MOSFETs de SiC – Mouser Perú

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CoolSiC™ 1200V G2 Silicon Carbide MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 1200V G2 Silicon Carbide MOSFETs offer high-performance solutions for power electronics applications. These MOSFETs demonstrate excellent electrical characteristics and exhibit very low switching losses, enabling efficient operation. The 1200V G2 MOSFETs are designed for overload conditions, supporting operation up to 200°C, and can withstand short circuits for up to 2µs. These devices feature a 4.2V benchmark gate threshold voltage V_GS(th) and ensure precise control. The CoolSiC MOSFET 1200V G2 is available in three packages that build upon the strengths of Generation 1 technology to provide advanced solutions for more cost-optimized, efficient, compact, easy-to-design, and reliable systems. Generation 2 significantly improves key figures of merit for hard-/soft-switching topologies, ideal for all common combinations of DC-DC, AC-DC, and DC-AC stages.

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R004M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: S/284.07
1,377En existencias
750Se espera el 8/10/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMCQ120R004M2HXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMCQ120R004M2HXU

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

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Hoja de datos

1,377En existencias

750Se espera el 8/10/2026

Cinta cortada

S/284.07

S/246.78

S/222.38

S/203.54

Envase tipo carrete

S/203.54

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

403 A

10.4 mOhms

- 10 V, 25 V

5.1 V

348 nC

- 55 C

+ 175 C

1.5 kW

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

IMY120R018CM2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/77.34
188En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMY120R018CM2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMY120R018CM2HXK

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

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Hoja de datos

188En existencias

S/77.34

S/58.89

S/49.08

S/42.31

S/37.10

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

80 A

23 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

73 nC

- 40 C

+ 175 C

356 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

IMY120R036AM2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/55.47
215En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMY120R036AM2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMY120R036AM2HXK

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

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Hoja de datos

215En existencias

S/55.47

S/42.23

S/35.19

S/31.37

S/29.31

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

44 A

45 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

37 nC

- 40 C

+ 175 C

171 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

IMY120R036CM2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/50.33
182En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMY120R036CM2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMY120R036CM2HXK

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

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Hoja de datos

182En existencias

S/50.33

S/37.48

S/31.26

S/26.90

S/23.59

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

44 A

45 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

37 nC

- 40 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology

IMZC120R007M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/161.31
5En existencias
960En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZC120R007M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZC120R007M2HXK

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology

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5En existencias

960En pedido

S/161.31

S/122.69

S/112.80

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO247-4-U07

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

201 A

20 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

176 nC

- 55 C

+ 175 C

711 W

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

IMSQ120R012M2HHXUMA1
Infineon Technologies
1: S/168.58
588En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMSQ120R012M2HHXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMSQ120R012M2HHX

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

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588En existencias

Cinta cortada

S/168.58

S/130.87

S/122.19

Envase tipo carrete

S/122.19

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

1.2 kV

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2

IMZC120R022M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/72.13
1,552En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZC120R022M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZC120R022M2HXK

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2

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1,552En existencias

S/72.13

S/49.67

S/42.90

S/39.98

S/38.11

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

80 A

22 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

329 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R026M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/55.74
1,798En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMCQ120R026M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMCQ120R026M2HXT

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

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1,798En existencias

Cinta cortada

S/55.74

S/39.00

S/32.07

S/31.45

Envase tipo carrete

S/29.97

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

82 A

67 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

63.4 nC

- 55 C

+ 175 C

405 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R034M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/46.44
1,460En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMCQ120R034M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMCQ120R034M2HXT

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

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1,460En existencias

Cinta cortada

S/46.44

S/31.68

S/27.09

S/24.48

Envase tipo carrete

S/23.51

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

64 A

89 mOhms

- 10 V, + 25 C

5.1 V

48.7 nC

- 55 C

+ 175 C

326 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R053M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/36.82
335En existencias
750Se espera el 8/10/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMCQ120R053M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMCQ120R053M2HXT

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

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335En existencias

750Se espera el 8/10/2026

Cinta cortada

S/36.82

S/24.25

S/18.68

S/17.44

Envase tipo carrete

S/17.44

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

43 A

138 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

32.8 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R078M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/32.31
856En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMCQ120R078M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMCQ120R078M2HXT

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

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Hoja de datos

856En existencias

Cinta cortada

S/32.31

S/21.95

S/16.08

S/15.69

Envase tipo carrete

S/14.67

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

31 A

205 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

23.2 nC

- 55 C

+ 175 C

176 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

IMSQ120R026M2HHXUMA1
Infineon Technologies
1: S/92.95
692En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMSQ120R026M2HHXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMSQ120R026M2HHX

