Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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π-MOS VIII MOSFETs

Toshiba π-MOS VIII MOSFETs are 10V gate drive single N-channel devices based on the Toshiba eighth-generation planar semiconductor process, which combines high levels of cell integration with optimized cell design. The technology supports reduced gate charge and capacitance compared to prior generations without losing the benefits of low R_DS(ON). Available with 800V and 900V ratings, these MOSFETs target applications such as flyback converters in LED lighting, supplementary power supplies, and other circuits that require current switching below 5.0A. These devices are offered in a standard TO-220 through-hole form factor and a surface-mounted DPAK package.

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) MOQ=2000 PD=80W F=1MHZ

TK3P80E,RQ
Toshiba
1: S/7.16
3,112En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK3P80E,RQ

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757-TK3P80ERQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) MOQ=2000 PD=80W F=1MHZ

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Cinta cortada

S/7.16

S/4.44

S/2.91

S/2.28

Envase tipo carrete

S/1.85

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

3 A

4.9 Ohms

30 V

2.5 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

80 W

Enhancement

MOSVIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 900V 2A N-CH MOSFET

TK2P90E,RQ
Toshiba
1: S/8.14
4,015En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK2P90E,RQ

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757-TK2P90ERQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 900V 2A N-CH MOSFET

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Cinta cortada

S/8.14

S/3.89

S/3.47

S/2.75

Envase tipo carrete

S/2.28

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

900 V

2 A

5.9 Ohms

30 V

2.5 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

80 W

Enhancement

MOSVIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLN MOS 900V 1300m (VGS=10V) TO-3PN

TK9J90E,S1E
Toshiba
1: S/15.26
2,496En existencias

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TK9J90E,S1E

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757-TK9J90ES1E

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLN MOS 900V 1300m (VGS=10V) TO-3PN

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2,496En existencias

S/15.26

S/8.68

S/6.89

S/6.31

S/4.63

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3P

N-Channel

1 Channel

900 V

9 A

1.3 Ohms

30 V

2.5 V

46 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MOSVIII

Tray

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-220SIS

TK10A80E,S4X
Toshiba
1: S/11.05
153En existencias

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TK10A80E,S4X

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757-TK10A80ES4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-220SIS

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153En existencias

S/11.05

S/5.45

S/5.41

S/5.06

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

800 V

10 A

700 mOhms

30 V

4 V

46 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

MOSVIII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-3PN

TK10J80E,S1E
Toshiba
1: S/17.17
4En existencias
125Se espera el 15/02/2027

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TK10J80E,S1E

N.º de artículo de Mouser
757-TK10J80ES1E

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-3PN

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S/17.17

S/8.02

S/7.12

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PN-3

N-Channel

1 Channel

800 V

10 A

700 mOhms

30 V

4 V

46 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MOSVIII

Tray

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ

TK3A90E,S4X
Toshiba
1: S/6.27
250En existencias

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TK3A90E,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK3A90ES4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ

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250En existencias

S/6.27

S/2.96

S/2.95

S/2.31

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

900 V

2.5 A

4.6 Ohms

30 V

2.5 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

MOSVIII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ

TK4A80E,S4X
Toshiba
1: S/6.38
265En existencias

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TK4A80E,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK4A80ES4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ

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265En existencias

S/6.38

S/3.01

S/2.31

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

4 A

3.5 Ohms

30 V

2.5 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

MOSVIII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLN MOS 800V 1700m (VGS=10V) TO-220SIS

TK6A80E,S4X
Toshiba
1: S/9.19
158En existencias

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TK6A80E,S4X

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757-TK6A80ES4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLN MOS 800V 1700m (VGS=10V) TO-220SIS

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S/9.19

S/4.48

S/4.44

S/3.89

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

6 A

1.35 Ohms

30 V

4 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

MOSVIII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLN MOS 900V 2000m (VGS=10V) TO-220SIS

TK7A90E,S4X
Toshiba
1: S/8.56
170En existencias

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TK7A90E,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK7A90ES4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLN MOS 900V 2000m (VGS=10V) TO-220SIS

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S/8.56

S/4.16

S/4.13

S/3.56

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

900 V

7 A

1.6 Ohms

30 V

4 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

MOSVIII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLN MOS 900V 2000m (VGS=10V) TO-3PN

TK7J90E,S1E
Toshiba
1: S/13.78
98En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK7J90E,S1E

N.º de artículo de Mouser
757-TK7J90ES1E

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLN MOS 900V 2000m (VGS=10V) TO-3PN

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S/13.78

S/6.89

S/6.31

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PN-3

N-Channel

1 Channel

900 V

7 A

1.6 Ohms

30 V

4 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

200 W

Enhancement

MOSVIII

Tray

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLN MOS 900V 1300m (VGS=10V) TO-220SIS

TK9A90E,S4X
Toshiba
1: S/12.49
5En existencias
550Se espera el 15/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
TK9A90E,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK9A90ES4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLN MOS 900V 1300m (VGS=10V) TO-220SIS

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550Se espera el 15/01/2027

S/12.49

S/6.11

S/5.45

S/4.63

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

900 V

9 A

1 Ohms

30 V

4 V

46 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

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