Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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EF High Voltage Power MOSFETs

Vishay / Siliconix EF High Voltage Power MOSFETs with Fast Body Diode are N-Channel power MOSFETs with low reverse recovery charge (Q_rr) than standard MOSFETs. The EF power MOSFETs come with low Q_rr that allows the devices to avoid failure from shoot-through, thermal overstress, and provide low reverse recovery losses. These devices possess ultra-low on-resistance and gate charge that translate into extremely low conduction and switching losses to save energy in high-power, high-performance switch mode applications.

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode

SIHB105N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
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SIHB105N60EF-GE3

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Vishay / Siliconix

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S/9.38

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1 Channel

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Enhancement

Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode

SIHG105N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
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Vishay / Siliconix

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S/21.76

S/14.48

S/10.35

S/9.77

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1 Channel

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29 A

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208 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V Vds 30V Vgs TO-220AB; w/diode

SIHP22N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
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SIHP22N60EF-GE3

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S/12.61

S/9.15

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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 8.4A N-CH MOSFET

SIHA186N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
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Tube

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SIHA22N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
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Tube

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SIHB22N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
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SIHB22N60EF-GE3

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N-Channel

1 Channel

600 V

19 A

182 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

96 nC

- 55 C

+ 150 C

179 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode

SIHG052N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
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SIHG052N60EF-GE3

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Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs TO-247AC

SIHG44N65EF-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/44.72
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SIHG44N65EF-GE3

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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8

SIHH14N60EF-T1-GE3
Vishay / Siliconix
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SIHH14N60EF-T1-GE3

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78-SIHH14N60EF-T1GE3

Vishay / Siliconix

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S/9.61

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs TO-247AC

SIHG61N65EF-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/64.23
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SIHG61N65EF-GE3

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78-SIHG61N65EF-GE3

Vishay / Siliconix

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TO-247AC-3

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8

SIHH11N65EF-T1-GE3
Vishay / Siliconix
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SIHH11N65EF-T1-GE3

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78-SIHH11N65EF-T1GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8

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S/16.85

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Envase tipo carrete

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MouseReel Disponible

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: 3,000

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PowerPAK-8x8-4

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130 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

SIHP21N60EF-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/16.39
7,616En existencias

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SIHP21N60EF-BE3

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S/10.74

S/6.97

S/6.27

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

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227 W

Enhancement

Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8

SIHH24N65EF-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/44.34
2,893En existencias

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SIHH24N65EF-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHH24N65EF-T1GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8

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S/44.34

S/40.29

S/17.52

Envase tipo carrete

S/17.52

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

1 Channel

650 V

23 A

130 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

77 nC

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202 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs TO-247AD

SIHW61N65EF-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/61.35
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SIHW61N65EF-GE3

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78-SIHW61N65EF-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs TO-247AD

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S/61.35

S/43.17

S/34.45

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

SIHB24N65EF-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/28.42
835En existencias

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SIHB24N65EF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHB24N65EF-GE3

Vishay / Siliconix

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S/28.42

S/19.03

S/15.30

S/13.62

S/12.22

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

156 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

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+ 150 C

250 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs TO-247AC

SIHG24N65EF-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/29.62
440En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHG24N65EF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHG24N65EF-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs TO-247AC

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S/29.62

S/19.81

S/15.96

S/12.73

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Through Hole

TO-247AC-3

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 800V 20A N-CH MOSFET

SIHG24N80AEF-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/23.78
1,387En existencias

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SIHG24N80AEF-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIHG24N80AEF-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 800V 20A N-CH MOSFET

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S/23.78

S/15.92

S/11.44

S/11.02

S/9.89

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Through Hole

TO-247AC-3

N-Channel

1 Channel

800 V

20 A

170 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 20A N-CH MOSFET

SIHP24N80AEF-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/20.86
1,620En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHP24N80AEF-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIHP24N80AEF-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 20A N-CH MOSFET

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S/20.86

S/13.86

S/9.89

S/8.21

S/8.17

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

20 A

170 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 8.4A N-CH MOSFET

SIHG186N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/18.53
332En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHG186N60EF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHG186N60EF-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 8.4A N-CH MOSFET

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332En existencias

S/18.53

S/10.59

S/9.61

S/7.12

S/7.08

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

8.4 A

168 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode

SIHP052N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/31.06
31En existencias
1,000Se espera el 3/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
SIHP052N60EF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHP052N60EF-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode

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31En existencias

1,000Se espera el 3/08/2026

S/31.06

S/16.78

S/15.38

S/14.13

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

600 V

48 A

52 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

278 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC

SIHG80N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/68.90
60En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHG80N60EF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHG80N60EF-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC

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60En existencias

S/68.90

S/43.52

S/40.01

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Through Hole

TO-247AC-3

N-Channel

1 Channel

600 V

80 A

32 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

400 nC

- 55 C

+ 150 C

520 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 600V 8.4A N-CH MOSFET

SIHB186N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/16.39
953Se espera el 5/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
SIHB186N60EF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHB186N60EF-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 600V 8.4A N-CH MOSFET

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953Se espera el 5/10/2026

S/16.39

S/8.37

S/7.59

S/6.23

S/6.03

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

8.4 A

168 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs TO-220AB

SIHP21N65EF-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/23.00
975En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SIHP21N65EF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHP21N65EF-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs TO-220AB

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975En pedido

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S/15.38

S/11.02

S/9.46

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

21 A

180 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

71 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V Vds 30V Vgs TO-247AC; w/diode

SIHG22N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
50: S/12.38
500Existencias disponibles

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SIHG22N60EF-GE3

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78-SIHG22N60EF-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V Vds 30V Vgs TO-247AC; w/diode

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S/12.38

S/10.20

S/8.64

Min.: 50
Mult.: 50

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

19 A

182 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

96 nC

- 55 C

+ 150 C

179 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

SIHA24N65EF-E3
Vishay / Siliconix
1,000: S/11.95
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N.º de artículo del Fabricante
SIHA24N65EF-E3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHA24N65EF-E3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

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S/11.95

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

700 V

24 A

156 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

81 nC

- 55 C

+ 150 C

39 W

Enhancement

Tube

EF High Voltage Power MOSFETs

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