OptiMOS™ PD (Power Delivery) MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ PD (Power Delivery) MOSFETs are ideal for USB-PD and fast-charger designs, supporting short lead and quick-quote response times. The logic-level MOSFETs in PQFN 3.3mm x 3.3mm and SuperSO8 packages have been optimized for synchronous rectification in charger and adapter 25V to 150V SMPS applications. The logic-level drive provides a low gate threshold voltage (VGS(th)), allowing low- and medium-voltage MOSFETs to be driven from 4.5V or directly from microcontrollers, leading to a lower part count in the application.

Resultados: 6
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
Hoja de datos
3,119En existencias
Cinta cortada
S/8.33
S/4.05
S/3.62
S/3.55
S/3.48
Envase tipo carrete
S/2.34
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 64 A 7.8 mOhms 20 V 2.3 V 11 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
Hoja de datos
265En existencias
10,000Se espera el 19/08/2027
Cinta cortada
S/8.17
S/4.63
S/3.43
S/2.72
S/2.62
Envase tipo carrete
S/2.18
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 60 V 86 A 4.5 mOhms 20 V 2.3 V 15 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
Hoja de datos
2,464En existencias
25,000En pedido
Cinta cortada
S/6.97
S/3.85
S/2.92
S/2.30
Envase tipo carrete
S/1.80
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 60 V 56 A 7.3 mOhms 20 V 2.3 V 8.7 nC - 55 C + 175 C 44 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS
Hoja de datos
55,005En pedido
Cinta cortada
S/7.47
S/3.93
S/3.18
S/2.67
Ver
Envase tipo carrete
S/2.00
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 2.7 mOhms 20 V 2.3 V 30 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Envase tipo carrete
S/3.97
Min.: 5,000
Mult.: 5,000
: 5,000
Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 100 V 150 A 3.6 mOhms 20 V 2.3 V 29 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Reel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Envase tipo carrete
S/2.59
Min.: 5,000
Mult.: 5,000
: 5,000
Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 100 V 71 A 7.8 mOhms 20 V 2.3 V 13 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Reel