Resultados: 7
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK
1,769En existencias
Cinta cortada
S/ 11.37
S/ 5.64
S/ 5.06
S/ 4.09
S/ 3.97
Envase tipo carrete
S/ 3.63
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 2.3m max(VGS=10V) DPAK
3,603En existencias
Cinta cortada
S/ 14.60
S/ 7.36
S/ 6.66
S/ 5.45
S/ 5.41
Envase tipo carrete
S/ 5.10
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Toshiba Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 3Phase Motor PreDrvr Automotive; AEC-Q10
447En existencias
Cinta cortada
S/ 32.54
S/ 25.18
S/ 23.36
S/ 21.37
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Envase tipo carrete
S/ 18.26
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063
190En existencias
2,000Se espera el 20/11/2026
Cinta cortada
S/ 8.10
S/ 3.93
S/ 3.49
S/ 2.77
S/ 2.64
Envase tipo carrete
S/ 2.28
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -60V 100W 7760pF 0.0112
332En existencias
6,000En pedido
Cinta cortada
S/ 12.26
S/ 6.11
S/ 5.53
S/ 4.44
S/ 4.28
Envase tipo carrete
S/ 4.01
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 60V 3.3m max(VGS=10V) DPAK
3,996Se espera el 9/11/2026
Cinta cortada
S/ 12.26
S/ 6.11
S/ 5.49
S/ 4.44
S/ 4.28
Envase tipo carrete
S/ 4.01
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -80A -40V 100W 7770pF 0.0052
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Cinta cortada
S/ 7.94
S/ 3.80
S/ 3.38
S/ 2.68
Envase tipo carrete
S/ 2.06
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000