Transistores – Mouser Perú

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CoolSiC™ 400V G2 Silicon Carbide MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 400V G2 Silicon Carbide MOSFETs are ideally suited for hard- and resonant-switching topologies. The Infineon 400V CoolSiC MOSFETs were specially developed for use in the AC/DC stage of AI server Power Supply Units (PSUs) and are also ideal for applications such as solar and energy storage systems. CoolSiC MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to allow for both the lowest losses in the application and the highest reliability in operation.

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

IMLT40R011M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/70.45
209En existencias
1,800Se espera el 15/10/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMLT40R011M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMLT40R011M2HXTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

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209En existencias

1,800Se espera el 15/10/2026

Cinta cortada

S/70.45

S/41.22

S/41.10

Envase tipo carrete

S/41.10

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

MOSFETs

SiC

SMD/SMT

HDSOP-16

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

IMLT40R015M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/54.57
1,758En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMLT40R015M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMLT40R015M2HXTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

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1,758En existencias

Cinta cortada

S/54.57

S/31.22

S/29.54

Envase tipo carrete

S/29.54

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

MOSFETs

SiC

SMD/SMT

HDSOP-16

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

IMLT40R036M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/32.27
1,799En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMLT40R036M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMLT40R036M2HXTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

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1,799En existencias

Cinta cortada

S/32.27

S/17.48

S/16.04

S/14.79

Envase tipo carrete

S/14.79

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

MOSFETs

SiC

SMD/SMT

HDSOP-16

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

IMLT40R045M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/27.48
1,795En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMLT40R045M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMLT40R045M2HXTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

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1,795En existencias

Cinta cortada

S/27.48

S/14.67

S/13.43

S/11.95

Envase tipo carrete

S/11.95

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

MOSFETs

SiC

SMD/SMT

HDSOP-16

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

IMW40R011M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/74.58
244En existencias
240Se espera el 8/10/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMW40R011M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW40R011M2HXKSA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

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244En existencias

240Se espera el 8/10/2026

S/74.58

S/44.26

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

SiC

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA40R011M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/76.33
458En existencias
Nuevo producto

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IMZA40R011M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA40R011M2HXKS

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

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458En existencias

S/76.33

S/45.58

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

SiC

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA40R015M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/61.31
240En existencias
Nuevo producto

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IMZA40R015M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA40R015M2HXKS

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

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240En existencias

S/61.31

S/34.68

S/34.37

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

SiC

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMT40R011M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/70.53
2,254En existencias

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IMT40R011M2HXTMA1

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726-IMT40R011M2HXTMA

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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2,254En existencias

Cinta cortada

S/70.53

S/43.52

S/43.48

S/41.18

Envase tipo carrete

S/41.18

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SiC MOSFETS

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

IMLT40R025M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/40.40
223En existencias
3,600Se espera el 29/10/2026
Nuevo producto

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IMLT40R025M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMLT40R025M2HXTM

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

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223En existencias

3,600Se espera el 29/10/2026

Cinta cortada

S/40.40

S/26.98

S/23.82

S/21.29

S/20.09

Envase tipo carrete

S/20.09

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

MOSFETs

SiC

SMD/SMT

HDSOP-16

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

IMW40R015M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/59.94
169En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMW40R015M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW40R015M2HXKSA

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

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169En existencias

S/59.94

S/33.83

S/33.36

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

SiC

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

IMW40R025M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/46.98
60En existencias
720Se espera el 1/10/2026
Nuevo producto

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IMW40R025M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW40R025M2HXKSA

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

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60En existencias

720Se espera el 1/10/2026

S/46.98

S/26.51

S/24.52

S/23.36

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

SiC

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

IMW40R036M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/37.17
200En existencias
240Se espera el 9/10/2026
Nuevo producto

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IMW40R036M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW40R036M2HXKSA

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

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200En existencias

240Se espera el 9/10/2026

S/37.17

S/19.97

S/18.41

S/17.87

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

SiC

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

IMW40R045M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/32.35
178En existencias
240Se espera el 17/06/2027
Nuevo producto

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IMW40R045M2HXKSA1

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726-IMW40R045M2HXKSA

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

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178En existencias

240Se espera el 17/06/2027

S/32.35

S/17.13

S/15.76

S/14.87

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

SiC

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA40R025M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/46.63
195En existencias
240Se espera el 9/10/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZA40R025M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA40R025M2HXKS

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

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195En existencias

240Se espera el 9/10/2026

S/46.63

S/25.61

S/23.74

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

SiC

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA40R036M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/38.03
216En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZA40R036M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA40R036M2HXKS

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

216En existencias

S/38.03

S/20.47

S/18.88

S/18.41

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

SiC

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA40R045M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/33.09
225En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZA40R045M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA40R045M2HXKS

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

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225En existencias

S/33.09

S/17.56

S/16.15

S/15.30

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

SiC

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMBG40R011M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/72.98
476En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMBG40R011M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG40R011M2HXTM

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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476En existencias

Cinta cortada

S/72.98

S/45.46

Envase tipo carrete

S/43.05

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SiC MOSFETS

SMD/SMT

N-Channel

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMBG40R015M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/57.45
909En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMBG40R015M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG40R015M2HXTM

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

909En existencias

Cinta cortada

S/57.45

S/40.29

S/33.40

Envase tipo carrete

S/31.14

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SiC MOSFETS

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMBG40R025M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/43.67
636En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMBG40R025M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG40R025M2HXTM

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

636En existencias

Cinta cortada

S/43.67

S/24.37

S/23.36

Envase tipo carrete

S/22.07

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SiC MOSFETS

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMBG40R036M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/34.60
958En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMBG40R036M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG40R036M2HXTM

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

958En existencias

Cinta cortada

S/34.60

S/18.88

S/17.36

Envase tipo carrete

S/16.23

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SiC MOSFETS

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMBG40R045M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/30.09
769En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMBG40R045M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG40R045M2HXTM

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

769En existencias

Cinta cortada

S/30.09

S/16.19

S/14.87

S/14.29

Envase tipo carrete

S/13.35

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SiC MOSFETS

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMT40R015M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/54.96
266En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMT40R015M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMT40R015M2HXTMA

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

266En existencias

Cinta cortada

S/54.96

S/37.29

S/33.40

S/31.26

S/29.58

Envase tipo carrete

S/29.58

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SiC MOSFETS

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMT40R025M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/41.46
1,333En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMT40R025M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMT40R025M2HXTMA

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

1,333En existencias

Cinta cortada

S/41.46

S/23.00

S/21.80

S/20.63

Envase tipo carrete

S/20.63

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SiC MOSFETS

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMT40R036M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/32.23
1,950En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMT40R036M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMT40R036M2HXTMA

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

1,950En existencias

Cinta cortada

S/32.23

S/17.44

S/16.04

S/15.65

S/14.79

Envase tipo carrete

S/14.79

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SiC MOSFETS

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMT40R045M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/28.03
1,493En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMT40R045M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMT40R045M2HXTMA

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

1,493En existencias

Cinta cortada

S/28.03

S/14.99

S/13.74

S/13.00

S/12.11

Envase tipo carrete

S/12.11

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SiC MOSFETS

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

CoolSiC™ 400V G2 Silicon Carbide MOSFETs

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