Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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CoolMOS™ Superjunction MOSFETs

Infineon CoolMOS™ Power Transistors provide all the benefits of a fast-switching SJ MOSFET. Combined with the generation CoolMOS 7, Infineon continues to set price, performance, and quality benchmarks.

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Resultados: 175

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Calificación	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPN80R2K4P7ATMA1 Infineon Technologies 1: S/5.02 663En existencias 6,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante IPN80R2K4P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPN80R2K4P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	663En existencias 6,000En pedido	Cinta cortada S/5.02 S/2.35 S/2.08 S/1.62 Envase tipo carrete S/1.28 Ver S/1.58 S/1.18	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-223-3	N-Channel	1 Channel	800 V	2.5 A	2 Ohms	30 V	3.5 V	7.5 nC	- 55 C	+ 150 C	500 mW	Enhancement		CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPN80R4K5P7ATMA1 Infineon Technologies 1: S/4.32 2,750En existencias 24,000Se espera el 10/12/2026	N.º de artículo del Fabricante IPN80R4K5P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPN80R4K5P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	2,750En existencias 24,000Se espera el 10/12/2026	Cinta cortada S/4.32 S/1.99 S/1.76 S/1.36 Envase tipo carrete S/1.06 Ver S/1.32 S/1.01 S/0.95 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-223-3	N-Channel	1 Channel	800 V	1.5 A	3.8 Ohms	20 V	2.5 V	4 nC	- 55 C	+ 150 C	6 W	Enhancement		CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPN95R3K7P7ATMA1 Infineon Technologies 1: S/6.07 563En existencias 63,000Se espera el 7/01/2027	N.º de artículo del Fabricante IPN95R3K7P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPN95R3K7P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	563En existencias 63,000Se espera el 7/01/2027	Cinta cortada S/6.07 S/3.35 S/2.48 S/1.94 S/1.78 Envase tipo carrete S/1.35 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-223-3	N-Channel	1 Channel	950 V	2 A	3.7 Ohms	20 V	2.5 V	6 nC	- 55 C	+ 150 C	6 W	Enhancement		CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPP60R170CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: S/14.52 748En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP60R170CFD7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP60R170CFD7XKS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon cfd7 mosfets	Hoja de datos	748En existencias	S/14.52 S/7.32 S/6.62 S/5.37 S/5.22	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	14 A	144 mOhms	20 V	3.5 V	28 nC	- 55 C	+ 150 C	75 W	Enhancement		CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPP60R180P7XKSA1 Infineon Technologies 1: S/13.78 130En existencias 6,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante IPP60R180P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP60R180P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	130En existencias 6,000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IPP60R180P7XKSA1 Existencias: 130 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 1,000 Se espera el 15/04/2027 1,500 Se espera el 3/06/2027 3,500 A determinar Plazo de entrega de fábrica: 51 Semanas	S/13.78 S/7.86 S/6.23 S/4.98	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	18 A	145 mOhms	20 V	3 V	25 nC	- 55 C	+ 150 C	72 W	Enhancement		CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPP60R280P7XKSA1 Infineon Technologies 1: S/10.82 86En existencias 500Se espera el 26/11/2026	N.º de artículo del Fabricante IPP60R280P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP60R280P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	86En existencias 500Se espera el 26/11/2026	S/10.82 S/6.42 S/4.79 S/3.85 S/3.50	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	12 A	214 mOhms	20 V	3 V	18 nC	- 55 C	+ 150 C	53 W	Enhancement		CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPT60R050G7XTMA1 Infineon Technologies 1: S/44.30 14En existencias 2,000Se espera el 1/04/2027	N.º de artículo del Fabricante IPT60R050G7XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT60R050G7XTMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos g7 mosfets	Hoja de datos	14En existencias 2,000Se espera el 1/04/2027	Cinta cortada S/44.30 S/27.44 S/24.13 S/22.03 S/20.82 Envase tipo carrete S/20.82 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	HSOF-8	N-Channel	1 Channel	600 V	44 A	50 mOhms	20 V	3 V	68 nC	- 55 C	+ 150 C	245 W	Enhancement		CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPT60R080G7XTMA1 Infineon Technologies 1: S/31.02 40En existencias 2,000Se espera el 19/11/2026	N.