Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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600V CoolMOS™ SJ S7/S7T Power MOSFETs

Infineon Technologies 600V CoolMOS™ SJ S7/S7T Power MOSFETs offer an ideal price performance for low-frequency switching applications. The CoolMOS S7 and S7T series features a low R_DS(on) value for an HV SJ MOSFET, with an increase in energy efficiency. Infineon CoolMOS S7 and S7T MOSFETs are optimized for static-switching and high-current applications. The MOSFETs come in a TOLL or a Q-DPAK package with top-side and bottom-side variants. The CoolMOS SJ S7 MOSFETs target applications where switching losses are irrelevant. The CoolMOS SJ S7T devices integrate a temperature sensor to improve junction temperature sensing accuracy. The devices are geared toward solid-state solutions, such as solid-state circuit breakers and solid-state relay (SSR) applications.

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Resultados: 22

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPQC60R010S7XTMA1 Infineon Technologies 1: S/90.07 418En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPQC60R010S7XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPQC60R010S7XTMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj s7 s7t mosfets	Hoja de datos	418En existencias	Cinta cortada S/90.07 S/65.24 S/64.03 S/61.77 Envase tipo carrete S/61.77	Min.: 1 Mult.: 1 : 750	Si	SMD/SMT	HDSOP-22	N-Channel	1 Channel	600 V	50 A	10 mOhms	20 V	4.5 V	318 nC	- 40 C	+ 150 C	694 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPQC60R017S7XTMA1 Infineon Technologies 1: S/67.30 699En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPQC60R017S7XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPQC60R017S7XTMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj s7 s7t mosfets	Hoja de datos	699En existencias	Cinta cortada S/67.30 S/50.64 S/44.53 S/36.04 Envase tipo carrete S/36.04	Min.: 1 Mult.: 1 : 750	Si	SMD/SMT	HDSOP-22	N-Channel	1 Channel	600 V	30 A	17 mOhms	20 V	4.5 V	196 nC	- 40 C	+ 150 C	500 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPDQ60R040S7XTMA1 Infineon Technologies 1: S/37.84 625En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPDQ60R040S7XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-PDQ60R040S7XTMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj s7 s7t mosfets	Hoja de datos	625En existencias	Cinta cortada S/37.84 S/20.98 S/19.54 S/18.45 Envase tipo carrete S/18.45 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 750	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	600 V	14 A	40 mOhms	20 V	4.5 V	83 nC	- 55 C	+ 150 C	272 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPDQ60R065S7XTMA1 Infineon Technologies 1: S/26.27 739En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPDQ60R065S7XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-PDQ60R065S7XTMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj s7 s7t mosfets	Hoja de datos	739En existencias	Cinta cortada S/26.27 S/13.94 S/12.77 S/11.13 Envase tipo carrete S/11.13 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 750	Si	SMD/SMT	HDSOP-22	N-Channel	1 Channel	600 V	9 A	65 mOhms	20 V	3.5 V	51 nC	- 55 C	+ 150 C	195 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPT60R065S7XTMA1 Infineon Technologies 1: S/24.95 969En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPT60R065S7XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT60R065S7XTMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj s7 s7t mosfets	Hoja de datos	969En existencias	Cinta cortada S/24.95 S/14.83 S/11.79 S/10.86 S/10.04 Envase tipo carrete S/10.04	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	HSOF-8	N-Channel	1 Channel	600 V	8 A	65 mOhms	12 V	3.5 V	51 nC	- 55 C	+ 150 C	167 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPP60R065S7XKSA1 Infineon Technologies 1: S/25.26 406En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP60R065S7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP60R065S7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj s7 s7t mosfets	Hoja de datos	406En existencias	S/25.26 S/13.39 S/12.22 S/10.28	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	8 A	65 mOhms	20 V	3.5 V	51 nC	- 55 C	+ 150 C	167 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CoolMOS S7T with embedded temperature sensor IPDQ60T010S7XTMA1 Infineon Technologies 1: S/98.87 718En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IPDQ60T010S7XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPDQ60T010S7XTMA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CoolMOS S7T with embedded temperature sensor Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj s7 s7t mosfets	Hoja de datos	718En existencias	Cinta cortada S/98.87 S/66.95 S/63.41 Envase tipo carrete S/63.41	Min.: 1 Mult.: 1 : 750	Si	SMD/SMT	PG-HDSOP-22	N-Channel	1 Channel	600 V	174 A	10 mOhms	20 V	4 V	318 nC	- 55 C	+ 150 C	694 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CoolMOS S7T with embedded temperature sensor IPQC60T010S7XTMA1 Infineon Technologies 1: S/98.87 373En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IPQC60T010S7XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPQC60T010S7XTMA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CoolMOS S7T with embedded temperature sensor Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj s7 s7t mosfets	Hoja de datos	373En existencias	Cinta cortada S/98.87 S/66.95 S/63.41 Envase tipo carrete S/63.41	Min.: 1 Mult.: 1 : 750	Si	SMD/SMT	PG-HDSOP-22	N-Channel	1 Channel	600 V	174 A	10 mOhms	20 V	4 V	318 nC	- 55 C	+ 150 C	694 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPT60T022S7XTMA1 Infineon Technologies 1: S/48.54 2,929En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPT60T022S7XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT60T022S7XTMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj s7 s7t mosfets	Hoja de datos	2,929En existencias	Cinta cortada S/48.54 S/28.65 S/28.30 S/26.78 Envase tipo carrete S/26.78	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si															CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPDQ60T017S7XTMA1 Infineon Technologies 1: S/65.55 185En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPDQ60T017S7XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPDQ60T017S7XTMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj s7 s7t mosfets	Hoja de datos	185En existencias	Cinta cortada S/65.55 S/39.59 S/37.48 Envase tipo carrete S/37.48	Min.: 1 Mult.: 1 : 750	Si															CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPDQ60T022S7XTMA1 Infineon Technologies 1: S/56.52 594En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPDQ60T022S7XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPDQ60T022S7XTMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj s7 s7t mosfets	Hoja de datos	594En existencias	Cinta cortada S/56.52 S/32.66 S/32.04 Envase tipo carrete S/30.91	Min.: 1 Mult.: 1 : 750	Si	SMD/SMT	HDSOP-22	N-Channel	1 Channel	600 V	90 A	22 mOhms	20 V	4.5 V	150 nC	- 40 C	+ 150 C	416 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPQC60T017S7XTMA1 Infineon Technologies 1: S/65.55 750En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPQC60T017S7XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPQC60T017S7XTMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj s7 s7t mosfets	Hoja de datos	750En existencias	Cinta cortada S/65.55 S/39.59 S/38.81 Envase tipo carrete S/37.48	Min.: 1 Mult.: 1 : 750	Si	SMD/SMT	HDSOP-22	N-Channel	1 Channel	600 V	113 A	17 mOhms	20 V	4.5 V	196 nC	- 40 C	+ 150 C	500 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPT60T065S7XTMA1 Infineon Technologies 1: S/24.91 2,083En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPT60T065S7XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT60T065S7XTMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj s7 s7t mosfets	Hoja de datos	2,083En existencias	Cinta cortada S/24.91 S/13.66 S/12.49 S/11.60 S/11.21 Envase tipo carrete S/10.98	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si															CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPT60T040S7XTMA1 Infineon Technologies 1: S/37.17 135En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPT60T040S7XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT60T040S7XTMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj s7 s7t mosfets	Hoja de datos	135En existencias	Cinta cortada S/37.17 S/20.51 S/18.84 S/17.71 S/16.74 Envase tipo carrete S/16.74	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si															CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPP60R022S7XKSA1 Infineon Technologies 1: S/49.71 552En existencias 2,500En pedido	N.º de artículo del Fabricante IPP60R022S7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP60R022S7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj s7 s7t mosfets	Hoja de datos	552En existencias 2,500En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IPP60R022S7XKSA1 Existencias: 552 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 1,500 Se espera el 3/06/2027 1,000 A determinar Plazo de entrega de fábrica: 53 Semanas	S/49.71 S/28.06 S/26.16	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	23 A	22 mOhms	20 V	4.5 V	150 nC	- 55 C	+ 150 C	390 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPT60R040S7XTMA1 Infineon Technologies 1: S/37.68 985En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPT60R040S7XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT60R040S7XTMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj s7 s7t mosfets	Hoja de datos	985En existencias	Cinta cortada S/37.68 S/20.75 S/19.23 S/18.65 Envase tipo carrete S/17.98 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	HSOF-8	N-Channel	1 Channel	600 V	13 A	40 mOhms	20 V	4.5 V	83 nC	- 55 C	+ 150 C	245 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPDQ60R017S7XTMA1 Infineon Technologies 1: S/63.60 200En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPDQ60R017S7XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPDQ60R017S7XTMA NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW	Hoja de datos	200En existencias	Cinta cortada S/63.60 S/38.07 S/36.04 Envase tipo carrete S/36.04	Min.: 1 Mult.: 1 : 750	Si	SMD/SMT	HDSOP-22	N-Channel	1 Channel	600 V	30 A	17 mOhms	20 V	4.5 V	196 nC	- 40 C	+ 150 C	500 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPDQ60R010S7XTMA1 Infineon Technologies 1: S/112.80 9En existencias 750Se espera el 15/10/2026	N.º de artículo del Fabricante IPDQ60R010S7XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPDQ60R010S7XTMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj s7 s7t mosfets	Hoja de datos	9En existencias 750Se espera el 15/10/2026	Cinta cortada S/112.80 S/78.24 S/73.80 S/69.87 Envase tipo carrete S/69.87 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 750	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	600 V	50 A	10 mOhms	20 V	4.5 V	318 nC	- 55 C	+ 150 C	694 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPDQ60R022S7XTMA1 Infineon Technologies 1: S/56.29 57En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPDQ60R022S7XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPDQ60R022S7XTMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj s7 s7t mosfets	Hoja de datos	57En existencias	Cinta cortada S/56.29 S/33.05 S/29.51 Envase tipo carrete S/29.51 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 750	Si	SMD/SMT	HDSOP-22	N-Channel	1 Channel	600 V	24 A	22 mOhms	20 V	3.5 V	150 nC	- 55 C	+ 150 C	416 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPT60R022S7XTMA1 Infineon Technologies 1: S/54.88 13,942En pedido	N.º de artículo del Fabricante IPT60R022S7XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT60R022S7XTMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj s7 s7t mosfets	Hoja de datos	13,942En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IPT60R022S7XTMA1 Existencias: 0 En pedido: 1,942 Se espera el 15/10/2026 6,000 Se espera el 28/01/2027 6,000 Se espera el 18/03/2027 Plazo de entrega de fábrica: 53 Semanas	Cinta cortada S/54.88 S/32.54 S/31.92 S/30.71 S/29.78 Envase tipo carrete S/28.69 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	HSOF-8	N-Channel	1 Channel	600 V	23 A	22 mOhms	20 V	4.5 V	150 nC	- 55 C	+ 150 C	390 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPQC60R040S7XTMA1 Infineon Technologies 750: S/18.45 Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas	N.º de artículo del Fabricante IPQC60R040S7XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPQC60R040S7XTMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj s7 s7t mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas	Envase tipo carrete S/18.45	Min.: 750 Mult.: 750 : 750	Si	SMD/SMT	HDSOP-22	N-Channel	1 Channel	600 V	14 A	40 mOhms	20 V	4.5 V	83 nC	- 40 C	+ 150 C	272 W	Enhancement	CoolMOS	Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPQC60T022S7XTMA1 Infineon Technologies 750: S/30.52 Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas	N.º de artículo del Fabricante IPQC60T022S7XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPQC60T022S7XTMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj s7 s7t mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas	Envase tipo carrete S/30.52	Min.: 750 Mult.: 750 : 750	Si	SMD/SMT	PG-HDSOP-22	N-Channel	1 Channel	600 V	371 A	22 mOhms	20 V	4.5 V	150 nC	- 55 C	+ 150 C	416 W	Enhancement	CoolMOS	Reel

600V CoolMOS™ SJ S7/S7T Power MOSFETs

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