Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 13

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET IRF740PBF-BE3 Vishay / Siliconix 1: S/10.70 4,019En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF740PBF-BE3 N.º de artículo de Mouser 78-IRF740PBF-BE3	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET	Hoja de datos	4,019En existencias	S/10.70 S/6.85 S/4.67 S/3.93 S/3.51	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,000	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	400 V	10 A	550 mOhms	20 V	4 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET IRF740APBF-BE3 Vishay / Siliconix 1: S/10.16 5,690En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF740APBF-BE3 N.º de artículo de Mouser 78-IRF740APBF-BE3	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET	Hoja de datos	5,690En existencias	S/10.16 S/6.11 S/4.59 S/4.28 S/4.13	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,000	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	400 V	10 A	550 mOhms	30 V	4 V	36 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO262 400V 10A N-CH MOSFET Vishay Semiconductors IRF740ALPBF IRF740ALPBF Vishay Semiconductors 1: S/15.69 1,689En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF740ALPBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF740ALPBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO262 400V 10A N-CH MOSFET	Hoja de datos	1,689En existencias	S/15.69 S/7.98 S/7.20 S/5.92 Ver S/5.68 S/5.64	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-262-3	N-Channel	1 Channel	400 V	10 A	550 mOhms	30 V	2 V	36 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp Vishay Semiconductors IRF740ASTRLPBF IRF740ASTRLPBF Vishay Semiconductors 1: S/13.16 2,683En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF740ASTRLPBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF740ASTRLPBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp	Hoja de datos	2,683En existencias	Cinta cortada S/13.16 S/7.98 S/5.92 S/5.61 Envase tipo carrete S/5.02 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	400 V	10 A	550 mOhms	30 V	2 V	36 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp Vishay Semiconductors IRF740STRRPBF IRF740STRRPBF Vishay Semiconductors 1: S/16.15 202En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF740STRRPBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF740STRRPBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp	Hoja de datos	202En existencias	Cinta cortada S/16.15 S/10.55 S/7.67 S/5.92 Envase tipo carrete S/5.72 Ver S/5.61 S/5.57 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	400 V	10 A	550 mOhms	20 V	2 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET IRF740LCPBF-BE3 Vishay / Siliconix 1: S/16.74 888En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF740LCPBF-BE3 N.º de artículo de Mouser 78-IRF740LCPBF-BE3	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET	Hoja de datos	888En existencias	S/16.74 S/8.52 S/7.75 S/6.34 Ver S/6.23 S/6.15	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	400 V	10 A	550 mOhms	30 V	4 V	39 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET IRF740PBF Vishay Semiconductors 1: S/10.94 4,648En existencias 8,985Se espera el 9/11/2026	N.º de artículo del Fabricante IRF740PBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF740PBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET	Hoja de datos	4,648En existencias 8,985Se espera el 9/11/2026	S/10.94 S/5.76 S/4.83 S/4.13 S/3.62	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,000	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	400 V	10 A	550 mOhms	20 V	4 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 400V 10A N-CH MOSFET Vishay Semiconductors IRF740STRLPBF IRF740STRLPBF Vishay Semiconductors 1: S/14.17 2,250En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF740STRLPBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF740STRLPBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 400V 10A N-CH MOSFET	Hoja de datos	2,250En existencias	Cinta cortada S/14.17 S/7.98 S/6.27 S/5.25 Envase tipo carrete S/4.83 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,600 : 800	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	400 V	10 A	550 mOhms	20 V	2 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET IRF740APBF Vishay Semiconductors 1: S/10.04 6,548En existencias 4,000Se espera el 9/11/2026	N.º de artículo del Fabricante IRF740APBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF740APBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET	Hoja de datos	6,548En existencias 4,000Se espera el 9/11/2026	S/10.04 S/6.23 S/4.79 S/3.88 S/3.54	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,000	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	400 V	10 A	550 mOhms	30 V	4 V	36 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp Vishay Semiconductors IRF740ASPBF IRF740ASPBF Vishay Semiconductors 1: S/13.16 5,146En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF740ASPBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF740ASPBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp	Hoja de datos	5,146En existencias	S/13.16 S/7.01 S/5.88 S/5.06 Ver S/5.02 S/4.44	Min.: 1 Mult.: 1	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	400 V	10 A	550 mOhms	30 V	2 V	36 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET IRF740LCPBF Vishay Semiconductors 1: S/16.74 1,454En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF740LCPBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF740LCPBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET	Hoja de datos	1,454En existencias	S/16.74 S/8.52 S/7.75 S/6.34 S/6.31	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,000	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	400 V	10 A	550 mOhms	30 V	4 V	39 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp Vishay Semiconductors IRF740SPBF IRF740SPBF Vishay Semiconductors 1: S/13.70 907En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF740SPBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF740SPBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp	Hoja de datos	907En existencias	S/13.70 S/7.98 S/6.27 S/5.25 S/5.10	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	400 V	10 A	550 mOhms	20 V	2 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 400V IRF740ASTRRPBF Vishay Semiconductors 1: S/13.16 Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas	N.º de artículo del Fabricante IRF740ASTRRPBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF740ASTRRPBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 400V	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas	Cinta cortada S/13.16 S/8.56 S/5.92 S/5.45 Envase tipo carrete S/5.29 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)													Reel, Cut Tape, MouseReel

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