Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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600V CoolMOS™ SJ S7/S7T Power MOSFETs

Infineon Technologies 600V CoolMOS™ SJ S7/S7T Power MOSFETs offer an ideal price performance for low-frequency switching applications. The CoolMOS S7 and S7T series features a low R_DS(on) value for an HV SJ MOSFET, with an increase in energy efficiency. Infineon CoolMOS S7 and S7T MOSFETs are optimized for static-switching and high-current applications. The MOSFETs come in a TOLL or a Q-DPAK package with top-side and bottom-side variants. The CoolMOS SJ S7 MOSFETs target applications where switching losses are irrelevant. The CoolMOS SJ S7T devices integrate a temperature sensor to improve junction temperature sensing accuracy. The devices are geared toward solid-state solutions, such as solid-state circuit breakers and solid-state relay (SSR) applications.

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Resultados: 22

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

Restablecer todos

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPQC60R010S7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/99.53
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726-IPQC60R010S7XTMA

Infineon Technologies

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418En existencias

Cinta cortada

S/99.53

S/79.68

S/68.90

S/65.28

Envase tipo carrete

S/58.70

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

HDSOP-22

N-Channel

1 Channel

600 V

50 A

10 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

318 nC

- 40 C

+ 150 C

694 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPQC60R017S7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/67.30
699En existencias

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699En existencias

Cinta cortada

S/67.30

S/51.26

S/42.74

S/36.82

Envase tipo carrete

S/33.63

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

HDSOP-22

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

17 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

196 nC

- 40 C

+ 150 C

500 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDQ60R065S7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/29.31
739En existencias

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739En existencias

Cinta cortada

S/29.31

S/19.19

S/14.13

S/12.53

Envase tipo carrete

S/10.63

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

HDSOP-22

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

65 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

195 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPP60R065S7XKSA1
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1: S/26.82
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406En existencias

S/26.82

S/17.56

S/12.96

S/10.74

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

8 A

65 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

167 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CoolMOS S7T with embedded temperature sensor

IPDQ60T010S7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/100.82
728En existencias
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728En existencias

Cinta cortada

S/100.82

S/78.36

S/68.82

S/64.19

Envase tipo carrete

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Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22

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1 Channel

600 V

174 A

10 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

318 nC

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+ 150 C

694 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CoolMOS S7T with embedded temperature sensor

IPQC60T010S7XTMA1
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1: S/102.14
373En existencias
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373En existencias

Cinta cortada

S/102.14

S/81.78

S/70.73

S/66.95

Envase tipo carrete

S/63.41

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22

N-Channel

1 Channel

600 V

174 A

10 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

318 nC

- 55 C

+ 150 C

694 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

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IPT60T022S7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/51.15
2,939En existencias

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Cinta cortada

S/51.15

S/38.11

S/31.76

S/28.30

S/28.26

Envase tipo carrete

S/26.78

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

CoolMOS

Reel, Cut Tape

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IPDQ60T017S7XTMA1
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1: S/69.95
185En existencias

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185En existencias

Cinta cortada

S/69.95

S/53.29

S/44.37

S/39.55

Envase tipo carrete

S/36.98

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

CoolMOS

Reel, Cut Tape

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IPDQ60T022S7XTMA1
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1: S/57.73
604En existencias

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IPDQ60T022S7XTMA1

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726-IPDQ60T022S7XTMA

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604En existencias

Cinta cortada

S/57.73

S/43.99

S/36.67

S/32.66

Envase tipo carrete

S/30.91

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

HDSOP-22

N-Channel

1 Channel

600 V

90 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

150 nC

- 40 C

+ 150 C

416 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPQC60T017S7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/69.99
750En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPQC60T017S7XTMA1

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726-IPQC60T017S7XTMA

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750En existencias

Cinta cortada

S/69.99

S/53.33

S/44.41

S/39.59

Envase tipo carrete

S/37.48

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

HDSOP-22

N-Channel

1 Channel

600 V

113 A

17 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

196 nC

- 40 C

+ 150 C

500 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60T065S7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/28.53
2,083En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60T065S7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60T065S7XTMA1

