Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 10

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V IPF031N13NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 28.26 718En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPF031N13NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPF031N13NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V	Hoja de datos	718En existencias	Cinta cortada S/ 28.26 S/ 19.07 S/ 13.86 Envase tipo carrete S/ 12.30	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	TO263-7	N-Channel	1 Channel	135 V	207 A	3.1 mOhms	20 V	3.5 V	104 nC	- 55 C	+ 175 C	294 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V IPF021N13NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 35.42 1,601En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPF021N13NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPF021N13NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V	Hoja de datos	1,601En existencias	Cinta cortada S/ 35.42 S/ 20.82 S/ 19.46 S/ 18.88 Envase tipo carrete S/ 18.06	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	TO263-7	N-Channel	1 Channel	135 V	250 A	2.1 mOhms	20 V	3.5 V	160 nC	- 55 C	+ 175 C	395 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V IPTG029N13NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 25.15 1,695En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPTG029N13NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPTG029N13NM6ATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V	Hoja de datos	1,695En existencias	Cinta cortada S/ 25.15 S/ 16.89 S/ 12.88 Envase tipo carrete S/ 10.51	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,800	Si	SMD/SMT	HSOG-8	N-Channel	1 Channel	135 V	212 A	2.9 mOhms	20 V	3.5 V	104 nC	- 55 C	+ 175 C	294 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V ISC037N13NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 23.71 5,441En existencias	N.º de artículo del Fabricante ISC037N13NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC037N13NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V	Hoja de datos	5,441En existencias	Cinta cortada S/ 23.71 S/ 12.49 S/ 11.41 S/ 10.39 Ver Envase tipo carrete S/ 9.81 S/ 10.00 S/ 9.81 S/ 9.81	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TSON-8	N-Channel	1 Channel	135 V	172 A	3.7 mOhms	20 V	3.5 V	82 nC	- 55 C	+ 175 C	250 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V ISC046N13NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 22.69 3,382En existencias	N.º de artículo del Fabricante ISC046N13NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC046N13NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V	Hoja de datos	3,382En existencias	Cinta cortada S/ 22.69 S/ 11.87 S/ 10.86 S/ 9.81 Ver Envase tipo carrete S/ 9.26 S/ 9.46 S/ 9.26 S/ 9.26	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	135 V	142 A	4.6 mOhms	20 V	3.5 V	65 nC	- 55 C	+ 175 C	211 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V IPP073N13NM6AKSA1 Infineon Technologies 1: S/ 17.36 288En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP073N13NM6AKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP073N13NM6AKSA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V	Hoja de datos	288En existencias	S/ 17.36 S/ 8.87 S/ 8.06 S/ 7.05 S/ 6.38	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	135 V	98 A	7.3 mOhms	20 V	3.5 V	43 nC	- 55 C	+ 175 C	158 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V IPT020N13NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 31.65 40En existencias 10,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante IPT020N13NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT020N13NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V	Hoja de datos	40En existencias 10,000En pedido	Cinta cortada S/ 31.65 S/ 22.27 S/ 18.02 S/ 16.04 S/ 14.17 Envase tipo carrete S/ 14.17	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si															Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V IPTC020N13NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 35.97 33En existencias 1,800Se espera el 6/05/2027	N.º de artículo del Fabricante IPTC020N13NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPTC020N13NM6ATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V	Hoja de datos	33En existencias 1,800Se espera el 6/05/2027	Cinta cortada S/ 35.97 S/ 24.56 S/ 20.28 S/ 18.06 S/ 16.89 Envase tipo carrete S/ 16.89	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,800	Si	SMD/SMT	HDSOP-16	N-Channel	1 Channel	135 V	297 A	2 mOhms	20 V	3.5 V	159 nC	- 55 C	+ 175 C	395 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V IPTG020N13NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 28.80 114En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPTG020N13NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPTG020N13NM6ATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V	Hoja de datos	114En existencias	Cinta cortada S/ 28.80 S/ 15.45 S/ 14.13 S/ 13.47 S/ 12.73 Envase tipo carrete S/ 12.73	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,800	Si	SMD/SMT	HSOG-8	N-Channel	1 Channel	135 V	297 A	2 mOhms	20 V	3.5 V	159 nC	- 55 C	+ 175 C	395 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V ISZ143N13NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 9.50 5,000Se espera el 19/11/2026	N.º de artículo del Fabricante ISZ143N13NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISZ143N13NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V	Hoja de datos	5,000Se espera el 19/11/2026	Cinta cortada S/ 9.50 S/ 6.03 S/ 4.09 S/ 3.29 S/ 3.13 Envase tipo carrete S/ 2.65 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	135 V	54 A	14.3 mOhms	20 V	3.5 V	21 nC			95 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel

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