Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -26.0 Amps -200V 0.170 Rds
IXTA26P20P
IXYS
1:
S/37.87
1,016 En existencias
1,200 Se espera el 9/03/2027
N.º de artículo de Mouser
747-IXTA26P20P
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -26.0 Amps -200V 0.170 Rds
1,016 En existencias
1,200 Se espera el 9/03/2027
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1
S/37.87
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S/21.02
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S/19.35
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -44 Amps -150V 0.065 Rds
IXTA44P15T
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1,404 En existencias
2,250 Se espera el 23/11/2026
N.º de artículo de Mouser
747-IXTA44P15T
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -44 Amps -150V 0.065 Rds
1,404 En existencias
2,250 Se espera el 23/11/2026
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S/35.62
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -52.0 Amps -100V 0.050 Rds
IXTA52P10P
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -52.0 Amps -100V 0.050 Rds
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -76 Amps -100V 0.024 Rds
IXTA76P10T
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -76 Amps -100V 0.024 Rds
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S/17.91
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -96 Amps -85V 0.013 Rds
IXTA96P085T
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2,382 En existencias
N.º de artículo de Mouser
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -96 Amps -85V 0.013 Rds
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S/33.51
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S/19.50
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S/17.48
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -10 Amps -600V 1 Rds
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IXTH10P60
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300 Se espera el 26/04/2027
N.º de artículo de Mouser
747-IXTH10P60
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -10 Amps -600V 1 Rds
467 En existencias
300 Se espera el 26/04/2027
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S/63.60
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S/36.12
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S/34.33
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -11 Amps -500V 0.75 Rds
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IXTH11P50
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747-IXTH11P50
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -11 Amps -500V 0.75 Rds
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -120 Amps -65V 0.01 Rds
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IXTH120P065T
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747-IXTH120P065T
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -120 Amps -65V 0.01 Rds
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -140 Amps -50V 0.008 Rds
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IXTH140P05T
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523 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-IXTH140P05T
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -140 Amps -50V 0.008 Rds
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S/50.99
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S/36.08
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S/30.79
510
S/27.29
1,020
S/26.39
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -16.0 Amps -600V 0.720 Rds
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IXTH16P60P
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453 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -16.0 Amps -600V 0.720 Rds
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -24 Amps -200V 0.15 Rds
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IXTH24P20
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285 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -24 Amps -200V 0.15 Rds
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -50 Amps -100V 0.055 Rds
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IXTH50P10
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1:
S/51.38
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360 Se espera el 19/10/2026
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747-IXTH50P10
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -50 Amps -100V 0.055 Rds
280 En existencias
360 Se espera el 19/10/2026
1
S/51.38
10
S/33.86
120
S/30.44
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -52.0 Amps -100V 0.050 Rds
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IXTH52P10P
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S/22.03
257 En existencias
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747-IXTH52P10P
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TrenchP Power MOSFET
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IXTH68P20T
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S/88.83
231 En existencias
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747-IXTH68P20T
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TrenchP Power MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -76 Amps -100V 0.024 Rds
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IXTH76P10T
IXYS
1:
S/21.06
727 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-IXTH76P10T
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -90.0 Amps -100V 25 mOhms
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IXTH90P10P
IXYS
1:
S/34.29
719 En existencias
1,110 Se espera el 20/10/2026
N.º de artículo de Mouser
747-IXTH90P10P
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -90.0 Amps -100V 25 mOhms
719 En existencias
1,110 Se espera el 20/10/2026
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -96 Amps -85V 0.013 Rds
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IXTH96P085T
IXYS
1:
S/21.06
518 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-IXTH96P085T
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -96 Amps -85V 0.013 Rds
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TrenchP Power MOSFET
IXTK120P20T
IXYS
1:
S/142.74
305 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-IXTK120P20T
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TrenchP Power MOSFET
305 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -170.0 Amps -100V 0.012 Rds
IXTK170P10P
IXYS
1:
S/103.85
627 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-IXTK170P10P
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -170.0 Amps -100V 0.012 Rds
627 En existencias
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Módulos MOSFET -170.0 Amps -100V 0.012 Rds
IXTN170P10P
IXYS
1:
S/163.60
195 En existencias
300 Se espera el 31/08/2026
N.º de artículo de Mouser
747-IXTN170P10P
IXYS
Módulos MOSFET -170.0 Amps -100V 0.012 Rds
195 En existencias
300 Se espera el 31/08/2026
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Módulos MOSFET TrenchP Channel Power MOSFETs
IXTN210P10T
IXYS
1:
S/226.78
133 En existencias
300 Se espera el 18/01/2027
N.º de artículo de Mouser
747-IXTN210P10T
IXYS
Módulos MOSFET TrenchP Channel Power MOSFETs
133 En existencias
300 Se espera el 18/01/2027
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Módulos MOSFET -40.0 Amps -500V 0.230 Rds
IXTN40P50P
IXYS
1:
S/165.90
190 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-IXTN40P50P
IXYS
Módulos MOSFET -40.0 Amps -500V 0.230 Rds
190 En existencias
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Módulos MOSFET -90.0 Amps -200V 0.044 Rds
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IXTN90P20P
IXYS
1:
S/170.37
306 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-IXTN90P20P
IXYS
Módulos MOSFET -90.0 Amps -200V 0.044 Rds
306 En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -120 Amps -65V 0.01 Rds
IXTP120P065T
IXYS
1:
S/36.20
1,476 En existencias
1,150 Se espera el 28/10/2026
N.º de artículo de Mouser
747-IXTP120P065T
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -120 Amps -65V 0.01 Rds
1,476 En existencias
1,150 Se espera el 28/10/2026
1
S/36.20
10
S/22.81
100
S/20.59
500
S/18.14
1,000
Ver
1,000
S/17.75
2,500
S/16.43
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -140 Amps -50V 0.008 Rds
IXTP140P05T
IXYS
1:
S/41.96
433 En existencias
1,700 En pedido
N.º de artículo de Mouser
747-IXTP140P05T
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -140 Amps -50V 0.008 Rds
433 En existencias
1,700 En pedido
Ver fechas
Existencias:
433 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
350 Se espera el 2/11/2026
550 Se espera el 4/11/2026
800 Se espera el 26/05/2027
Plazo de entrega de fábrica:
33 Semanas
1
S/41.96
10
S/24.06
100
S/20.90
500
S/20.28
1,000
S/20.05
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles