Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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BUK9Q N-Channel Trench MOSFET

Nexperia BXK9Q29-60A N-Channel Trench MOSFET is an enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT8002-3 (MLPAK33) SMD plastic package using Trench MOSFET technology. This N-channel MOSFET is logic-level compatible, fast switching, and fully automotive qualified to AEC-Q101 at 175°C. The BXK9Q29-60A trench MOSFET features a 60V maximum drain-source voltage, 84A maximum peak drain current, and 27W maximum total power dissipation. This N-channel MOSFET also features a 23.7mΩ typical drain-source on-state resistance, 25mJ maximum non-repetitive drain-source avalanche energy, and 15.8A maximum non-repetitive avalanche current. The BXK9Q29-60A trench MOSFET is EU/CN RoHS-compliant. Typical applications include LED lighting, switching circuits, and DC-DC conversion.

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Id - Corriente de drenaje continua

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Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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SMD/SMT

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N-Channel

1 Channel

40 V

62 A

7 mOhms

20 V

2.05 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

53 W

Enhancement

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SMD/SMT

MLPAK33-8

N-Channel

1 Channel

60 V

21 A

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20 V

2.1 V

12 nC

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27 W

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N-Channel

1 Channel

40 V

91 A

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2.15 V

36 nC

- 55 C

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