º de artículo del Fabricante IPT60R080G7XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT60R080G7XTMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos g7 mosfets	Hoja de datos	40En existencias 2,000Se espera el 19/11/2026	Cinta cortada S/31.02 S/18.72 S/15.88 S/14.60 Envase tipo carrete S/13.00 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	HSOF-8	N-Channel	1 Channel	650 V	29 A	80 mOhms	30 V	3 V	42 nC	- 55 C	+ 150 C	167 W	Enhancement		CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPU80R4K5P7AKMA1 Infineon Technologies 1: S/4.75 1,486En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPU80R4K5P7AKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPU80R4K5P7AKMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	1,486En existencias	S/4.75 S/2.06 S/1.83 S/1.51 Ver S/1.49 S/1.39 S/1.33 S/1.28 S/1.12	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-251-3	N-Channel	1 Channel	800 V	1.5 A	4.5 Ohms	30 V	3 V	4 nC	- 50 C	+ 150 C	13 W	Enhancement		CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPW60R099P7XKSA1 Infineon Technologies 1: S/21.88 546En existencias 480Se espera el 18/02/2027	N.º de artículo del Fabricante IPW60R099P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPW60R099P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	546En existencias 480Se espera el 18/02/2027	S/21.88 S/11.68 S/10.67 S/10.39 S/9.30	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	31 A	77 mOhms	20 V	3 V	45 nC	- 55 C	+ 150 C	117 W	Enhancement		CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPW60R120P7XKSA1 Infineon Technologies 1: S/22.69 242En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPW60R120P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPW60R120P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	242En existencias	S/22.69 S/12.53 S/11.09 S/8.14	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	26 A	100 mOhms	20 V	3 V	36 nC	- 55 C	+ 150 C	95 W	Enhancement		CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPW60R125CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: S/22.69 114En existencias 240Se espera el 31/12/2026	N.º de artículo del Fabricante IPW60R125CFD7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPW60R125CFD7XKS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon cfd7 mosfets	Hoja de datos	114En existencias 240Se espera el 31/12/2026	S/22.69 S/11.60 S/10.59 S/9.23	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	18 A	125 mOhms	20 V	3.5 V	36 nC	- 55 C	+ 150 C	92 W	Enhancement			Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPZA60R060P7XKSA1 Infineon Technologies 1: S/34.80 6En existencias 240Se espera el 28/01/2027	N.º de artículo del Fabricante IPZA60R060P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPZA60R060P7XKSA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	6En existencias 240Se espera el 28/01/2027	S/34.80 S/24.37 S/18.37 S/16.70	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-4	N-Channel	1 Channel	600 V	48 A	49 mOhms	20 V	3 V	67 nC	- 55 C	+ 150 C	164 W	Enhancement		CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPZA60R099P7XKSA1 Infineon Technologies 1: S/25.92 240En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPZA60R099P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPZA60R099P7XKSA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	240En existencias	S/25.92 S/13.43 S/12.30 S/11.05	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-4	N-Channel	1 Channel	600 V	31 A	77 mOhms	20 V	3 V	45 nC	- 55 C	+ 150 C	117 W	Enhancement		CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPP80R280P7XKSA1 Infineon Technologies 1: S/15.69 245En existencias Fin de vida útil	N.º de artículo del Fabricante IPP80R280P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP80R280P7XKSA1 Fin de vida útil	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW	Hoja de datos	245En existencias	S/15.69 S/10.74 S/9.15 S/7.59 Ver S/7.43 S/7.28 S/7.08	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	17 A	280 mOhms	30 V	3 V	36 nC	- 50 C	+ 150 C	101 W	Enhancement		CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPW80R280P7XKSA1 Infineon Technologies 1: S/17.98 108En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPW80R280P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPW80R280P7XKSA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	108En existencias	S/17.98 S/8.99 S/8.21 S/6.85	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	800 V	17 A	280 mOhms	30 V	3 V	36 nC	- 50 C	+ 150 C	101 W	Enhancement		CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD70R360P7SAUMA1 Infineon Technologies 1: S/6.70 219,927En pedido	N.º de artículo del Fabricante IPD70R360P7SAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD70R360P7AUMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	219,927En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IPD70R360P7SAUMA1 Existencias: 0 En pedido: 22,427 Se espera el 7/01/2027 30,000 Se espera el 25/03/2027 42,500 Se espera el 16/09/2027 125,000 Se espera el 21/10/2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada S/6.70 S/3.66 S/2.77 S/2.25 S/2.11 Envase tipo carrete S/1.62 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	700 V	12.5 A	300 mOhms	16 V	2.5 V	16.4 nC	- 40 C	+ 150 C	59.5 W	Enhancement		CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPDD60R050G7XTMA1 Infineon Technologies 1: S/42.55 1,700Se espera el 24/06/2027	N.