Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 178

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-CH NexFET Pwr MOSFET

CSD19536KCS
Texas Instruments
1: S/23.67
22En existencias
5,900En pedido

N.º de artículo del Fabricante
CSD19536KCS

N.º de artículo de Mouser
595-CSD19536KCS

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-CH NexFET Pwr MOSFET

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Hoja de datos

22En existencias

5,900En pedido

S/23.67

S/12.38

S/11.25

S/9.34

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

259 A

2.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

118 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

NexFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19538Q2T

CSD19538Q2
Texas Instruments
1: S/3.39
3,143En existencias
27,000Se espera el 8/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
CSD19538Q2

N.º de artículo de Mouser
595-CSD19538Q2

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19538Q2T

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Hoja de datos

3,143En existencias

27,000Se espera el 8/10/2026

Cinta cortada

S/3.39

S/1.53

S/1.35

S/1.03

Envase tipo carrete

S/0.79

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

WSON-FET-6

N-Channel

1 Channel

100 V

14.4 A

59 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

5.6 nC

- 55 C

+ 150 C

20.2 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel NexFE T Pwr MOSFET A 595- A 595-CSD85301Q2

CSD85301Q2T
Texas Instruments
1: S/7.32
326En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD85301Q2T

N.º de artículo de Mouser
595-CSD85301Q2T

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel NexFE T Pwr MOSFET A 595- A 595-CSD85301Q2

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Hoja de datos

326En existencias

Cinta cortada

S/7.32

S/3.48

S/2.71

Envase tipo carrete

S/2.71

S/2.32

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 250

SMD/SMT

WSON-FET-6

N-Channel

2 Channel

20 V

5 A

27 mOhms

- 10 V, 10 V

600 mV

5.4 nC

- 55 C

+ 150 C

2.3 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V Dual N-Channel MOSFET A 595-CSD8750 A 595-CSD87503Q3ET

CSD87503Q3E
Texas Instruments
1: S/8.41
275En existencias
5,000Se espera el 9/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
CSD87503Q3E

N.º de artículo de Mouser
595-CSD87503Q3E

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V Dual N-Channel MOSFET A 595-CSD8750 A 595-CSD87503Q3ET

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Hoja de datos

275En existencias

5,000Se espera el 9/10/2026

Cinta cortada

S/8.41

S/4.09

S/3.63

S/2.88

S/2.76

Envase tipo carrete

S/2.39

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

VSON-8

N-Channel

2 Channel

30 V

10 A

17.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

42.8 nC

- 55 C

+ 150 C

15.6 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60-V Dual N-Channel Power MOSFET A 595-C A 595-CSD88537NDT

CSD88537ND
Texas Instruments
1: S/9.30
92En existencias
15,000Se espera el 12/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
CSD88537ND

N.º de artículo de Mouser
595-CSD88537ND

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60-V Dual N-Channel Power MOSFET A 595-C A 595-CSD88537NDT

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Hoja de datos

92En existencias

15,000Se espera el 12/10/2026

Cinta cortada

S/9.30

S/4.55

S/4.09

S/3.24

S/3.15

Envase tipo carrete

S/2.76

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

60 V

16 A

15 mOhms

- 20 V, 20 V

2.6 V

14 nC

- 55 C

+ 150 C

2.1 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60-V Dual N-Channel Power MOSFET A 595-C A 595-CSD88539NDT

CSD88539ND
Texas Instruments
1: S/6.31
2,713En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD88539ND

N.º de artículo de Mouser
595-CSD88539ND

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60-V Dual N-Channel Power MOSFET A 595-C A 595-CSD88539NDT

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2,713En existencias

Cinta cortada

S/6.31

S/4.01

S/2.65

S/2.08

Envase tipo carrete

S/1.69

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

60 V

15 A

28 mOhms

- 20 V, 20 V

2.6 V

7.2 nC

- 55 C

+ 150 C

2.1 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18536KTT

CSD18536KTTT
Texas Instruments
1: S/30.13
1,200En pedido

N.º de artículo del Fabricante
CSD18536KTTT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD18536KTTT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18536KTT

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1,200En pedido

Cinta cortada

S/30.13

S/15.45

Envase tipo carrete

S/15.45

S/13.47

S/12.73

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 50

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

200 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

140 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel NexFET Pwr Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

CSD16322Q5
Texas Instruments
1: S/7.82
4,585Se espera el 23/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
CSD16322Q5

N.º de artículo de Mouser
595-CSD16322Q5

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel NexFET Pwr Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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4,585Se espera el 23/11/2026

Cinta cortada

S/7.82

S/3.76

S/3.36

S/2.66

Envase tipo carrete

S/2.19

S/2.18

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

VSON-CLIP-8

N-Channel

1 Channel

25 V

100 A

5.8 mOhms

- 8 V, 10 V

1.1 V

6.8 nC

- 55 C

+ 150 C

3.1 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch NexFET Power MO SFETs

CSD16411Q3
Texas Instruments
1: S/5.96
7,456Se espera el 17/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
CSD16411Q3

N.º de artículo de Mouser
595-CSD16411Q3

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch NexFET Power MO SFETs

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Hoja de datos

7,456Se espera el 17/12/2026

Cinta cortada

S/5.96

S/2.79

S/2.49

S/1.95

Envase tipo carrete

S/1.58

S/1.48

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

VSON-CLIP-8

N-Channel

1 Channel

25 V

100 A

10 mOhms

- 12 V, 16 V

1.7 V

2.9 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N Channel NexFET Power MOSFET

CSD17304Q3
Texas Instruments
1: S/6.11
22,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
CSD17304Q3

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17304Q3

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N Channel NexFET Power MOSFET

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22,500En pedido

Cinta cortada

S/6.11

S/2.88

S/2.56

S/2.00

Envase tipo carrete

S/1.53

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

VSON-CLIP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

56 A

7.5 mOhms

- 8 V, 8 V

900 mV

5.1 nC

- 55 C

+ 150 C

2.7 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Chnl NxFT Pwr MSFT ..

CSD18533KCS
Texas Instruments
1: S/9.77
6,962Se espera el 14/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
CSD18533KCS

N.º de artículo de Mouser
595-CSD18533KCS

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Chnl NxFT Pwr MSFT ..

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Hoja de datos

6,962Se espera el 14/09/2026

S/9.77

S/5.61

S/4.28

S/3.57

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

6.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1.9 V

28 nC

- 55 C

+ 150 C

160 W

Enhancement

NexFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Chnl NexFET Pw r MSFT CSD18533Q5 A A 595-CSD18533Q5AT

CSD18533Q5A
Texas Instruments
1: S/7.01
22,489Se espera el 26/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
CSD18533Q5A

N.º de artículo de Mouser
595-CSD18533Q5A

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Chnl NexFET Pw r MSFT CSD18533Q5 A A 595-CSD18533Q5AT

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22,489Se espera el 26/10/2026

Cinta cortada

S/7.01

S/3.33

S/2.97

S/2.34

Envase tipo carrete

S/1.92

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.9 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

3.2 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18542KTTT

CSD18542KTT
Texas Instruments
1: S/12.65
1,326En existencias
500Se espera el 18/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
CSD18542KTT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD18542KTT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18542KTTT

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Hoja de datos

1,326En existencias

500Se espera el 18/09/2026

Cinta cortada

S/12.65

S/6.31

S/5.68

Envase tipo carrete

S/4.55

S/4.16

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 500

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

200 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

44 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 3.4mOhm 80V Pow er MOSFET A 595-CSD A 595-CSD19502Q5BT

CSD19502Q5B
Texas Instruments
1: S/11.91
4,930Se espera el 30/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
CSD19502Q5B

N.º de artículo de Mouser
595-CSD19502Q5B

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 3.4mOhm 80V Pow er MOSFET A 595-CSD A 595-CSD19502Q5BT

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Hoja de datos

4,930Se espera el 30/10/2026

Cinta cortada

S/11.91

S/7.71

S/5.37

S/4.52

S/4.28

Envase tipo carrete

S/4.13

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

VSON-CLIP-8

N-Channel

1 Channel

80 V

100 A

4.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.7 V

48 nC

- 55 C

+ 150 C

3.2 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 8.7mOhm N-CH Pw r MOSFET

CSD19533KCS
Texas Instruments
1: S/10.04
3,000Se espera el 1/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
CSD19533KCS

N.º de artículo de Mouser
595-CSD19533KCS

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 8.7mOhm N-CH Pw r MOSFET

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Hoja de datos

3,000Se espera el 1/01/2027

S/10.04

S/5.53

S/4.05

S/3.43

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

100 A

10.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

NexFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19538Q3AT

CSD19538Q3A
Texas Instruments
1: S/4.36
14,990Se espera el 5/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
CSD19538Q3A

N.º de artículo de Mouser
595-CSD19538Q3A

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19538Q3AT

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Hoja de datos

14,990Se espera el 5/11/2026

Cinta cortada

S/4.36

S/2.34

S/1.76

S/1.35

Envase tipo carrete

S/0.985

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

100 V

14.4 A

61 mOhms

- 20 V, 20 V

3.2 V

4.3 nC

- 55 C

+ 150 C

2.8 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19538Q3A

CSD19538Q3AT
Texas Instruments
1: S/8.02
12,500Se espera el 15/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
CSD19538Q3AT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD19538Q3AT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19538Q3A

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Hoja de datos

12,500Se espera el 15/10/2026

Cinta cortada

S/8.02

S/3.85

S/3.00

Envase tipo carrete

S/3.00

S/2.59

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 250

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

100 V

15 A

61 mOhms

- 20 V, 20 V

3.2 V

4.3 nC

- 55 C

+ 150 C

2.8 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD17579Q5A

CSD17579Q5AT
Texas Instruments
1: S/8.29
486Se espera el 25/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
CSD17579Q5AT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17579Q5AT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD17579Q5A

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486Se espera el 25/08/2026

Cinta cortada

S/8.29

S/4.13

S/3.20

Envase tipo carrete

S/3.20

S/2.75

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 250

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

25 A

11.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

15.1 nC

- 55 C

+ 150 C

36 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18535KTT

CSD18535KTTT
Texas Instruments
1: S/23.24
400Se espera el 9/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
CSD18535KTTT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD18535KTTT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18535KTT

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Hoja de datos

400Se espera el 9/10/2026

Cinta cortada

S/23.24

S/13.82

Envase tipo carrete

S/13.82

S/11.13

S/9.61

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 50

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

200 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.9 V

81 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-CH NexFET Pwr MOSFET

CSD19505KCS
Texas Instruments
1: S/17.01
749Se espera el 31/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
CSD19505KCS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-CH NexFET Pwr MOSFET

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

80 V

100 A

3.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.6 V

76 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

NexFET

Tube

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SMD/SMT

VSON-CLIP-8

N-Channel

1 Channel

25 V

100 A

5.4 mOhms

- 16 V, 16 V

1.8 V

6.7 nC

- 55 C

+ 150 C

3.1 W

Enhancement

NexFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD16415Q5

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: 250

SMD/SMT

VSON-CLIP-8

N-Channel

1 Channel

25 V

100 A

1.5 mOhms

- 16 V, 16 V

1.2 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

NexFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD17578Q5A

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S/3.30

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: 250

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

25 A

7.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1.1 V

10.3 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD19505KTT

CSD19505KTTT
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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

200 A

3.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.6 V

76 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

NexFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Dual N ch MOSFET A 595-CSD85302L A 5 A 595-CSD85302L

CSD85302LT
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S/2.11

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: 250

SMD/SMT

PICOSTAR-4

N-Channel

2 Channel

20 V

7 A

24 mOhms

- 10 V, 10 V

680 mV

6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.7 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

3.1 A
3.5 A
4.5 A
5 A
7 A
8 A
10 A
12 A
14 A
14.4 A
15 A
16 A
17 A
20 A
22 A
25 A
27 A
32 A
35 A
40 A

590 uOhms
680 uOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.5 mOhms
1.7 mOhms
1.8 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.4 mOhms

600 mV
650 mV
680 mV
700 mV
750 mV, 1 V
750 mV, 1.1 V
800 mV
850 mV
900 mV
950 mV
1 V
1.1 V
1.15 V, 2.1 V
1.2 V
1.2 V, 2.1 V
1.3 V
1.4 V
1.5 V
1.6 V
1.6 V, 2.1 V

1.04 nC
2 nC
2.1 nC
2.2 nC
2.4 nC
2.7 nC, 6.4 nC
2.8 nC
2.9 nC
3.1 nC
3.6 nC
3.9 nC
4 nC
4.3 nC
4.8 nC, 9.6 nC
5.1 nC
5.3 nC
5.4 nC
5.6 nC
5.8 nC
5.9 nC, 17 nC

500 mW
1.5 W
1.65 W
1.7 W
1.9 W
2.1 W
2.3 W
2.5 W
2.6 W
2.7 W
2.8 W
3 W
3.1 W
3.2 W
3.3 W
6 W
8.5 W
12 W
13 W
15 W