Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

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Resultados: 178

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

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En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N Channel NexFET Power MOSFET

CSD17310Q5A
Texas Instruments
1: S/6.31
2,807En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD17310Q5A

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17310Q5A

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N Channel NexFET Power MOSFET

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Hoja de datos

2,807En existencias

Cinta cortada

S/6.31

S/2.97

S/2.65

S/2.08

Envase tipo carrete

S/1.69

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

5.1 mOhms

- 8 V, 8 V

900 mV

8.9 nC

- 55 C

+ 150 C

3.1 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH NexFET Pwr MOSF ET A 595-CSD17381F4 A 595-CSD17381F4T

CSD17381F4
Texas Instruments
1: S/1.67
577En existencias
21,000Se espera el 31/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
CSD17381F4

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17381F4

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH NexFET Pwr MOSF ET A 595-CSD17381F4 A 595-CSD17381F4T

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Hoja de datos

577En existencias

21,000Se espera el 31/08/2026

Cinta cortada

S/1.67

S/1.03

S/0.65

S/0.487

Envase tipo carrete

S/0.362

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PICOSTAR-3

N-Channel

1 Channel

30 V

3.1 A

109 mOhms

- 8 V, 8 V

650 mV

1.04 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V NChannel Hi Side NexFET Pwr MOSFET A A 595-CSD17579Q5A

CSD17507Q5A
Texas Instruments
1: S/5.41
2,793En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD17507Q5A

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17507Q5A

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V NChannel Hi Side NexFET Pwr MOSFET A A 595-CSD17579Q5A

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Hoja de datos

2,793En existencias

Cinta cortada

S/5.41

S/2.54

S/2.26

S/1.76

Envase tipo carrete

S/1.55

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

16.1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.6 V

2.8 nC

- 55 C

+ 150 C

3 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD17579Q5AT

CSD17579Q5A
Texas Instruments
1: S/4.09
4,178En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD17579Q5A

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17579Q5A

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD17579Q5AT

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Hoja de datos

4,178En existencias

Cinta cortada

S/4.09

S/1.88

S/1.66

S/1.28

Envase tipo carrete

S/1.04

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

25 A

11.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

15.1 nC

- 55 C

+ 150 C

36 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17581Q3AT

CSD17581Q3A
Texas Instruments
1: S/4.83
2,754En existencias
7,500Se espera el 25/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
CSD17581Q3A

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17581Q3A

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17581Q3AT

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Hoja de datos

2,754En existencias

7,500Se espera el 25/08/2026

Cinta cortada

S/4.83

S/2.24

S/1.98

S/1.53

Envase tipo carrete

S/1.22

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

25 A

3.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

54 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel NexFET Power MOSFET

CSD18501Q5A
Texas Instruments
1: S/12.92
164En existencias
5,000Se espera el 24/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
CSD18501Q5A

N.º de artículo de Mouser
595-CSD18501Q5A

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel NexFET Power MOSFET

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Hoja de datos

164En existencias

5,000Se espera el 24/09/2026

Cinta cortada

S/12.92

S/6.62

S/5.41

S/4.79

Envase tipo carrete

S/4.20

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

40 V

161 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.4 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V N-Ch NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD185 A 595-CSD18502Q5BT

CSD18502Q5B
Texas Instruments
1: S/14.13
119En existencias
5,000Se espera el 24/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
CSD18502Q5B

N.º de artículo de Mouser
595-CSD18502Q5B

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V N-Ch NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD185 A 595-CSD18502Q5BT

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Hoja de datos

119En existencias

5,000Se espera el 24/09/2026

Cinta cortada

S/14.13

S/9.23

S/6.46

S/5.10

S/5.02

Envase tipo carrete

S/4.71

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

VSON-CLIP-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

52 nC

- 55 C

+ 150 C

3.2 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18502Q5B

CSD18502Q5BT
Texas Instruments
1: S/16.27
317En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD18502Q5BT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD18502Q5BT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18502Q5B

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Hoja de datos

317En existencias

Cinta cortada

S/16.27

S/10.74

S/6.73

Envase tipo carrete

S/6.73

S/6.42

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 250

SMD/SMT

VSON-CLIP-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

52 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Ch NexFET Pwr MOSFET

CSD18504KCS
Texas Instruments
1: S/9.34
537En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD18504KCS

N.º de artículo de Mouser
595-CSD18504KCS

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Ch NexFET Pwr MOSFET

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Hoja de datos

537En existencias

S/9.34

S/4.79

S/4.36

S/3.48

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.9 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

93 W

Enhancement

NexFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18504Q5AT

CSD18504Q5A
Texas Instruments
1: S/7.40
305En existencias
15,000Se espera el 24/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
CSD18504Q5A

N.º de artículo de Mouser
595-CSD18504Q5A

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18504Q5AT

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Hoja de datos

305En existencias

15,000Se espera el 24/09/2026

Cinta cortada

S/7.40

S/4.63

S/3.06

S/2.43

Envase tipo carrete

S/1.97

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

40 V

50 A

6.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

16 nC

- 55 C

+ 150 C

77 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V N channel NexF ET power MOSFET si

CSD18510KCS
Texas Instruments
1: S/11.44
707En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD18510KCS

N.º de artículo de Mouser
595-CSD18510KCS

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V N channel NexF ET power MOSFET si

Obtenga más información

Hoja de datos

707En existencias

S/11.44

S/5.68

S/5.06

S/4.09

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.4 V

153 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

NexFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18510KTT

CSD18510KTTT
Texas Instruments
1: S/17.75
227En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD18510KTTT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD18510KTTT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18510KTT

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Hoja de datos

227En existencias

Cinta cortada

S/17.75

S/8.49

Envase tipo carrete

S/8.49

S/6.85

S/6.77

S/6.62

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 50

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

200 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.4 V

153 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18510Q5B

CSD18510Q5BT
Texas Instruments
1: S/17.52
355En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD18510Q5BT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD18510Q5BT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18510Q5B

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Hoja de datos

355En existencias

Cinta cortada

S/17.52

S/8.99

S/7.24

Envase tipo carrete

S/7.24

S/6.50

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 250

SMD/SMT

VSON-CLIP-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

153 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V N channel NexF ET power MOSFET si

CSD18511KCS
Texas Instruments
1: S/9.30
293En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD18511KCS

N.º de artículo de Mouser
595-CSD18511KCS

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V N channel NexF ET power MOSFET si

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Hoja de datos

293En existencias

S/9.30

S/4.52

S/4.01

S/3.20

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

40 V

194 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

64 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18512Q5B

CSD18512Q5BT
Texas Instruments
1: S/12.11
328En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD18512Q5BT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD18512Q5BT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18512Q5B

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Hoja de datos

328En existencias

Cinta cortada

S/12.11

S/6.03

S/4.79

Envase tipo carrete

S/4.79

S/4.16

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 250

SMD/SMT

VSON-CLIP-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

1.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

98 nC

- 55 C

+ 150 C

139 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18513Q5AT

CSD18513Q5A
Texas Instruments
1: S/6.34
747En existencias
2,500Se espera el 5/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
CSD18513Q5A

N.º de artículo de Mouser
595-CSD18513Q5A

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18513Q5AT

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Hoja de datos

747En existencias

2,500Se espera el 5/11/2026

Cinta cortada

S/6.34

S/3.00

S/2.61

S/2.09

Envase tipo carrete

S/1.70

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

4.1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

59 nC

- 55 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18514Q5AT

CSD18514Q5A
Texas Instruments
1: S/5.25
200En existencias
5,000Se espera el 30/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
CSD18514Q5A

N.º de artículo de Mouser
595-CSD18514Q5A

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18514Q5AT

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Hoja de datos

200En existencias

5,000Se espera el 30/11/2026

Cinta cortada

S/5.25

S/3.29

S/2.17

S/1.69

Envase tipo carrete

S/1.37

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

74 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18531Q5AT

CSD18531Q5A
Texas Instruments
1: S/9.11
111En existencias
7,500Se espera el 24/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
CSD18531Q5A

N.º de artículo de Mouser
595-CSD18531Q5A

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18531Q5AT

Obtenga más información

Hoja de datos

111En existencias

7,500Se espera el 24/09/2026

Cinta cortada

S/9.11

S/4.48

S/3.93

S/3.11

S/2.96

Envase tipo carrete

S/2.51

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

4.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60-V N-Channel NexFE T Power Mosfet A 59 A 595-CSD18532NQ5B

CSD18532NQ5BT
Texas Instruments
1: S/15.22
835En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD18532NQ5BT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD18532NQ5BT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60-V N-Channel NexFE T Power Mosfet A 59 A 595-CSD18532NQ5B

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Hoja de datos

835En existencias

Cinta cortada

S/15.22

S/9.96

S/6.19

Envase tipo carrete

S/6.19

S/5.41

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 250

SMD/SMT

VSON-CLIP-8

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

3.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.4 V

49 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18533Q5A

CSD18533Q5AT
Texas Instruments
1: S/10.00
94En existencias
750En pedido

N.º de artículo del Fabricante
CSD18533Q5AT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD18533Q5AT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18533Q5A

Obtenga más información

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94En existencias

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S/3.85

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SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

116 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18535KTTT

CSD18535KTT
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18535KTTT

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

200 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.9 V

81 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18563Q5AT

CSD18563Q5A
Texas Instruments
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CSD18563Q5A

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595-CSD18563Q5A

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18563Q5AT

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S/2.02

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SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

6.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.7 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

116 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 6.4mOhm Pwr MOS FET

CSD19531KCS
Texas Instruments
1: S/11.09
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CSD19531KCS

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595-CSD19531KCS

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S/5.49

S/4.90

S/3.93

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

200 A

7.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.7 V

38 nC

- 55 C

+ 175 C

179 W

Enhancement

NexFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-CH NexFET Pwr MOSFET

CSD19535KCS
Texas Instruments
1: S/18.26
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CSD19535KCS

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595-CSD19535KCS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-CH NexFET Pwr MOSFET

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S/18.26

S/10.35

S/8.72

S/7.24

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

187 A

3.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

78 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

NexFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel NexFE T Power MOSFET A 59 A 595-CSD19535KTT

CSD19535KTTT
Texas Instruments
1: S/25.89
19En existencias

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CSD19535KTTT

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595-CSD19535KTTT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel NexFE T Power MOSFET A 59 A 595-CSD19535KTT

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S/11.91

S/11.72

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: 50

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

200 A

3.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

75 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

3.1 A
3.5 A
4.5 A
5 A
7 A
8 A
10 A
12 A
14 A
14.4 A
15 A
16 A
17 A
20 A
22 A
25 A
27 A
32 A
35 A
40 A

590 uOhms
680 uOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.5 mOhms
1.7 mOhms
1.8 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.4 mOhms

600 mV
650 mV
680 mV
700 mV
750 mV, 1 V
750 mV, 1.1 V
800 mV
850 mV
900 mV
950 mV
1 V
1.1 V
1.15 V, 2.1 V
1.2 V
1.2 V, 2.1 V
1.3 V
1.4 V
1.5 V
1.6 V
1.6 V, 2.1 V

1.04 nC
2 nC
2.1 nC
2.2 nC
2.4 nC
2.7 nC, 6.4 nC
2.8 nC
2.9 nC
3.1 nC
3.6 nC
3.9 nC
4 nC
4.3 nC
4.8 nC, 9.6 nC
5.1 nC
5.3 nC
5.4 nC
5.6 nC
5.8 nC
5.9 nC, 17 nC

500 mW
1.5 W
1.65 W
1.7 W
1.9 W
2.1 W
2.3 W
2.5 W
2.6 W
2.7 W
2.8 W
3 W
3.1 W
3.2 W
3.3 W
6 W
8.5 W
12 W
13 W
15 W