Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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π-MOS VIII MOSFETs

Toshiba π-MOS VIII MOSFETs are 10V gate drive single N-channel devices based on the Toshiba eighth-generation planar semiconductor process, which combines high levels of cell integration with optimized cell design. The technology supports reduced gate charge and capacitance compared to prior generations without losing the benefits of low R_DS(ON). Available with 800V and 900V ratings, these MOSFETs target applications such as flyback converters in LED lighting, supplementary power supplies, and other circuits that require current switching below 5.0A. These devices are offered in a standard TO-220 through-hole form factor and a surface-mounted DPAK package.

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Resultados: 11

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) MOQ=2000 PD=80W F=1MHZ TK3P80E,RQ Toshiba 1: S/7.16 3,112En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK3P80E,RQ N.º de artículo de Mouser 757-TK3P80ERQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) MOQ=2000 PD=80W F=1MHZ Obtenga más información sobre Toshiba mosviii mosfets	Hoja de datos	3,112En existencias	Cinta cortada S/7.16 S/4.44 S/2.91 S/2.28 Envase tipo carrete S/1.85 Ver S/1.95 S/1.57 S/1.51 S/1.47 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	800 V	3 A	4.9 Ohms	30 V	2.5 V	12 nC	- 55 C	+ 150 C	80 W	Enhancement	MOSVIII	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 900V 2A N-CH MOSFET TK2P90E,RQ Toshiba 1: S/8.14 4,015En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK2P90E,RQ N.º de artículo de Mouser 757-TK2P90ERQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 900V 2A N-CH MOSFET Obtenga más información sobre Toshiba mosviii mosfets	Hoja de datos	4,015En existencias	Cinta cortada S/8.14 S/3.89 S/3.47 S/2.75 Envase tipo carrete S/2.28 Ver S/2.53 S/2.11 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	900 V	2 A	5.9 Ohms	30 V	2.5 V	12 nC	- 55 C	+ 150 C	80 W	Enhancement	MOSVIII	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLN MOS 900V 1300m (VGS=10V) TO-3PN TK9J90E,S1E Toshiba 1: S/15.26 2,496En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK9J90E,S1E N.º de artículo de Mouser 757-TK9J90ES1E	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLN MOS 900V 1300m (VGS=10V) TO-3PN Obtenga más información sobre Toshiba mosviii mosfets	Hoja de datos	2,496En existencias	S/15.26 S/8.68 S/6.89 S/6.31 S/4.63	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-3P	N-Channel	1 Channel	900 V	9 A	1.3 Ohms	30 V	2.5 V	46 nC	- 55 C	+ 150 C	250 W	Enhancement	MOSVIII	Tray
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-220SIS TK10A80E,S4X Toshiba 1: S/11.05 153En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK10A80E,S4X N.º de artículo de Mouser 757-TK10A80ES4X	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-220SIS Obtenga más información sobre Toshiba mosviii mosfets	Hoja de datos	153En existencias	S/11.05 S/5.45 S/5.41 S/5.06	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220FP-3	N-Channel	1 Channel	800 V	10 A	700 mOhms	30 V	4 V	46 nC	- 55 C	+ 150 C	50 W	Enhancement	MOSVIII	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-3PN TK10J80E,S1E Toshiba 1: S/17.17 4En existencias 125Se espera el 15/02/2027	N.º de artículo del Fabricante TK10J80E,S1E N.º de artículo de Mouser 757-TK10J80ES1E	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-3PN Obtenga más información sobre Toshiba mosviii mosfets	Hoja de datos	4En existencias 125Se espera el 15/02/2027	S/17.17 S/8.02 S/7.12	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-3PN-3	N-Channel	1 Channel	800 V	10 A	700 mOhms	30 V	4 V	46 nC	- 55 C	+ 150 C	250 W	Enhancement	MOSVIII	Tray
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ TK3A90E,S4X Toshiba 1: S/6.27 250En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK3A90E,S4X N.º de artículo de Mouser 757-TK3A90ES4X	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ Obtenga más información sobre Toshiba mosviii mosfets	Hoja de datos	250En existencias	S/6.27 S/2.96 S/2.95 S/2.31	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	900 V	2.5 A	4.6 Ohms	30 V	2.5 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	35 W	Enhancement	MOSVIII	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ TK4A80E,S4X Toshiba 1: S/6.38 265En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK4A80E,S4X N.º de artículo de Mouser 757-TK4A80ES4X	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ Obtenga más información sobre Toshiba mosviii mosfets	Hoja de datos	265En existencias	S/6.38 S/3.01 S/2.31	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	4 A	3.5 Ohms	30 V	2.5 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	35 W	Enhancement	MOSVIII	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLN MOS 800V 1700m (VGS=10V) TO-220SIS TK6A80E,S4X Toshiba 1: S/9.19 158En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK6A80E,S4X N.º de artículo de Mouser 757-TK6A80ES4X	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLN MOS 800V 1700m (VGS=10V) TO-220SIS Obtenga más información sobre Toshiba mosviii mosfets	Hoja de datos	158En existencias	S/9.19 S/4.48 S/4.44 S/3.89	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	6 A	1.35 Ohms	30 V	4 V	32 nC	- 55 C	+ 150 C	45 W	Enhancement	MOSVIII	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLN MOS 900V 2000m (VGS=10V) TO-220SIS TK7A90E,S4X Toshiba 1: S/8.56 170En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK7A90E,S4X N.º de artículo de Mouser 757-TK7A90ES4X	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLN MOS 900V 2000m (VGS=10V) TO-220SIS Obtenga más información sobre Toshiba mosviii mosfets	Hoja de datos	170En existencias	S/8.56 S/4.16 S/4.13 S/3.56	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	900 V	7 A	1.6 Ohms	30 V	4 V	32 nC	- 55 C	+ 150 C	45 W	Enhancement	MOSVIII	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLN MOS 900V 2000m (VGS=10V) TO-3PN TK7J90E,S1E Toshiba 1: S/13.78 98En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK7J90E,S1E N.º de artículo de Mouser 757-TK7J90ES1E	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLN MOS 900V 2000m (VGS=10V) TO-3PN Obtenga más información sobre Toshiba mosviii mosfets	Hoja de datos	98En existencias	S/13.78 S/6.89 S/6.31	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-3PN-3	N-Channel	1 Channel	900 V	7 A	1.6 Ohms	30 V	4 V	32 nC	- 55 C	+ 150 C	200 W	Enhancement	MOSVIII	Tray
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLN MOS 900V 1300m (VGS=10V) TO-220SIS TK9A90E,S4X Toshiba 1: S/12.49 5En existencias 550Se espera el 15/01/2027	N.º de artículo del Fabricante TK9A90E,S4X N.º de artículo de Mouser 757-TK9A90ES4X	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLN MOS 900V 1300m (VGS=10V) TO-220SIS Obtenga más información sobre Toshiba mosviii mosfets	Hoja de datos	5En existencias 550Se espera el 15/01/2027	S/12.49 S/6.11 S/5.45 S/4.63	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	900 V	9 A	1 Ohms	30 V	4 V	46 nC	- 55 C	+ 150 C	50 W	Enhancement	MOSVIII	Tube

π-MOS VIII MOSFETs

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