Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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PJQx 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT PJQx 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are designed with logic level gate drive in a DFN5060X-8L and DFN3333-8L packages. These MOSFETs feature low on−resistance (RDS_(on)), excellent Figure Of Merit (FOM), and ±20 gate-source voltage. The PJQx 30V N-Channel MOSFETs are AEC-Q101 qualified and are lead-free in compliance with EU RoHS 2.0 standards. These MOSFETs are ideal for automotive applications.

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Resultados: 22

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Calificación	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET PJQ4528P-AU_R2_002A1 Panjit 1: S/5.37 4,990En existencias	N.º de artículo del Fabricante PJQ4528P-AU_R2_002A1 N.º de artículo de Mouser 241-PJQ4528PAUR22A1	Panjit	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET Obtenga más información sobre Panjit pjqx 30v n channel mosfets	Hoja de datos	4,990En existencias	Cinta cortada S/5.37 S/2.51 S/2.23 S/1.74 Envase tipo carrete S/1.30 Ver S/1.71 S/1.62 S/1.29	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	DFN-3333-8	N-Channel	1 Channel	30 V	55 A	6.5 mOhms	20 V	2.5 V	10.7 nC	- 55 C	+ 175 C	32 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET PJQ4526P-AU_R2_002A1 Panjit 1: S/4.36 4,899En existencias	N.º de artículo del Fabricante PJQ4526P-AU_R2_002A1 N.º de artículo de Mouser 241-PJQ4526PAUR22A1	Panjit	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET Obtenga más información sobre Panjit pjqx 30v n channel mosfets	Hoja de datos	4,899En existencias	Cinta cortada S/4.36 S/2.02 S/1.79 S/1.38 Envase tipo carrete S/1.02 Ver S/1.34 S/1.25 S/0.965	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	DFN-3333-8	N-Channel	1 Channel	30 V	65 A	5.5 mOhms	20 V	2.5 V	15 nC	- 55 C	+ 175 C	37.5 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET PJQ4530P-AU_R2_002A1 Panjit 1: S/4.87 5,000En existencias	N.º de artículo del Fabricante PJQ4530P-AU_R2_002A1 N.º de artículo de Mouser 241-PJQ4530PAUR22A1	Panjit	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET Obtenga más información sobre Panjit pjqx 30v n channel mosfets	Hoja de datos	5,000En existencias	Cinta cortada S/4.87 S/2.27 S/2.01 S/1.56 Envase tipo carrete S/1.16 Ver S/1.52 S/1.44 S/1.12	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si															AEC-Q101	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET PJQ4534P-AU_R2_002A1 Panjit 1: S/4.63 4,976En existencias	N.º de artículo del Fabricante PJQ4534P-AU_R2_002A1 N.º de artículo de Mouser 241-PJQ4534PAUR22A1	Panjit	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET Obtenga más información sobre Panjit pjqx 30v n channel mosfets	Hoja de datos	4,976En existencias	Cinta cortada S/4.63 S/2.14 S/1.90 S/1.47 Envase tipo carrete S/1.09 Ver S/1.44 S/1.35 S/1.05	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	DFN-3333-8	N-Channel	1 Channel	30 V	38 A	9.3 mOhms	20 V	2.5 V	9.5 nC	- 55 C	+ 175 C	21.4 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET PJQ5524-AU_R2_002A1 Panjit 1: S/6.97 2,980En existencias	N.º de artículo del Fabricante PJQ5524-AU_R2_002A1 N.º de artículo de Mouser 241-PJQ5524AUR2002A1	Panjit	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET Obtenga más información sobre Panjit pjqx 30v n channel mosfets	Hoja de datos	2,980En existencias	Cinta cortada S/6.97 S/4.44 S/2.96 S/2.33 Envase tipo carrete S/1.87 Ver S/2.13 S/1.83	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	DFN-5060-8	N-Channel	1 Channel	30 V	93 A	3.6 mOhms	20 V	2.5 V	21 nC	- 55 C	+ 175 C	50 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET PJQ5524_R2_00201 Panjit 1: S/4.87 2,996En existencias	N.º de artículo del Fabricante PJQ5524_R2_00201 N.º de artículo de Mouser 241-PJQ5524_R2_00201	Panjit	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET Obtenga más información sobre Panjit pjqx 30v n channel mosfets	Hoja de datos	2,996En existencias	Cinta cortada S/4.87 S/2.27 S/2.01 S/1.56 Envase tipo carrete S/1.23 Ver S/1.52 S/1.21 S/1.11	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	DFN-5060X-8	N-Channel	1 Channel	30 V	85 A	3.6 mOhms	20 V	2.5 V	21 nC	- 55 C	+ 150 C	41.7 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET PJQ5526-AU_R2_002A1 Panjit 1: S/6.31 3,000En existencias	N.º de artículo del Fabricante PJQ5526-AU_R2_002A1 N.º de artículo de Mouser 241-PJQ5526AUR2002A1	Panjit	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET Obtenga más información sobre Panjit pjqx 30v n channel mosfets	Hoja de datos	3,000En existencias	Cinta cortada S/6.31 S/2.98 S/2.65 S/2.08 Envase tipo carrete S/1.91 Ver S/1.66 S/1.61	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	DFN-5060-8	N-Channel	1 Channel	30 V	73 A	5 mOhms	20 V	2.5 V	15 nC	- 55 C	+ 175 C	43 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET PJQ5526_R2_00201 Panjit 1: S/4.36 2,986En existencias	N.º de artículo del Fabricante PJQ5526_R2_00201 N.º de artículo de Mouser 241-PJQ5526_R2_00201	Panjit	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET Obtenga más información sobre Panjit pjqx 30v n channel mosfets	Hoja de datos	2,986En existencias	Cinta cortada S/4.36 S/2.73 S/1.79 S/1.38 Envase tipo carrete S/1.08 Ver S/1.25 S/0.996 S/0.95	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	DFN-5060X-8	N-Channel	1 Channel	30 V	68 A	4.9 mOhms	20 V	2.5 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	35.7 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET PJQ5528-AU_R2_002A1 Panjit 1: S/5.84 2,575En existencias	N.º de artículo del Fabricante PJQ5528-AU_R2_002A1 N.º de artículo de Mouser 241-PJQ5528AUR2002A1	Panjit	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Obtenga más información sobre Panjit pjqx 30v n channel mosfets	Hoja de datos	2,575En existencias	Cinta cortada S/5.84 S/2.75 S/2.44 S/1.91 Envase tipo carrete S/1.52 Ver S/1.90 S/1.45	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	DFN-5060-8	N-Channel	1 Channel	30 V	61 A	6 mOhms	20 V	2.5 V	11 nC	- 55 C	+ 175 C	31.3 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET PJQ5528_R2_00201 Panjit 1: S/4.09 2,730En existencias	N.º de artículo del Fabricante PJQ5528_R2_00201 N.º de artículo de Mouser 241-PJQ5528_R2_00201	Panjit	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET Obtenga más información sobre Panjit pjqx 30v n channel mosfets	Hoja de datos	2,730En existencias	Cinta cortada S/4.09 S/1.89 S/1.67 S/1.29 Envase tipo carrete S/1.00 Ver S/1.24 S/0.969 S/0.884	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	DFN-5060X-8	N-Channel	1 Channel	30 V	58 A	6 mOhms	20 V	2.5 V	11 nC	- 55 C	+ 150 C	30 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET PJQ5530-AU_R2_002A1 Panjit 1: S/5.61 3,000En existencias	N.º de artículo del Fabricante PJQ5530-AU_R2_002A1 N.