C	13 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KE7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. HP8KE7TB1 ROHM Semiconductor 1: S/ 14.75 4,724En existencias	N.º de artículo del Fabricante HP8KE7TB1 N.º de artículo de Mouser 755-HP8KE7TB1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KE7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm hp8k ht8k mosfets	Hoja de datos	4,724En existencias	Cinta cortada S/ 14.75 S/ 7.51 S/ 6.54 S/ 5.53 S/ 5.49 Envase tipo carrete S/ 5.18	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	HSOP-8	N-Channel	2 Channel	100 V	24 A	19.6 mOhms	20 V	2.5 V	19.8 nC	- 55 C	+ 150 C	26 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 8.5A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8ME5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. HP8ME5TB1 ROHM Semiconductor 1: S/ 8.25 10,422En existencias	N.º de artículo del Fabricante HP8ME5TB1 N.º de artículo de Mouser 755-HP8ME5TB1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 8.5A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8ME5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm hp8k ht8k mosfets	Hoja de datos	10,422En existencias	Cinta cortada S/ 8.25 S/ 4.01 S/ 3.41 S/ 2.83 S/ 2.64 Envase tipo carrete S/ 2.34	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	HSOP-8	N-Channel, P-Channel	2 Channel	100 V	8 A, 8.5 A	193 mOhms, 273 mOhms	20 V	2.5 V	2.9 nC, 19.7 nC	- 55 C	+ 150 C	20 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 100V 12.5A N CHAN HT8KE6HTB1 ROHM Semiconductor 1: S/ 9.15 2,962En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante HT8KE6HTB1 N.º de artículo de Mouser 755-HT8KE6HTB1 Nuevo producto	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 100V 12.5A N CHAN Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm hp8k ht8k mosfets	Hoja de datos	2,962En existencias	Cinta cortada S/ 9.15 S/ 4.48 S/ 4.01 S/ 3.18 S/ 3.08 Envase tipo carrete S/ 2.70	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	HSMT-8	N-Channel	2 Channel	100 V	12.5 A	60 mOhms	20 V	4 V	6.3 nC	- 55 C	+ 150 C	14 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 23A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KC6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. HP8KC6TB1 ROHM Semiconductor 1: S/ 9.46 4,570En existencias	N.º de artículo del Fabricante HP8KC6TB1 N.º de artículo de Mouser 755-HP8KC6TB1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 23A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KC6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm hp8k ht8k mosfets	Hoja de datos	4,570En existencias	Cinta cortada S/ 9.46 S/ 4.63 S/ 4.13 S/ 3.29 Envase tipo carrete S/ 2.97 Ver S/ 3.19 S/ 2.92	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	HSOP-8	N-Channel	2 Channel	60 V	23 A	27 mOhms	20 V	2.5 V	7.6 nC	- 55 C	+ 150 C	21 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 12A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8MC5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. HP8MC5TB1 ROHM Semiconductor 1: S/ 8.21 4,536En existencias	N.º de artículo del Fabricante HP8MC5TB1 N.º de artículo de Mouser 755-HP8MC5TB1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 12A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8MC5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm hp8k ht8k mosfets	Hoja de datos	4,536En existencias	Cinta cortada S/ 8.21 S/ 3.97 S/ 3.55 S/ 2.81 Envase tipo carrete S/ 2.42 Ver S/ 2.69 S/ 2.33	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	HSOP-8	N-Channel, P-Channel	2 Channel	60 V	12 A	90 mOhms, 96 mOhms	20 V	2.5 V	3.1 nC, 17.3 nC	- 55 C	+ 150 C	20 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 12A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KB5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. HT8KB5TB1 ROHM Semiconductor 1: S/ 6.50 9,000En existencias	N.º de artículo del Fabricante HT8KB5TB1 N.º de artículo de Mouser 755-HT8KB5TB1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 12A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KB5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm hp8k ht8k mosfets	Hoja de datos	9,000En existencias	Cinta cortada S/ 6.50 S/ 3.07 S/ 2.74 S/ 2.15 Envase tipo carrete S/ 1.72 Ver S/ 1.70 S/ 1.67	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	HSMT-8	N-Channel	2 Channel	40 V	12 A	47 mOhms	20 V	2.5 V	3.5 nC	- 55 C	+ 150 C	13 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 2NCH 40V 8A HT8KB6TB1 ROHM Semiconductor 1: S/ 8.21 2,780En existencias	N.º de artículo del Fabricante HT8KB6TB1 N.º de artículo de Mouser 755-HT8KB6TB1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 2NCH 40V 8A Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm hp8k ht8k mosfets	Hoja de datos	2,780En existencias	Cinta cortada S/ 8.21 S/ 3.97 S/ 3.53 S/ 2.80 S/ 2.68 Envase tipo carrete S/ 2.32	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	HSMT-8	N-Channel	2 Channel	40 V	15 A	17.2 mOhms	20 V	2.5 V	10.6 nC	- 55 C	+ 150 C	14 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 10A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KC5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. HT8KC5TB1 ROHM Semiconductor 1: S/ 6.50 6,472En existencias	N.º de artículo del Fabricante HT8KC5TB1 N.º de artículo de Mouser 755-HT8KC5TB1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 10A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KC5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm hp8k ht8k mosfets	Hoja de datos	6,472En existencias	Cinta cortada S/ 6.50 S/ 3.08 S/ 2.75 S/ 2.16 Envase tipo carrete S/ 2.00 Ver S/ 1.77 S/ 1.72 S/ 1.69	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	HSMT-8	N-Channel	2 Channel	60 V	10 A	90 mOhms	20 V	2.5 V	3.1 nC	- 55 C	+ 150 C	13 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 15A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KC6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. HT8KC6TB1 ROHM Semiconductor 1: S/ 8.80 3,755En existencias	N.º de artículo del Fabricante HT8KC6TB1 N.º de artículo de Mouser 755-HT8KC6TB1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 15A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KC6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm hp8k ht8k mosfets	Hoja de datos	3,755En existencias	Cinta cortada S/ 8.80 S/ 4.28 S/ 3.82 S/ 3.04 Envase tipo carrete S/ 2.66 Ver S/ 2.93 S/ 2.56	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	HSMT-8	N-Channel	2 Channel	60 V	15 A	29 mOhms	20 V	2.5 V	7.6 nC	- 55 C	+ 150 C	14 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KB6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. HP8KB6TB1 ROHM Semiconductor 1: S/ 9.42 5,000En existencias	N.º de artículo del Fabricante HP8KB6TB1 N.º de artículo de Mouser 755-HP8KB6TB1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KB6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm hp8k ht8k mosfets	Hoja de datos	5,000En existencias	Cinta cortada S/ 9.42 S/ 4.59 S/ 4.13 S/ 3.29 S/ 3.20 Envase tipo carrete S/ 2.81	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	HSOP-8	N-Channel	2 Channel	40 V	24 A	15.7 mOhms	20 V	2.5 V	22 nC	- 55 C	+ 150 C	21 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KB7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. HP8KB7TB1 ROHM Semiconductor 1: S/ 14.40 4,969En existencias	N.º de artículo del Fabricante HP8KB7TB1 N.º de artículo de Mouser 755-HP8KB7TB1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KB7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm hp8k ht8k mosfets	Hoja de datos	4,969En existencias	Cinta cortada S/ 14.40 S/ 7.28 S/ 6.58 S/ 5.37 Envase tipo carrete S/ 5.06 Ver S/ 5.33 S/ 4.98	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	HSOP-8	N-Channel	2 Channel	40 V	24 A	8 mOhms	20 V	2.5 V	27 nC	- 55 C	+ 150 C	26 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KC7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. HP8KC7TB1 ROHM Semiconductor 1: S/ 14.48 4,956En existencias	N.º de artículo del Fabricante HP8KC7TB1 N.º de artículo de Mouser 755-HP8KC7TB1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KC7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm hp8k ht8k mosfets	Hoja de datos	4,956En existencias	Cinta cortada S/ 14.48 S/ 7.32 S/ 6.62 S/ 5.37 Envase tipo carrete S/ 5.02	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	HSOP-8	N-Channel	2 Channel	60 V	24 A	11.5 mOhms	20 V	2.5 V	22 nC	- 55 C	+ 150 C	26 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 16.5A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8MB5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. HP8MB5TB1 ROHM Semiconductor 1: S/ 8.21 4,925En existencias	N.º de artículo del Fabricante HP8MB5TB1 N.º de artículo de Mouser 755-HP8MB5TB1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 16.5A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8MB5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm hp8k ht8k mosfets	Hoja de datos	4,925En existencias	Cinta cortada S/ 8.21 S/ 3.97 S/ 3.55 S/ 2.81 Envase tipo carrete S/ 2.42 Ver S/ 2.69 S/ 2.33	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	HSOP-8	N-Channel, P-Channel	2 Channel	60 V	16.5 A, 18 A	46 mOhms, 44 mOhms	20 V	2.5 V	3.5 nC, 17.2 nC	- 55 C	+ 150 C	20 W	Enhancement	Reel, Cut Tape

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