Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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MDmesh™ M9 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ M9 Power MOSFETs feature enhanced device structure, low ON resistance, and low gate charge values. These power MOSFETs offer high reverse diode dv/dt and MOSFET dv/dt ruggedness, high power density, and low conduction losses. The MDmesh M9 Power MOSFETs also offer high switching speed, high efficiency, and low switching power losses. These power MOSFETs are designed with innovative high-voltage super-junction technology that delivers impressive Figure of Merit ((FoM). The high FoM enables higher power levels and density for more compact solutions. Typical applications include servers, telecom data centers, 5G power stations, microinverters, and fast chargers.

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Resultados: 21

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Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET

STW65N023M9-4
STMicroelectronics
1: S/72.67
459En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW65N023M9-4

N.º de artículo de Mouser
511-STW65N023M9-4

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET

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Hoja de datos

459En existencias

S/72.67

S/41.92

S/41.88

S/38.34

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

95 A

23 mOhms

30 V

4.2 V

230 nC

- 55 C

+ 150 C

463 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET

STW65N045M9-4
STMicroelectronics
1: S/40.60
532En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW65N045M9-4

N.º de artículo de Mouser
511-STW65N045M9-4

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET

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Hoja de datos

532En existencias

S/40.60

S/22.23

S/21.68

S/19.00

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

54 A

45 mOhms

30 V

4.2 V

80 nC

- 55 C

+ 150 C

312 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET

STP60N043DM9
STMicroelectronics
1: S/44.88
894En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP60N043DM9

N.º de artículo de Mouser
511-STP60N043DM9

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET

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Hoja de datos

894En existencias

S/44.88

S/25.11

S/23.20

S/22.58

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

56 A

43 mOhms

30 V

4.5 V

78.6 nC

- 55 C

+ 150 C

245 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 55 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package

ST8L65N050DM9
STMicroelectronics
1: S/32.46
88En existencias
3,000Se espera el 30/10/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ST8L65N050DM9

N.º de artículo de Mouser
511-ST8L65N050DM9

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 55 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package

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88En existencias

3,000Se espera el 30/10/2026

Cinta cortada

S/32.46

S/17.59

S/16.15

S/15.80

Envase tipo carrete

S/14.75

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-4

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

35 mOhms

30 V

4.5 V

107 nC

- 55 C

+ 150 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 48 mOhm typ., 44 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package

ST8L65N065DM9
STMicroelectronics
1: S/26.98
201En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ST8L65N065DM9

N.º de artículo de Mouser
511-ST8L65N065DM9

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 48 mOhm typ., 44 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package

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201En existencias

Cinta cortada

S/26.98

S/18.06

S/14.52

S/12.92

S/12.22

Envase tipo carrete

S/11.41

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-4

N-Channel

1 Channel

650 V

44 A

65 mOhms

30 V

4.5 V

78 nC

- 55 C

+ 150 C

223 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 32 mOhm typ. 62 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-247 long leads

STWA60N035M9
STMicroelectronics
1: S/34.76
266En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STWA60N035M9

N.º de artículo de Mouser
511-STWA60N035M9

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 32 mOhm typ. 62 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-247 long leads

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Hoja de datos

266En existencias

S/34.76

S/18.53

S/17.05

S/16.35

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

62 A

35 mOhms

30 V

4.2 V

112 nC

- 55 C

+ 150 C

321 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 58 A MDmesh M9 Power MOSFET

ST8L65N044M9
STMicroelectronics
1: S/32.81
2,779En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ST8L65N044M9

N.º de artículo de Mouser
511-ST8L65N044M9

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 58 A MDmesh M9 Power MOSFET

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2,779En existencias

Cinta cortada

S/32.81

S/20.90

S/18.53

S/16.47

S/15.92

Envase tipo carrete

S/14.75

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5

N-Channel

1 Channel

650 V

58 A

44 mOhms

30 V

4.2 V

110 nC

- 55 C

+ 150 C

166 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 51 A MDmesh DM9 Power MOSFET

STH65N050DM9-7AG
STMicroelectronics
1: S/37.48
994En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STH65N050DM9-7AG

N.º de artículo de Mouser
511-STH65N050DM9-7AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 51 A MDmesh DM9 Power MOSFET

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Hoja de datos

994En existencias

Cinta cortada

S/37.48

S/20.63

S/19.11

Envase tipo carrete

S/18.06

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

51 A

50 mOhms

30 V

4.5 V

100 nC

- 50 C

+ 150 C

266 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 51 mOhm typ., 39 A MDmesh DM9 Power MOSFET

ST8L60N065DM9
STMicroelectronics
1: S/27.44
150En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ST8L60N065DM9

N.º de artículo de Mouser
511-ST8L60N065DM9

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 51 mOhm typ., 39 A MDmesh DM9 Power MOSFET

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Hoja de datos

150En existencias

Cinta cortada

S/27.44

S/14.64

S/13.39

S/12.65

S/11.95

Envase tipo carrete

S/11.95

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5

N-Channel

600 V

39 A

65 mOhms

30 V

4.5 V

66 nC

- 55 C

+ 150 C

202 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET

STWA65N023M9
STMicroelectronics
1: S/60.96
247En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STWA65N023M9

N.º de artículo de Mouser
511-STWA65N023M9

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET

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Hoja de datos

247En existencias

S/60.96

S/34.49

S/33.48

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

95 A

30 V

4.2 V

230 nC

- 55 C

+ 150 C

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET

STWA60N043DM9
STMicroelectronics
1: S/49.59
49En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STWA60N043DM9

N.º de artículo de Mouser
511-STWA60N043DM9

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET

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Hoja de datos

49En existencias

S/49.59

S/28.57

S/26.47

S/25.96

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

56 A

43 mOhms

30 V

4.5 V

78.6 nC

- 55 C

+ 150 C

312 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 250 V, 14 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET in a D2PAK package