º de artículo del Fabricante IPDD60R050G7XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPDD60R050G7XTM1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos g7 mosfets	Hoja de datos	1,700Se espera el 24/06/2027	Cinta cortada S/42.55 S/23.67 S/22.54 S/21.33 Envase tipo carrete S/21.33 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,700	Si	SMD/SMT	HDSOP-10	N-Channel	1 Channel	600 V	47 A	50 mOhms	20 V	3 V	68 nC	- 55 C	+ 150 C	278 W	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPDD60R190G7XTMA1 Infineon Technologies 1: S/14.64 3,400Se espera el 10/12/2026	N.º de artículo del Fabricante IPDD60R190G7XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPDD60R190G7XTM1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos g7 mosfets	Hoja de datos	3,400Se espera el 10/12/2026	Cinta cortada S/14.64 S/7.40 S/6.70 S/5.45 S/5.10 Envase tipo carrete S/5.10	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,700	Si	SMD/SMT	HDSOP-10	N-Channel	1 Channel	600 V	13 A	190 mOhms	20 V	3 V	18 nC	- 55 C	+ 150 C	76 W	Enhancement			Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPN70R600P7SATMA1 Infineon Technologies 1: S/5.06 5,898Se espera el 7/01/2027	N.º de artículo del Fabricante IPN70R600P7SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPN70R600P7SATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	5,898Se espera el 7/01/2027	Cinta cortada S/5.06 S/2.36 S/2.10 S/1.63 Envase tipo carrete S/1.28 Ver S/1.59 S/1.19 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-223-3	N-Channel	1 Channel	700 V	8.5 A	490 mOhms	16 V	2.5 V	10.5 nC	- 40 C	+ 150 C	6.9 W	Enhancement		CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPA60R360P7SXKSA1 Infineon Technologies 1: S/8.21 5,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante IPA60R360P7SXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA60R360P7SXKSA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	5,000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IPA60R360P7SXKSA1 Existencias: 0 En pedido: 2,000 Se espera el 22/02/2027 3,000 A determinar Plazo de entrega de fábrica: 17 Semanas	S/8.21 S/4.32 S/3.38 S/2.68 Ver S/2.58 S/2.24 S/2.16 S/2.04	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	9 A	300 mOhms	20 V	3 V	13 nC	- 40 C	+ 150 C	22 W	Enhancement		CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS IPB65R050CFD7AATMA1 Infineon Technologies 1: S/38.03 141En existencias 859Se espera el 3/06/2027	N.º de artículo del Fabricante IPB65R050CFD7AATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB65R050CFD7AAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS Obtenga más información sobre Infineon Technologies Infineon 650v coolmos cfd7a mosfets	Hoja de datos	141En existencias 859Se espera el 3/06/2027	Cinta cortada S/38.03 S/20.90 S/19.46 Envase tipo carrete S/18.41	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	650 V	45 A	50 mOhms	20 V	4 V	102 nC	- 40 C	+ 150 C	227 W	Enhancement	AEC-Q101	CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPD60R180CM8XTMA1 Infineon Technologies 1: S/11.02 9,895Se espera el 16/09/2027	N.º de artículo del Fabricante IPD60R180CM8XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD60R180CM8XTMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos 8 sj mosfets	Hoja de datos	9,895Se espera el 16/09/2027	Cinta cortada S/11.02 S/5.41 S/4.55 S/3.81 S/3.58 Envase tipo carrete S/3.47	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	TO-252-3	N-Channel	1 Channel	600 V	18 A	180 mOhms	20 V	4.7 V	17 nC	- 55 C	+ 150 C	127 W	Enhancement		CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPD60R360P7ATMA1 Infineon Technologies 1: S/8.37 10,118Se espera el 6/01/2027	N.º de artículo del Fabricante IPD60R360P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD60R360P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	10,118Se espera el 6/01/2027	Cinta cortada S/8.37 S/4.05 S/3.60 S/2.85 S/2.74 Envase tipo carrete S/2.20 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	9 A	305 mOhms	20 V	3 V	13 nC	- 55 C	+ 150 C	41 W	Enhancement		CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD70R600P7SAUMA1 Infineon Technologies 1: S/5.76 24,788En pedido	N.º de artículo del Fabricante IPD70R600P7SAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD70R600P7AUMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	24,788En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IPD70R600P7SAUMA1 Existencias: 0 En pedido: 9,788 Se espera el 31/12/2026 15,000 Se espera el 7/01/2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada S/5.76 S/2.85 S/2.11 S/1.72 S/1.64 Envase tipo carrete S/1.32 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	700 V	8.5 A	490 mOhms	16 V	2.5 V	10.5 nC	- 40 C	+ 150 C	43.1 W	Enhancement		CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel