MOSFETs de SiC – Mouser Perú

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Resultados: 11

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Id - Corriente de drenaje continua

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package IMBG120R008M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: S/ 150.41 1,590En existencias 1,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante IMBG120R008M2HXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMBG120R008M2HXT	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets	Hoja de datos	1,590En existencias 1,000En pedido	Cinta cortada S/ 150.41 S/ 122.73 S/ 108.45 S/ 107.82 Envase tipo carrete S/ 101.24 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	189 A	7.7 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	195 nC	- 55 C	+ 175 C	800 W	Enhancement
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package IMBG120R012M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: S/ 108.13 2,011En existencias	N.º de artículo del Fabricante IMBG120R012M2HXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMBG120R012M2HXT	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets	Hoja de datos	2,011En existencias	Cinta cortada S/ 108.13 S/ 74.70 S/ 74.50 S/ 70.42 Envase tipo carrete S/ 65.71	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	144 A	12.2 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	124 nC	- 55 C	+ 175 C	600 W	Enhancement
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package IMBG120R022M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: S/ 69.33 245En existencias	N.º de artículo del Fabricante IMBG120R022M2HXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMBG120R022M2HXT	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets	Hoja de datos	245En existencias	Cinta cortada S/ 69.33 S/ 52.82 S/ 44.02 S/ 39.24 Envase tipo carrete S/ 36.63 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	87 A	21.6 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	71 nC	- 55 C	+ 175 C	385 W	Enhancement
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package IMBG120R026M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: S/ 52.67 1,603En existencias	N.º de artículo del Fabricante IMBG120R026M2HXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMBG120R026M2HXT	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets	Hoja de datos	1,603En existencias	Cinta cortada S/ 52.67 S/ 32.15 S/ 31.53 Envase tipo carrete S/ 30.01	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	75 A	25.4 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	60 nC	- 55 C	+ 175 C	335 W	Enhancement
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package IMBG120R053M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: S/ 36.51 502En existencias 1,000Se espera el 6/05/2027	N.º de artículo del Fabricante IMBG120R053M2HXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMBG120R053M2HXT	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets	Hoja de datos	502En existencias 1,000Se espera el 6/05/2027	Cinta cortada S/ 36.51 S/ 24.95 S/ 20.55 S/ 18.33 Envase tipo carrete S/ 17.17 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	41 A	52.6 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	30 nC	- 55 C	+ 175 C	205 W	Enhancement
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package IMBG120R234M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: S/ 20.51 3,605En existencias	N.º de artículo del Fabricante IMBG120R234M2HXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMBG120R234M2HXT	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Hoja de datos	3,605En existencias	Cinta cortada S/ 20.51 S/ 10.67 S/ 9.69 S/ 8.56 Envase tipo carrete S/ 8.52 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,000 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	8.1 A	233.9 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	7.9 nC	- 55 C	+ 175 C	80 W	Enhancement
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package IMBG120R040M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: S/ 44.41 79En existencias 1,000Se espera el 31/12/2026	N.º de artículo del Fabricante IMBG120R040M2HXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMBG120R040M2HXT	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets	Hoja de datos	79En existencias 1,000Se espera el 31/12/2026	Cinta cortada S/ 44.41 S/ 31.41 S/ 26.16 S/ 23.32 Envase tipo carrete S/ 21.80	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	52 A	39.6 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	8.1 nC	- 55 C	+ 175 C	250 W	Enhancement
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package IMBG120R078M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: S/ 31.96 227En existencias 2,000Se espera el 3/12/2026	N.º de artículo del Fabricante IMBG120R078M2HXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMBG120R078M2HXT	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets	Hoja de datos	227En existencias 2,000Se espera el 3/12/2026	Cinta cortada S/ 31.96 S/ 22.50 S/ 18.22 S/ 16.19 Envase tipo carrete S/ 14.32	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	29 A	78.1 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	20.6 nC	- 55 C	+ 175 C	158 W	Enhancement
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package IMBG120R181M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: S/ 25.15 206En existencias 4,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante IMBG120R181M2HXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMBG120R181M2HXT	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets	Hoja de datos	206En existencias 4,000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IMBG120R181M2HXTMA1 Existencias: 206 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 2,000 Se espera el 13/05/2027 2,000 Se espera el 24/06/2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada S/ 25.15 S/ 16.47 S/ 12.14 S/ 10.78 Envase tipo carrete S/ 9.54 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	14.9 A	181.4 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	9.7 nC	- 55 C	+ 175 C	94 W	Enhancement
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package IMBG120R017M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: S/ 79.10 1,999Se espera el 19/11/2026	N.º de artículo del Fabricante IMBG120R017M2HXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMBG120R017M2HXT	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets	Hoja de datos	1,999Se espera el 19/11/2026	Cinta cortada S/ 79.10 S/ 59.09 S/ 51.11 S/ 48.38 Envase tipo carrete S/ 45.19	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	107 A	17.1 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	89 nC	- 55 C	+ 175 C	470 W	Enhancement
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package IMBG120R116M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: S/ 27.79 2,000Se espera el 3/12/2026	N.º de artículo del Fabricante IMBG120R116M2HXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMBG120R116M2HXT	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets	Hoja de datos	2,000Se espera el 3/12/2026	Cinta cortada S/ 27.79 S/ 18.61 S/ 14.95 S/ 13.27 Envase tipo carrete S/ 11.76	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	21.2 A	115.7 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	14.4 nC	- 55 C	+ 175 C	123 W	Enhancement

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