STB25N018M9
STMicroelectronics
1: S/22.50
42En existencias
1,000En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STB25N018M9

N.º de artículo de Mouser
511-STB25N018M9

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 250 V, 14 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET in a D2PAK package

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Hoja de datos

42En existencias

1,000En pedido

Cinta cortada

S/22.50

S/11.79

S/10.74

S/9.69

Envase tipo carrete

S/8.37

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3

N-Channel

1 Channel

250 V

56 A

18 mOhms

30 V

4.2 V

85 nC

- 55 C

+ 150 C

320 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 132 mOhm typ., 17 A MDmesh M9 Power MOSFET

STD65N160M9
STMicroelectronics
1: S/15.22
304En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD65N160M9

N.º de artículo de Mouser
511-STD65N160M9

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 132 mOhm typ., 17 A MDmesh M9 Power MOSFET

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Hoja de datos

304En existencias

Cinta cortada

S/15.22

S/7.71

S/6.97

S/5.72

Envase tipo carrete

S/5.37

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

17 A

160 mOhms

30 V

4.2 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

106 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 55 A MDmesh M9 Power MOSFET

STP65N045M9
STMicroelectronics
1: S/34.29
475En existencias
1,000Se espera el 29/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
STP65N045M9

N.º de artículo de Mouser
511-STP65N045M9

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 55 A MDmesh M9 Power MOSFET

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Hoja de datos

475En existencias

1,000Se espera el 29/01/2027

S/34.29

S/18.68

S/17.20

S/16.08

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

45 mOhms

30 V

4.2 V

80 nC

- 55 C

+ 150 C

245 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET

STWA65N045M9
STMicroelectronics
1: S/39.74
1En existencias
1,200Se espera el 13/08/2027

N.º de artículo del Fabricante
STWA65N045M9

N.º de artículo de Mouser
511-STWA65N045M9

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET

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Hoja de datos

1En existencias

1,200Se espera el 13/08/2027

S/39.74

S/23.39

S/20.47

S/19.23

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

650 V

54 A

45 mOhms

30 V

4.2 V

80 nC

- 55 C

+ 150 C

312 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 76 mOhm typ., 27 A MDmesh DM9 Power MOSFET

STH60N099DM9-2AG
STMicroelectronics
1: S/25.81
1,801Se espera el 24/09/2027

N.º de artículo del Fabricante
STH60N099DM9-2AG

N.º de artículo de Mouser
511-STH60N099DM9-2AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 76 mOhm typ., 27 A MDmesh DM9 Power MOSFET

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Hoja de datos

1,801Se espera el 24/09/2027

Cinta cortada

S/25.81

S/13.62

S/12.42

S/11.72

Envase tipo carrete

S/10.16

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

600 V

27 A

99 mOhms

30 V

4.5 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

179 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 37 mOhm typ., 54 A MDmesh DM9 Power MOSFET

STHU60N046DM9AG
STMicroelectronics
1: S/38.07
600Se espera el 29/01/2027
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STHU60N046DM9AG

N.º de artículo de Mouser
511-STHU60N046DM9AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 37 mOhm typ., 54 A MDmesh DM9 Power MOSFET

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Hoja de datos

600Se espera el 29/01/2027

Cinta cortada

S/38.07

S/26.04

Envase tipo carrete

S/26.04

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 50

: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

600 V

54 A

46 mOhms

30 V

4.5 V

77 nC

- 55 C

+ 150 C

245 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 51 A MDmesh DM9 Power MOSFET

STHU65N050DM9AG
STMicroelectronics
1: S/40.17
1,200Se espera el 12/02/2027
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STHU65N050DM9AG

N.º de artículo de Mouser
511-STHU65N050DM9AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 51 A MDmesh DM9 Power MOSFET

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Hoja de datos

1,200Se espera el 12/02/2027

Cinta cortada

S/40.17

S/25.15

S/21.84

Envase tipo carrete

S/19.35

Min.: 1
Mult.: 1

: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

51 A

50 mOhms

30 V

4.5 V

100 nC

- 55 C

+ 150 C

245 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 23 mOhm typ., 79 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-LL package

STO60N030M9
STMicroelectronics
1: S/41.92
1,800En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STO60N030M9

N.º de artículo de Mouser
511-STO60N030M9

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 23 mOhm typ., 79 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-LL package

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Hoja de datos

1,800En pedido

Cinta cortada

S/41.92

S/29.31

S/23.55

S/22.07

S/20.59

Envase tipo carrete

S/20.59

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 39 mOhm typ., 55 A, MDmesh DM9 Power MOSFET in a TO-LL package

STO60N045DM9
STMicroelectronics
1: S/39.47
1,800Se espera el 16/10/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STO60N045DM9

N.º de artículo de Mouser
511-STO60N045DM9

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 39 mOhm typ., 55 A, MDmesh DM9 Power MOSFET in a TO-LL package

Obtenga más información

Hoja de datos

1,800Se espera el 16/10/2026

Cinta cortada

S/39.47

S/25.30

S/21.10

S/20.24

S/19.15

Envase tipo carrete

S/19.15

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 128 mOhm typ., 20 A MDmesh M9 Power MOSFET

STP65N150M9
STMicroelectronics
1: S/16.23
497Se espera el 29/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
STP65N150M9

N.º de artículo de Mouser
511-STP65N150M9

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 128 mOhm typ., 20 A MDmesh M9 Power MOSFET

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Hoja de datos

497Se espera el 29/01/2027

S/16.23

S/8.25

S/7.47

S/6.15

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

150 mOhms

30 V

3.2 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

140 W

Enhancement

Tube

MDmesh™ M9 Power MOSFETs

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