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

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692En existencias

Cinta cortada

S/92.95

S/67.03

S/61.93

S/57.84

Envase tipo carrete

S/57.84

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

1.2 kV

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

IMSQ120R040M2HHXUMA1
Infineon Technologies
1: S/73.65
660En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMSQ120R040M2HHXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMSQ120R040M2HHX

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

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660En existencias

Cinta cortada

S/73.65

S/52.39

S/46.01

S/42.93

Envase tipo carrete

S/42.93

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

1.2 kV

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R012M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/103.66
115En existencias
240Se espera el 3/09/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZA120R012M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA120R012M2HXK

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

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115En existencias

240Se espera el 3/09/2026

S/103.66

S/66.41

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

16 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

480 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R017M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/78.24
137En existencias
240Se espera el 17/09/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZA120R017M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA120R017M2HXK

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

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Hoja de datos

137En existencias

240Se espera el 17/09/2026

S/78.24

S/48.93

S/46.44

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

97 A

23 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

382 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R022M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/67.11
341En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZA120R022M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA120R022M2HXK

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

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Hoja de datos

341En existencias

S/67.11

S/41.38

S/38.11

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

80 A

29 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

329 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R040M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/46.48
352En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZA120R040M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA120R040M2HXK

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

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Hoja de datos

352En existencias

S/46.48

S/27.75

S/23.67

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

48 A

51 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

218 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2

IMZC120R012M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/103.66
496En existencias
240Se espera el 27/05/2027
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZC120R012M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZC120R012M2HXK

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2

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Hoja de datos

496En existencias

240Se espera el 27/05/2027

S/103.66

S/66.41

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

129 A

12 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2

IMZC120R017M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/81.28
599En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZC120R017M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZC120R017M2HXK

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2

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Hoja de datos

599En existencias

S/81.28

S/58.70

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 20

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

97 A

17 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

382 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2

IMZC120R026M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/59.94
451En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZC120R026M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZC120R026M2HXK

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2

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Hoja de datos

451En existencias

S/59.94

S/42.51

S/36.04

S/31.68

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

69 A

25 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

289 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2

IMZC120R034M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/48.81
981En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZC120R034M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZC120R034M2HXK

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2

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Hoja de datos

981En existencias

S/48.81

S/29.31

S/25.22

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

55 A

- 10 V, + 25 V

5.1 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

244 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2

IMZC120R053M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/39.55
707En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZC120R053M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZC120R053M2HXK

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2

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Hoja de datos

707En existencias

S/39.55

S/23.32

S/19.73

S/19.70

S/19.15

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

38 A

53 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

182 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R008M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/140.40
1,043En existencias
1,000Se espera el 3/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R008M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R008M2HXT

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

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1,043En existencias

1,000Se espera el 3/09/2026

Cinta cortada

S/140.40

S/105.41

Envase tipo carrete

S/105.41

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 10

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

189 A

7.7 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

195 nC

- 55 C

+ 175 C

800 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R017M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/74.89
3,135En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R017M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R017M2HXT

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

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Hoja de datos

3,135En existencias

Cinta cortada

S/74.89

S/53.37

S/47.57

S/47.22

Envase tipo carrete

S/43.87

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

107 A

17.1 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

470 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling

IMCQ120R007M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/164.85
6En existencias
750En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMCQ120R007M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMCQ120R007M2HXT

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling

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6En existencias

750En pedido

Cinta cortada

S/164.85

S/118.88

S/111.01

Envase tipo carrete

S/111.01

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22

1.2 kV

257 A

7.5 mOhms

4.2 V

+ 175 C

- 55 C

1.172 kW

CoolSiC

CoolSiC™ 1200V G2 Silicon Carbide MOSFETs

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Soporte

8.1 A
14.9 A
21.2 A
28 A
29 A
31 A
38 A
41 A
43 A
44 A
48 A
52 A
55 A
56 A
64 A
69 A
75 A
80 A
82 A
87 A

7.5 mOhms
7.7 mOhms
10.4 mOhms
12 mOhms
12.2 mOhms
13.6 mOhms
16 mOhms
17 mOhms
17.1 mOhms
20 mOhms
21.6 mOhms
22 mOhms
23 mOhms
25 mOhms
25.4 mOhms
29 mOhms
34 mOhms
39.6 mOhms
40 mOhms
45 mOhms

7.9 nC
8.1 nC
9.7 nC
14.4 nC
20.6 nC
21 nC
23.2 nC
30 nC
32.8 nC
37 nC
39 nC
42.4 nC
45 nC
48.7 nC
60 nC
63.4 nC
71 nC
73 nC
89 nC
124 nC

80 W
94 W
123 W
143 W
158 W
171 W
176 W
182 W
205 W
218 W
234 W
244 W
250 W
288 W
289 W
326 W
329 W
335 W
356 W
382 W