Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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OptiMOS™ 6 200V Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 200V Power MOSFETs are N-channel normal level MOSFETs available in PG-TO263-3, PG-TO220-3, and PG-HDSOP-16 packages. These MOSFETs feature excellent gate charge x R_DS(on) product (FOM), very low reverse recovery charge (Q_rr), and low on‑resistance R_DS(on). The OptiMOS™ 6 200V MOSFETs operate at 175°C temperature. These MOSFETs are halogen‑free according to IEC61249‑2‑21 and Moisture Sensitivity Level (MSL 1) classified according to J‑STD-020 standards. The OptiMOS™ 6 200V MOSFETs are ideal for renewables, motor control, audio amplifiers, and industrial applications.

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Resultados: 17

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V IPB095N20NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: S/26.27 1,441En existencias 4,000En pedido Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IPB095N20NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB095N20NM6ATMA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 200v mosfets	Hoja de datos	1,441En existencias 4,000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IPB095N20NM6ATMA1 Existencias: 1,441 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 2,000 Se espera el 8/10/2026 2,000 Se espera el 18/11/2026 Plazo de entrega de fábrica: 53 Semanas	Cinta cortada S/26.27 S/15.30 S/12.69 S/11.29 Envase tipo carrete S/10.12 S/10.08	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	PG-TO263-3	N-Channel	1 Channel	200 V	116 A	8.7 mOhms	20 V	4.5 V	53 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V IPB175N20NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: S/16.82 1,966En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IPB175N20NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB175N20NM6ATMA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 200v mosfets	Hoja de datos	1,966En existencias	Cinta cortada S/16.82 S/8.60 S/7.79 S/6.54 Envase tipo carrete S/6.19	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	TO-263-3	N-Channel	1 Channel	200 V	61 A	15.5 mOhms	20 V	4.5 V	31 nC	- 55 C	+ 175 C	203 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V IPP130N20NM6AKSA1 Infineon Technologies 1: S/19.54 835En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IPP130N20NM6AKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP130N20NM6AKSA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 200v mosfets	Hoja de datos	835En existencias	S/19.54 S/10.12 S/9.19 S/7.55	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole		N-Channel	1 Channel	200 V	87 A	12 mOhms	20 V	4.5 V	37 nC	- 55 C	+ 175 C	234 W	Enhancement	OptiMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V ISC300N20NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: S/12.38 7,677En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante ISC300N20NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC300N20NM6ATMA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 200v mosfets	Hoja de datos	7,677En existencias	Cinta cortada S/12.38 S/6.15 S/5.57 S/4.52 Ver Envase tipo carrete S/4.05 S/4.32 S/4.05 S/4.05	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	SON-8	N-Channel	1 Channel	200 V	44 A	30 mOhms	20 V	4.5 V	17 nC	- 55 C	+ 175 C	136 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V IPB068N20NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: S/29.43 5,201En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB068N20NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB068N20NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 200v mosfets	Hoja de datos	5,201En existencias	Cinta cortada S/29.43 S/17.24 S/15.84 S/15.41 Envase tipo carrete S/14.56 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,000 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3	N-Channel	1 Channel	200 V	134 A	6.3 mOhms	20 V	3.7 V	73 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V IPP069N20NM6AKSA1 Infineon Technologies 1: S/29.35 6,441En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP069N20NM6AKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP069N20NM6AKSA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 200v mosfets	Hoja de datos	6,441En existencias	S/29.35 S/15.76 S/14.44 S/13.04	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,000	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	200 V	136 A	6.9 mOhms	20 V	3.7 V	73 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V IPP175N20NM6AKSA1 Infineon Technologies 1: S/15.92 322En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IPP175N20NM6AKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP175N20NM6AKSA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 200v mosfets	Hoja de datos	322En existencias	S/15.92 S/8.10 S/7.28 S/5.96 Ver S/5.84 S/5.72	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	200 V	61 A	15.5 mOhms	20 V	4.5 V	31 nC	- 55 C	+ 175 C	203 W	Enhancement	OptiMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V IPTC068N20NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: S/32.62 38En existencias 3,600En pedido Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IPTC068N20NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPTC068N20NM6ATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 200v mosfets	Hoja de datos	38En existencias 3,600En pedido	Cinta cortada S/32.62 S/17.67 S/16.23 S/15.88 S/15.03 Envase tipo carrete S/15.03 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,800	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	200 V	140 A	6.8 mOhms	20 V	4.5 V	71 nC	- 55 C	+ 175 C	319 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V IPB339N20NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: S/14.09 8,468En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB339N20NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB339N20NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 200v mosfets	Hoja de datos	8,468En existencias	Cinta cortada S/14.09 S/7.08 S/6.42 S/5.22 Envase tipo carrete S/4.87	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,000 : 1,000	Si	SMD/SMT	TO-263-3	N-Channel	1 Channel	200 V	39 A	33.9 mOhms	20 V	4.5 V	15.9 nC	- 55 C	+ 175 C	125 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V IPF067N20NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: S/32.19 1,001En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPF067N20NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPF067N20NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 200v mosfets	Hoja de datos	1,001En existencias	Cinta cortada S/32.19 S/17.44 S/16.04 S/15.65 Envase tipo carrete S/15.65 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 600 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-7	N-Channel	1 Channel	200 V	138 A	6.2 mOhms	20 V	3.7 V	72 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V IPF129N20NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: S/23.16 934En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPF129N20NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPF129N20NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 200v mosfets	Hoja de datos	934En existencias	Cinta cortada S/23.16 S/12.18 S/11.09 S/10.08 Envase tipo carrete S/9.50	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	TO-263-7	N-Channel	1 Channel	200 V	87 A	12.9 mOhms	20 V	4.5 V	37 nC	- 55 C	+ 175 C	234 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V IPP339N20NM6AKSA1 Infineon Technologies 1: S/12.92 2,299En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP339N20NM6AKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP339N20NM6AKSA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 200v mosfets	Hoja de datos	2,299En existencias	S/12.92 S/6.46 S/5.84 S/4.67 Ver S/4.63 S/4.52 S/4.36	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	200 V	39 A	33.9 mOhms	20 V	4.5 V	15.9 nC	- 55 C	+ 175 C	125 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V IPT129N20NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: S/23.47 1,311En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPT129N20NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT129N20NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 200v mosfets	Hoja de datos	1,311En existencias	Cinta cortada S/23.47 S/12.34 S/11.29 S/10.28 S/9.89 Envase tipo carrete S/9.69	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	HSOF-8	N-Channel	1 Channel	200 V	87 A	12.9 mOhms	20 V	3.7 V	37 nC	- 55 C	+ 175 C	234 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V ISC130N20NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: S/21.18 2,423En existencias	N.º de artículo del Fabricante ISC130N20NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC130N20NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 200v mosfets	Hoja de datos	2,423En existencias	Cinta cortada S/21.18 S/12.18 S/11.13 S/10.12 Envase tipo carrete S/10.12	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 500 : 5,000	Si	SMD/SMT	TSON-8-3	N-Channel	1 Channel	200 V	88 A	13 mOhms	20 V	4.5 V	39 nC	- 55 C	+ 175 C	242 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V ISZ520N20NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: S/8.25 6,706En existencias	N.º de artículo del Fabricante ISZ520N20NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISZ520N20NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 200v mosfets	Hoja de datos	6,706En existencias	Cinta cortada S/8.25 S/4.28 S/3.70 S/3.04 Ver Envase tipo carrete S/2.55 S/2.93 S/2.66 S/2.55	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	200 V	26 A	52 mOhms	20 V	3.7 V	9.9 nC	- 55 C	+ 175 C	88 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V ISC151N20NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: S/20.24 9,880Se espera el 28/01/2027	N.º de artículo del Fabricante ISC151N20NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC151N20NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 200v mosfets	Hoja de datos	9,880Se espera el 28/01/2027	Cinta cortada S/20.24 S/10.51 S/9.58 S/8.41 Envase tipo carrete S/6.85 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	200 V	74 A	15.1 mOhms	20 V	3.7 V	31 nC	- 55 C	+ 175 C	200 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V IPP095N20NM6AKSA1 Infineon Technologies 1: S/22.97 4,489Se espera el 9/10/2026 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IPP095N20NM6AKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP095N20NM6AKSA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 200v mosfets	Hoja de datos	4,489Se espera el 9/10/2026	S/22.97 S/12.07 S/11.02 S/9.42	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	PG-TO220-3	N-Channel	1 Channel	200 V	116 A	8.7 mOhms	20 V	4.5 V	53 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	OptiMOS	Tube

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