Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB072N15N3 G
Infineon Technologies
1:
S/21.64
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N.º de artículo de Mouser 726-IPB072N15N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
1,460 En existencias
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1
S/21.64
10
S/14.17
100
S/10.59
500
S/9.23
1,000
S/7.75
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Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
150 V
100 A
7.2 mOhms
20 V
2 V
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- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8
BSC070N10NS5ATMA1
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21,193 En existencias
10,000 Se espera el 24/09/2026
N.º de artículo de Mouser 726-BSC070N10NS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8
21,193 En existencias
10,000 Se espera el 24/09/2026
1
S/9.03
10
S/4.36
100
S/3.89
500
S/3.09
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Ver
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S/2.44
1,000
S/3.00
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S/2.44
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Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
100 V
80 A
7 mOhms
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2.2 V
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- 55 C
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83 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 83A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB108N15N3 G
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 83A D2PAK-2 OptiMOS 3
2,086 En existencias
1
S/18.33
10
S/9.81
100
S/8.91
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S/7.75
1,000
S/7.28
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Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
150 V
83 A
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OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 50A TO220-3 OptiMOS 3
IPP200N15N3 G
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500 Se espera el 29/10/2026
N.º de artículo de Mouser 726-IPP200N15N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 50A TO220-3 OptiMOS 3
526 En existencias
500 Se espera el 29/10/2026
Embalaje alternativo
1
S/14.29
10
S/9.30
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Ver
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S/5.02
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Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
150 V
50 A
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20 V
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- 55 C
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Enhancement
OptiMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2
IPB027N10N5ATMA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser 726-IPB027N10N5ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2
62 En existencias
2,000 Se espera el 26/11/2026
1
S/22.42
10
S/11.72
100
S/10.63
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Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
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100 V
120 A
3.5 mOhms
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2.2 V
112 nC
- 55 C
+ 175 C
250 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 83A TO220-3 OptiMOS 3
IPP111N15N3 G
Infineon Technologies
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S/18.33
708 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPP111N15N3G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 83A TO220-3 OptiMOS 3
708 En existencias
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1
S/18.33
10
S/11.99
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Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
150 V
83 A
9.4 mOhms
20 V
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55 nC
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+ 175 C
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OptiMOS
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Perú