Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 13

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET

IRF740PBF-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/10.74
4,572En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF740PBF-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-IRF740PBF-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET

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Comentarios de Producto

4,572En existencias

S/10.74

S/5.64

S/4.71

S/4.16

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

400 V

10 A

550 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp

IRF740ASPBF
Vishay Semiconductors
1: S/13.16
6,161En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF740ASPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRF740ASPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp

Hoja de datos

6,161En existencias

S/13.16

S/6.81

S/5.68

S/4.87

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

400 V

10 A

550 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET

IRF740APBF-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/10.16
5,958En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF740APBF-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-IRF740APBF-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET

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5,958En existencias

S/10.16

S/5.64

S/4.59

S/3.88

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

400 V

10 A

550 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp

IRF740STRRPBF
Vishay Semiconductors
1: S/16.15
211En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF740STRRPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRF740STRRPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp

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211En existencias

Cinta cortada

S/16.15

S/10.55

S/7.67

S/5.92

Envase tipo carrete

S/5.72

S/5.64

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

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N-Channel

1 Channel

400 V

10 A

550 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET

IRF740LCPBF-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/16.74
906En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF740LCPBF-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-IRF740LCPBF-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET

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Comentarios de Producto

906En existencias

S/16.74

S/8.37

S/7.08

S/6.19

S/6.15

Min.: 1
Mult.: 1

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

400 V

10 A

550 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

39 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO262 400V 10A N-CH MOSFET

IRF740ALPBF
Vishay Semiconductors
1: S/15.69
1,689En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF740ALPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRF740ALPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO262 400V 10A N-CH MOSFET

Hoja de datos

1,689En existencias

S/15.69

S/7.98

S/6.85

S/5.92

S/5.64

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-262-3

N-Channel

1 Channel

400 V

10 A

550 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET

IRF740LCPBF
Vishay Semiconductors
1: S/16.74
1,456En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF740LCPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRF740LCPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET

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Comentarios de Producto

1,456En existencias

S/16.74

S/8.52

S/7.75

S/6.34

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

400 V

10 A

550 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

39 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET

IRF740PBF
Vishay Semiconductors
1: S/10.67
2,515En existencias
3,850Se espera el 27/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRF740PBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRF740PBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET

Hoja de datos

Comentarios de Producto

2,515En existencias

3,850Se espera el 27/07/2026

S/10.67

S/5.49

S/4.71

S/3.97

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

400 V

10 A

550 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp

IRF740SPBF
Vishay Semiconductors
1: S/14.60
1,301En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF740SPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRF740SPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp

Hoja de datos

1,301En existencias

S/14.60

S/7.98

S/6.54

S/5.45

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

400 V

10 A

550 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 400V 10A N-CH MOSFET

IRF740STRLPBF
Vishay Semiconductors
1: S/14.13
2,259En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF740STRLPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRF740STRLPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 400V 10A N-CH MOSFET

Hoja de datos

2,259En existencias

Cinta cortada

S/14.13

S/9.19

S/6.46

S/5.25

Envase tipo carrete

S/4.83

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

400 V

10 A

550 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET

IRF740APBF
Vishay Semiconductors
1: S/10.16
8,696En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF740APBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRF740APBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET

Hoja de datos

Comentarios de Producto

8,696En existencias

S/10.16

S/5.49

S/4.36

S/3.76

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

400 V

10 A

550 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp

IRF740ASTRLPBF
Vishay Semiconductors
1: S/14.29
3,183En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF740ASTRLPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRF740ASTRLPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp

Hoja de datos

3,183En existencias

Cinta cortada

S/14.29

S/9.34

S/6.50

S/5.18

Envase tipo carrete

S/5.02

S/4.83

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

400 V

10 A

550 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 400V

IRF740ASTRRPBF
Vishay Semiconductors
800: S/5.22
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF740ASTRRPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRF740ASTRRPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 400V

Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/5.22

S/5.06

S/4.90

Min.: 800
Mult.: 800

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Reel

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