º de artículo de Mouser 241-PJQ5530AUR2002A1	Panjit	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET Obtenga más información sobre Panjit pjqx 30v n channel mosfets	Hoja de datos	3,000En existencias	Cinta cortada S/5.61 S/3.53 S/2.34 S/1.83 Envase tipo carrete S/1.45 Ver S/1.66 S/1.35	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	DFN-5060-8	N-Channel	1 Channel	30 V	16.7 A	7.5 mOhms	20 V	2.5 V	12.4 nC	- 55 C	+ 175 C	33 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET PJQ5530_R2_00201 Panjit 1: S/3.81 3,000En existencias	N.º de artículo del Fabricante PJQ5530_R2_00201 N.º de artículo de Mouser 241-PJQ5530_R2_00201	Panjit	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET Obtenga más información sobre Panjit pjqx 30v n channel mosfets	Hoja de datos	3,000En existencias	Cinta cortada S/3.81 S/1.76 S/1.55 S/1.19 Envase tipo carrete S/0.926 Ver S/0.814 S/0.806	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	DFN-5060X-8	N-Channel	1 Channel	30 V	49 A	7.3 mOhms	20 V	2.5 V	12.4 nC	- 55 C	+ 150 C	27.8 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET PJQ5534-AU_R2_002A1 Panjit 1: S/5.37 3,000En existencias	N.º de artículo del Fabricante PJQ5534-AU_R2_002A1 N.º de artículo de Mouser 241-PJQ5534AUR2002A1	Panjit	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET Obtenga más información sobre Panjit pjqx 30v n channel mosfets	Hoja de datos	3,000En existencias	Cinta cortada S/5.37 S/2.51 S/2.23 S/1.74 Envase tipo carrete S/1.37 Ver S/1.71 S/1.36 S/1.29	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	DFN-5060-8	N-Channel	1 Channel	30 V	39 A	9.3 mOhms	20 V	2.5 V	9.5 nC	- 55 C	+ 175 C	23 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET PJQ5534_R2_00201 Panjit 1: S/3.54 2,995En existencias	N.º de artículo del Fabricante PJQ5534_R2_00201 N.º de artículo de Mouser 241-PJQ5534_R2_00201	Panjit	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET Obtenga más información sobre Panjit pjqx 30v n channel mosfets	Hoja de datos	2,995En existencias	Cinta cortada S/3.54 S/1.62 S/1.43 S/1.10 Envase tipo carrete S/0.849 Ver S/0.743 S/0.724	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	DFN-5060X-8	N-Channel	1 Channel	30 V	37 A	8.9 mOhms	20 V	2.5 V	9.5 nC	- 55 C	+ 150 C	19.2 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET PJQ4524P-AU_R2_002A1 Panjit 1: S/5.14 Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas	N.º de artículo del Fabricante PJQ4524P-AU_R2_002A1 N.º de artículo de Mouser 241-PJQ4524PAUR22A1	Panjit	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET Obtenga más información sobre Panjit pjqx 30v n channel mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas	Cinta cortada S/5.14 S/2.39 S/2.12 S/1.65 Envase tipo carrete S/1.23 Ver S/1.62 S/1.53 S/1.21	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	DFN-3333-8	N-Channel	1 Channel	30 V	80 A	4.4 mOhms	20 V	2.5 V	21 nC	- 55 C	+ 175 C	45.5 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET PJQ4524P_R2_00201 Panjit 5,000: S/1.16 Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas	N.º de artículo del Fabricante PJQ4524P_R2_00201 N.º de artículo de Mouser 241-PJQ4524PR200201	Panjit	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET Obtenga más información sobre Panjit pjqx 30v n channel mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas	Envase tipo carrete S/1.16 S/1.12	Min.: 5,000 Mult.: 5,000 : 5,000	Si	SMD/SMT	DFN-3333-8	N-Channel	1 Channel	30 V	75 A	4.2 mOhms	20 V	2.5 V	21 nC	- 55 C	+ 150 C	38 W	Enhancement		Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET PJQ4526P_R2_00201 Panjit 5,000: S/0.938 Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas	N.º de artículo del Fabricante PJQ4526P_R2_00201 N.