Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPP60R022S7XKSA1
Infineon Technologies
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Si
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TO-220-3
N-Channel
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23 A
22 mOhms
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4.5 V
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- 55 C
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390 W
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CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPT60R040S7XTMA1
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S/37.68
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S/18.18
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S/18.18
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Si
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HSOF-8
N-Channel
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Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
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IPT60R065S7XTMA1
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S/26.20
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S/17.17
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S/12.65
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1,000
S/10.04
2,000
S/10.04
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Detalles
Si
SMD/SMT
HSOF-8
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1 Channel
600 V
8 A
65 mOhms
- 12 V, 12 V
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167 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape
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IPT60R022S7XTMA1
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6,000 Se espera el 22/04/2027
6,000 Se espera el 6/05/2027
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52 Semanas
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S/41.34
100
S/34.45
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S/29.04
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600 V
23 A
22 mOhms
- 20 V, 20 V
4.5 V
150 nC
- 55 C
+ 150 C
390 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
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