Infineon Technologies

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Hoja de datos

2,083En existencias

Cinta cortada

S/28.53

S/18.68

S/13.78

S/12.22

S/10.86

Envase tipo carrete

S/10.86

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60T040S7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/36.90
135En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60T040S7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60T040S7XTMA1

Infineon Technologies

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135En existencias

Cinta cortada

S/36.90

S/26.00

S/21.02

S/18.68

S/17.67

Envase tipo carrete

S/16.74

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R022S7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/49.94
388En existencias
3,160En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R022S7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R022S7XKSA1

Infineon Technologies

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Hoja de datos

388En existencias

3,160En pedido

S/49.94

S/37.21

S/31.02

S/26.31

S/26.16

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

23 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

150 nC

- 55 C

+ 150 C

390 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R040S7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/38.30
985En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R040S7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R040S7XTMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

985En existencias

Cinta cortada

S/38.30

S/26.16

S/21.60

S/19.23

Envase tipo carrete

S/17.98

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

600 V

13 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

83 nC

- 55 C

+ 150 C

245 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R065S7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/26.20
969En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R065S7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R065S7XTMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

969En existencias

Cinta cortada

S/26.20

S/17.17

S/12.65

S/11.25

S/10.94

Envase tipo carrete

S/10.04

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

600 V

8 A

65 mOhms

- 12 V, 12 V

3.5 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

167 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDQ60R040S7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/35.97
625En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ60R040S7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-PDQ60R040S7XTMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

625En existencias

Cinta cortada

S/35.97

S/25.81

S/21.72

S/19.07

Envase tipo carrete

S/17.32

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

600 V

14 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

83 nC

- 55 C

+ 150 C

272 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDQ60R017S7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/67.30
230En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ60R017S7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ60R017S7XTMA

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Hoja de datos

230En existencias

Cinta cortada

S/67.30

S/51.26

S/42.74

S/38.07

Envase tipo carrete

S/36.04

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

HDSOP-22

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

17 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

196 nC

- 40 C

+ 150 C

500 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDQ60R010S7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/112.57
5En existencias
750Se espera el 20/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ60R010S7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ60R010S7XTMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

5En existencias

750Se espera el 20/08/2026

Cinta cortada

S/112.57

S/90.11

S/77.93

S/69.87

Envase tipo carrete

S/69.87

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

600 V

50 A

10 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

318 nC

- 55 C

+ 150 C

694 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDQ60R022S7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/55.08
67En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ60R022S7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ60R022S7XTMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

67En existencias

Cinta cortada

S/55.08

S/41.92

S/34.95

S/31.14

Envase tipo carrete

S/29.12

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

HDSOP-22

N-Channel

1 Channel

600 V

24 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

150 nC

- 55 C

+ 150 C

416 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R022S7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/54.30
20En existencias
14,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R022S7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R022S7XTMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

20En existencias

14,000En pedido

Cinta cortada

S/54.30

S/41.34

S/34.45

S/30.71

S/29.04

Envase tipo carrete

S/29.04

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

600 V

23 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

150 nC

- 55 C

+ 150 C

390 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPQC60R040S7XTMA1
Infineon Technologies
750: S/18.22
Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPQC60R040S7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPQC60R040S7XTMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas

Envase tipo carrete

S/18.22

Min.: 750
Mult.: 750

: 750

SMD/SMT

HDSOP-22

N-Channel

1 Channel

600 V

14 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

83 nC

- 40 C

+ 150 C

272 W

Enhancement

CoolMOS

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPQC60T022S7XTMA1
Infineon Technologies
750: S/30.91
Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPQC60T022S7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPQC60T022S7XTMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas

Envase tipo carrete

S/30.91

Min.: 750
Mult.: 750

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22

N-Channel

1 Channel

600 V

371 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

150 nC

- 55 C

+ 150 C

416 W

Enhancement

CoolMOS

Reel

600V CoolMOS™ SJ S7/S7T Power MOSFETs

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