º de artículo de Mouser 241-PJQ4526PR200201	Panjit	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET Obtenga más información sobre Panjit pjqx 30v n channel mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas	Envase tipo carrete S/0.938 S/0.872	Min.: 5,000 Mult.: 5,000 : 5,000	Si	SMD/SMT	DFN-3333-8	N-Channel	1 Channel	30 V	62 A	5.5 mOhms	20 V	2.5 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	31.3 W	Enhancement		Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET PJQ4528P_R2_00201 Panjit 5,000: S/0.872 Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas	N.º de artículo del Fabricante PJQ4528P_R2_00201 N.º de artículo de Mouser 241-PJQ4528PR200201	Panjit	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET Obtenga más información sobre Panjit pjqx 30v n channel mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas	Envase tipo carrete S/0.872 S/0.806	Min.: 5,000 Mult.: 5,000 : 5,000	Si	SMD/SMT	DFN-3333-8	N-Channel	1 Channel	30 V	51 A	6.5 mOhms	20 V	2.5 V	10.7 nC	- 55 C	+ 150 C	26.6 W	Enhancement		Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET PJQ4530P_R2_00201 Panjit 5,000: S/0.845 Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas	N.º de artículo del Fabricante PJQ4530P_R2_00201 N.º de artículo de Mouser 241-PJQ4530PR200201	Panjit	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET Obtenga más información sobre Panjit pjqx 30v n channel mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas	Envase tipo carrete S/0.845 S/0.747 S/0.724	Min.: 5,000 Mult.: 5,000 : 5,000	Si	SMD/SMT	DFN-3333-8	N-Channel	1 Channel	30 V	45 A	7.8 mOhms	20 V	2.5 V	12.4 nC	- 55 C	+ 150 C	25 W	Enhancement		Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET PJQ4534P_R2_00201 Panjit 5,000: S/0.763 Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas	N.º de artículo del Fabricante PJQ4534P_R2_00201 N.º de artículo de Mouser 241-PJQ4534PR200201	Panjit	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET Obtenga más información sobre Panjit pjqx 30v n channel mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas	Envase tipo carrete S/0.763 S/0.673 S/0.642	Min.: 5,000 Mult.: 5,000 : 5,000	Si	SMD/SMT	DFN-3333-8	N-Channel	1 Channel	30 V	36 A	8.9 mOhms	20 V	2.5 V	9.5 nC	- 55 C	+ 150 C	18 W	Enhancement		Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET PJQ5520-AU_R2_002A1 Panjit 1: S/10.43 Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas	N.º de artículo del Fabricante PJQ5520-AU_R2_002A1 N.º de artículo de Mouser 241-PJQ5520AUR2002A1	Panjit	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET Obtenga más información sobre Panjit pjqx 30v n channel mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas	Cinta cortada S/10.43 S/5.14 S/4.59 S/3.68 S/3.60 Envase tipo carrete S/3.22	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	DFN-5060-8	N-Channel	1 Channel	30 V	152 A	1.7 mOhms	20 V	2.5 V	45 nC	- 55 C	+ 175 C	79 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET PJQ5522-AU_R2_002A1 Panjit 3,000: S/2.92 Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas	N.º de artículo del Fabricante PJQ5522-AU_R2_002A1 N.º de artículo de Mouser 241-PJQ5522AUR2002A1	Panjit	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET Obtenga más información sobre Panjit pjqx 30v n channel mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas	Envase tipo carrete S/2.92 S/2.90	Min.: 3,000 Mult.: 3,000 : 3,000	Si	SMD/SMT	DFN-5060-8	N-Channel	1 Channel	30 V	29.6 A	2 mOhms	20 V	2.5 V	43 nC	- 55 C	+ 175 C	3.3 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel