Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Automotive U-MOSVI Power MOSFETs

Toshiba Automotive U-MOSVI Power MOSFETs are -40V P-channel power MOSFETs for automotive applications. These devices feature a gate drive voltage of -4.5V compared with -6V for the conventional products in the DPAK+ package. This feature allows systems to be used even when the battery voltage drops. The Toshiba Automotive U-MOSVI Power MOSFETs feature low on-resistance.

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Resultados: 20

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

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Dp - Disipación de potencia

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Calificación	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 68W 1MHz Automotive; AEC-Q101 TJ40S04M3L,LXHQ Toshiba 1: S/6.73 46,125En existencias	N.º de artículo del Fabricante TJ40S04M3L,LXHQ N.º de artículo de Mouser 757-TJ40S04M3L,LXHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 68W 1MHz Automotive; AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosvi	Hoja de datos	46,125En existencias	Cinta cortada S/6.73 S/3.19 S/2.84 S/2.24 S/2.04 Envase tipo carrete S/1.95	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	P-Channel	1 Channel	40 V	40 A	9.1 mOhms	- 20 V, 10 V	3 V	83 nC		+ 175 C	68 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101 TJ200F04M3L,LXHQ Toshiba 1: S/17.28 40,156En existencias	N.º de artículo del Fabricante TJ200F04M3L,LXHQ N.º de artículo de Mouser 757-TJ200F04M3L,LXHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosvi	Hoja de datos	40,156En existencias	Cinta cortada S/17.28 S/8.84 S/8.02 S/6.81 Envase tipo carrete S/6.42 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	TO-220SM-3	P-Channel	1 Channel	40 V	200 A	1.8 mOhms	- 20 V, 10 V	3 V	460 nC		+ 175 C	375 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101 TJ8S06M3L,LXHQ Toshiba 1: S/5.61 43,787En existencias	N.º de artículo del Fabricante TJ8S06M3L,LXHQ N.º de artículo de Mouser 757-TJ8S06M3L,LXHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosvi	Hoja de datos	43,787En existencias	Cinta cortada S/5.61 S/2.62 S/2.33 S/1.82 Envase tipo carrete S/1.56 Ver S/1.79 S/1.39 S/1.36 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	P-Channel	1 Channel	60 V	8 A	104 mOhms	- 20 V, 10 V	3 V	19 nC		+ 175 C	27 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101 TJ10S04M3L,LXHQ Toshiba 1: S/5.61 17,713En existencias	N.º de artículo del Fabricante TJ10S04M3L,LXHQ N.º de artículo de Mouser 757-TJ10S04M3L,LXHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosvi	Hoja de datos	17,713En existencias	Cinta cortada S/5.61 S/2.62 S/2.33 S/1.82 Envase tipo carrete S/1.51 Ver S/1.79 S/1.39 S/1.36	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	P-Channel	1 Channel	40 V	10 A	44 mOhms	- 20 V, 10 V	3 V	19 nC		+ 175 C	27 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101 TJ80S04M3L,LXHQ Toshiba 1: S/9.11 4,019En existencias	N.º de artículo del Fabricante TJ80S04M3L,LXHQ N.º de artículo de Mouser 757-TJ80S04M3L,LXHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosvi	Hoja de datos	4,019En existencias	Cinta cortada S/9.11 S/4.44 S/3.97 S/3.16 Envase tipo carrete S/2.69 Ver S/2.95 S/2.68 S/2.65	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	P-Channel	1 Channel	40 V	80 A	5.2 mOhms	- 20 V, 10 V	3 V	158 nC		+ 175 C	100 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101 XPH3R114MC,L1XHQ Toshiba 1: S/10.20 23,422En existencias	N.º de artículo del Fabricante XPH3R114MC,L1XHQ N.º de artículo de Mouser 757-XPH3R114MC,L1XHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosvi	Hoja de datos	23,422En existencias	Cinta cortada S/10.20 S/5.10 S/4.48 S/3.66 Ver Envase tipo carrete S/2.98 S/3.44 S/3.34 S/2.98 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	SOP-Advance-8	P-Channel	1 Channel	40 V	100 A	3.1 mOhms	- 20 V, 10 V	2.1 V	230 nC		+ 175 C	170 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101 TJ60S06M3L,LXHQ Toshiba 1: S/9.11 3,273En existencias 6,000Se espera el 26/10/2026	N.º de artículo del Fabricante TJ60S06M3L,LXHQ N.º de artículo de Mouser 757-TJ60S06M3L,LXHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosvi	Hoja de datos	3,273En existencias 6,000Se espera el 26/10/2026	Cinta cortada S/9.11 S/4.44 S/3.97 S/3.16 Envase tipo carrete S/2.95 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	P-Channel	1 Channel	60 V	60 A	11.2 mOhms	- 20 V, 10 V	3 V	156 nC		+ 175 C	100 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101 TJ90S04M3L,LXHQ Toshiba 1: S/10.04 3,634En existencias	N.º de artículo del Fabricante TJ90S04M3L,LXHQ N.º de artículo de Mouser 757-TJ90S04M3L,LXHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosvi	Hoja de datos	3,634En existencias	Cinta cortada S/10.04 S/5.06 S/4.40 S/3.61 Envase tipo carrete S/3.05 Ver S/3.39 S/2.93	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	P-Channel	1 Channel	40 V	90 A	4.3 mOhms	- 20 V, 10 V	2 V	172 nC		+ 175 C	180 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101 XPH4R714MC,L1XHQ Toshiba 1: S/7.63 3,361En existencias	N.º de artículo del Fabricante XPH4R714MC,L1XHQ N.º de artículo de Mouser 757-XPH4R714MC,L1XHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosvi	Hoja de datos	3,361En existencias	Cinta cortada S/7.63 S/4.94 S/3.39 S/2.77 Ver Envase tipo carrete S/2.33 S/2.46 S/2.38 S/2.33 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	SOP-Advance-8	P-Channel	1 Channel	40 V	60 A	4.7 mOhms	- 20 V, 10 V	2.1 V	160 nC	- 55 C	+ 175 C	132 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101 XPN9R614MC,L1XHQ Toshiba 1: S/6.77 3,831En existencias	N.º de artículo del Fabricante XPN9R614MC,L1XHQ N.º de artículo de Mouser 757-XPN9R614MC,L1XHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosvi	Hoja de datos	3,831En existencias	Cinta cortada S/6.77 S/3.19 S/2.85 S/2.23 Ver Envase tipo carrete S/1.62 S/2.14 S/1.98 S/1.62 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TSON-Advance-8	P-Channel	1 Channel	40 V	40 A	9.6 mOhms	- 20 V, 10 V	2.1 V	64 nC	- 55 C	+ 175 C	100 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS P-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:-40V IC:-7A PD:1.5W TSOP6F SSM6J808R,LXHF Toshiba 1: S/4.87 4,439En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM6J808R,LXHF N.º de artículo de Mouser 757-SSM6J808RLXHF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS P-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:-40V IC:-7A PD:1.5W TSOP6F Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosvi	Hoja de datos	4,439En existencias	Cinta cortada S/4.87 S/2.27 S/2.01 S/1.56 Envase tipo carrete S/1.23 Ver S/1.52 S/1.21 S/1.12 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	TSOP6F	P-Channel	1 Channel	40 V	7 A	48 mOhms	- 20 V, 10 V	2 V	24.2 nC		+ 150 C	1.5 W		AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 41W 1MHz Automotive; AEC-Q101 TJ15S06M3L,LXHQ Toshiba 1: S/6.46 2,912En existencias 4,000Se espera el 13/11/2026	N.º de artículo del Fabricante TJ15S06M3L,LXHQ N.º de artículo de Mouser 757-TJ15S06M3L,LXHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 41W 1MHz Automotive; AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosvi	Hoja de datos	2,912En existencias 4,000Se espera el 13/11/2026	Cinta cortada S/6.46 S/3.05 S/2.71 S/2.13 Envase tipo carrete S/1.67 Ver S/2.07 S/1.54 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	P-Channel	1 Channel	60 V	15 A	50 mOhms	- 20 V, 10 V	3 V	36 nC		+ 175 C	41 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 41W 1MHz Automotive; AEC-Q101 TJ20S04M3L,LXHQ Toshiba 1: S/6.03 700En existencias 6,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante TJ20S04M3L,LXHQ N.º de artículo de Mouser 757-TJ20S04M3L,LXHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 41W 1MHz Automotive; AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosvi	Hoja de datos	700En existencias 6,000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: TJ20S04M3L,LXHQ Existencias: 700 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 2,000 Se espera el 16/11/2026 4,000 Se espera el 11/01/2027 Plazo de entrega de fábrica: 26 Semanas	Cinta cortada S/6.03 S/3.82 S/2.54 S/1.99 Envase tipo carrete S/1.66 Ver S/1.81 S/1.51	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	P-Channel	1 Channel	40 V	20 A	22.2 mOhms	- 20 V, 10 V	3 V	37 nC		+ 175 C	41 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 68W 1MHz Automotive; AEC-Q101 TJ30S06M3L,LXHQ Toshiba 1: S/7.75 322En existencias 2,000Se espera el 13/11/2026	N.º de artículo del Fabricante TJ30S06M3L,LXHQ N.º de artículo de Mouser 757-TJ30S06M3L,LXHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 68W 1MHz Automotive; AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosvi	Hoja de datos	322En existencias 2,000Se espera el 13/11/2026	Cinta cortada S/7.75 S/3.71 S/3.32 S/2.63 Envase tipo carrete S/2.21 Ver S/2.56 S/2.15	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	P-Channel	1 Channel	60 V	30 A	21.8 mOhms	- 20 V, 10 V	3 V	80 nC		+ 175 C	68 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 90W 1MHz Automotive; AEC-Q101 TJ50S06M3L,LXHQ Toshiba 1: S/8.68 914En existencias 8,000Se espera el 15/02/2027	N.º de artículo del Fabricante TJ50S06M3L,LXHQ N.º de artículo de Mouser 757-TJ50S06M3L,LXHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 90W 1MHz Automotive; AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosvi	Hoja de datos	914En existencias 8,000Se espera el 15/02/2027	Cinta cortada S/8.68 S/4.28 S/3.73 S/2.99 Envase tipo carrete S/2.51 Ver S/2.73 S/2.38	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	P-Channel	1 Channel	60 V	50 A	13.8 mOhms	- 20 V, 10 V	3 V	124 nC		+ 175 C	90 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 90W 1MHz Automotive; AEC-Q101 TJ60S04M3L,LXHQ Toshiba 1: S/8.17 594En existencias	N.º de artículo del Fabricante TJ60S04M3L,LXHQ N.º de artículo de Mouser 757-TJ60S04M3L,LXHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 90W 1MHz Automotive; AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosvi	Hoja de datos	594En existencias	Cinta cortada S/8.17 S/3.93 S/3.51 S/2.79 Envase tipo carrete S/2.35 Ver S/2.66 S/2.27	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	P-Channel	1 Channel	40 V	60 A	6.3 mOhms	- 20 V, 10 V	3 V	125 nC		+ 175 C	90 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60 V 27.3mOhm P-ch MOSFET AEC-Q TSON Advance(WF) XPN27016MC,L1XHQ Toshiba 1: S/6.77 5,000Se espera el 23/10/2026 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante XPN27016MC,L1XHQ N.º de artículo de Mouser 757-XPN27016MCL1XHQ Nuevo producto	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60 V 27.3mOhm P-ch MOSFET AEC-Q TSON Advance(WF) Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosvi	Hoja de datos	5,000Se espera el 23/10/2026	Cinta cortada S/6.77 S/4.20 S/2.75 S/2.16 Envase tipo carrete S/1.45 Ver S/1.85 S/1.71 S/1.44 S/1.26 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TSON-8	P-Channel	1 Channel	60 V	25 A	27.3 mOhms	- 20 V, 10 V	2.1 V	71 nC		+ 175 C	100 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60 V 52mOhm P-ch MOSFET AEC-Q TSON Advance(WF) XPN52016MC,L1XHQ Toshiba 1: S/7.28 5,000Se espera el 13/01/2027 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante XPN52016MC,L1XHQ N.º de artículo de Mouser 757-XPN52016MCL1XHQ Nuevo producto	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60 V 52mOhm P-ch MOSFET AEC-Q TSON Advance(WF) Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosvi	Hoja de datos	5,000Se espera el 13/01/2027	Cinta cortada S/7.28 S/3.47 S/3.10 S/2.44 Envase tipo carrete S/1.86 Ver S/2.36 S/2.25 S/1.69 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TSON-8	P-Channel	1 Channel	60 V	15 A	52 mOhms	- 20 V, 10 V	2.1 V	47 nC		+ 175 C	65 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-ch MOSFET, -30 V, -6.0 A, 0.042Ohm@10V, DFN2020B(WF) XSM6J372NW,LXHF Toshiba 1: S/1.48 54,000En pedido Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante XSM6J372NW,LXHF N.º de artículo de Mouser 757-XSM6J372NWLXHF Nuevo producto	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-ch MOSFET, -30 V, -6.0 A, 0.042Ohm@10V, DFN2020B(WF) Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosvi	Hoja de datos	54,000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: XSM6J372NW,LXHF Existencias: 0 En pedido: 33,000 Se espera el 16/10/2026 3,000 Se espera el 19/10/2026 3,000 Se espera el 23/10/2026 15,000 Se espera el 26/02/2027 Plazo de entrega de fábrica: 24 Semanas	Cinta cortada S/1.48 S/0.915 S/0.576 S/0.428 Envase tipo carrete S/0.315 Ver S/0.378 S/0.284 S/0.241 S/0.23	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	DFN2020B-6	P-Channel	1 Channel	30 V	24 A	144 mOhms	- 12 V, 6 V	1.2 V	8.2 nC		+ 150 C	3.3 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS P-ch Low Voltage Gate Drive VDSS:-20V Ic:-0.8A SOT-723 SSM3J66MFV,L3XHF Toshiba 1: S/1.40 7,483En pedido	N.º de artículo del Fabricante SSM3J66MFV,L3XHF N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J66MFVL3XHF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS P-ch Low Voltage Gate Drive VDSS:-20V Ic:-0.8A SOT-723 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosvi	Hoja de datos	7,483En pedido	Cinta cortada S/1.40 S/0.619 S/0.541 S/0.401 Envase tipo carrete S/0.222 Ver S/0.381 S/0.257 S/0.21 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 8,000	Si	SMD/SMT	VESM-3	P-Channel	1 Channel	20 V	800 mA	480 mOhms	- 8 V, 6 V	1 V	1.6 nC		+ 150 C	500 mW	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel