STripFET F8 N-Channel Power MOSFETs

STMicroelectronics STripFET F8 N-Channel Power MOSFETs are AEC-Q101 qualified and offer a comprehensive package solution from 30V to 150V to meet all the requirements for very high-power-density solutions. These low-voltage MOSFETs feature STPOWER STripFET F8 technology. STripFET F8 technology saves energy and ensures low noise in power conversion, motor control, and power distribution circuits by cutting both on-resistance and switching losses while optimizing body-diode properties. The STMicroelectronics STripFET F8 N-Channel Power MOSFETs simplify system designs and increase efficiency in applications such as automotive, computer / peripherals, data centers, telecom, solar, power supplies / converters, battery chargers, home / professional appliances, gaming, drones, and more.

Resultados: 25
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-Channel 40V, 2.6mOhm max, 154A STripFET F8 Power MOSFET 3,026En existencias
Cinta cortada
S/8.49
S/4.13
S/3.67
S/2.92
Envase tipo carrete
S/2.53
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel 1 Channel 40 V 154 A 2.6 mOhms 20 V 4 V 28 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 40 V, 0.48 mOhm max., 672 A STripFET F8 Power MOSFET 419En existencias
2,000Se espera el 12/03/2027
Cinta cortada
S/20.12
S/10.43
S/9.50
S/8.37
Envase tipo carrete
S/7.86
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
AEC-Q101 Reel, Cut Tape


STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 100 V, 4.6 mOhms max., 125 A STripFET F8 Power MOSFET 5,293En existencias
3,000Se espera el 14/10/2026
Cinta cortada
S/12.22
S/6.07
S/5.49
S/4.44
S/4.24
Envase tipo carrete
S/3.97
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT PowerFLAT-8 N-Channel 1 Channel 100 V 125 A 4.6 mOhms 20 V 4 V 56 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Enhancement Mode 100V, 3.2mOhm max, 158A STripFET F8 Power MOSFET 2,883En existencias
3,000Se espera el 1/10/2027
Cinta cortada
S/13.90
S/8.17
S/6.34
S/5.29
S/5.10
Envase tipo carrete
S/4.63
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel 1 Channel 100 V 158 A 3.2 mOhms 20 V 4 V 90 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 100 V, 3.2 mOhm max., 154 A STripFET F8 Power MOSFET 2,262En existencias
3,000Se espera el 14/10/2026
Cinta cortada
S/14.83
S/8.80
S/6.93
S/5.80
Envase tipo carrete
S/5.53
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel 1 Channel 100 V 158 A 3.2 mOhms 20 V 4 V 90 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel logic level 40 V, 1.0 mOhm max., 304 A, STripFET F8 Power MOSFET 2,028En existencias
Cinta cortada
S/10.74
S/5.29
S/4.75
S/3.81
S/3.70
Envase tipo carrete
S/3.36
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT PowerFLAT-8 N-Channel 1 Channel 40 V 304 A 1 mOhms 20 V 2 V 70 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Enhancement Mode 40V, 1.1mohm 290A Automotive STripFET F8 Power MOSFET 2,905En existencias
Cinta cortada
S/11.87
S/5.92
S/5.33
S/4.28
S/4.20
Envase tipo carrete
S/3.86
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
SMD/SMT PowerFLAT-8 N-Channel 290 A 1.1 mOhms Enhancement AEC-Q101 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel


STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-Channel 40 V, 0.85 mOhm max., 350A STripFET F8 Power MOSFET 3,692En existencias
Cinta cortada
S/13.58
S/6.81
S/6.15
S/5.02
S/4.94
Envase tipo carrete
S/4.59
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel 1 Channel 40 V 373 A 1.1 mOhms 16 V 2 V 95 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Enhancement Mode Standard Level 100V, 4.6mohm max, 125A STripFET F8 405En existencias
9,000En pedido
Cinta cortada
S/10.78
S/5.33
S/4.98
S/3.83
S/3.77
Envase tipo carrete
S/3.38
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 100 V 125 A 4.6 mOhms 20 V 2 V 56 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel


STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-Channel Enhancement Mode Logic Level 40V, 1mOhm, 305A STripFET F8 273En existencias
Cinta cortada
S/12.30
S/6.15
S/5.53
S/4.48
S/4.36
Envase tipo carrete
S/4.05
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT PowerFLAT-8 N-Channel 1 Channel 40 V 304 A 1 mOhms 16 V 2 V 70 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel enhancement mode logic level 40V 0.8mOhm 360A STripFET F8 Power MOSFET 1,612En existencias
3,000Se espera el 2/10/2026
Cinta cortada
S/12.73
S/6.54
S/5.72
S/4.71
S/4.52
Envase tipo carrete
S/4.05
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 40 V 360 A 800 uOhms 20 V 2 V 43 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V Logic Level, 0.55 mOhm STripFET F8 Power MOSFET 1,368En existencias
3,000Se espera el 28/09/2026
Cinta cortada
S/13.70
S/6.89
S/5.88
S/4.94
S/4.67
Envase tipo carrete
S/4.67
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si N-Channel AEC-Q101 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel logic level 40 V, 0.59 mOhm max., 420 A Smart STripFET F8 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package 28En existencias
3,000Se espera el 19/10/2026
Cinta cortada
S/14.52
S/8.52
S/6.42
S/5.22
Envase tipo carrete
S/4.32
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Enhancement Mode 40V, 1.1mohm max, 290 STripFET F8 Power MOSFET 80En existencias
12,000Se espera el 28/05/2027
Cinta cortada
S/10.78
S/5.33
S/4.79
S/3.83
S/3.71
Envase tipo carrete
S/3.37
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
N-Channel 290 A 1.1 mOhms Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 80 V, 4.5 mOhm max., 126 A STripFET F8 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
500Se espera el 13/10/2026
Cinta cortada
S/9.50
S/6.03
S/4.09
S/3.29
Envase tipo carrete
S/2.61
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT PowerFLAT-8 N-Channel 1 Channel 80 V 126 A 4.5 mOhms 20 V 4 V 47 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 80 V, 2.3 mOhm max., 181 A STripFET F8 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
500Se espera el 19/10/2026
Cinta cortada
S/14.29
S/7.20
S/6.50
S/5.29
Envase tipo carrete
S/4.40
S/4.28
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT PowerFLAT-8 N-Channel 1 Channel 80 V 181 A 2.3 mOhms 20 V 4 V 85 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel logic level 40 V, 2.7 mOhm max., 103 A STripFET F8 Power MOSFET Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Cinta cortada
S/7.16
S/4.48
S/3.02
S/2.55
Envase tipo carrete
S/1.83
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Reel, Cut Tape
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel logic level 40 V, 2.3 mOhm max., 124 A STripFET F8 Power MOSFET Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Cinta cortada
S/6.89
S/4.32
S/2.83
S/2.25
Envase tipo carrete
S/1.74
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Reel, Cut Tape
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel logic level 40 V, 2.6 mOhm max, 144 A STripFET F8 Power MOSFET Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas
Cinta cortada
S/6.54
S/4.55
S/3.26
S/2.65
Envase tipo carrete
S/1.98
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Reel, Cut Tape
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40V, 2.6 mOhm max., 154 A STripFET F8 Power MOSFET Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas
Cinta cortada
S/8.49
S/5.10
S/3.47
S/2.95
Envase tipo carrete
S/2.29
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Reel, Cut Tape
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Enhancement Mode 40V Logic level 2.2mOhm 167A STripFET F8 Power MOSFET Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas
Envase tipo carrete
S/2.29
S/2.20
S/2.18
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000
Si SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel 1 Channel 40 V 167 A 3.2 mOhms 20 V 2 V 34.5 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement STripFET Reel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel logic level 40V 2.2 mOhm 167A STripFET F8 PowerMOSFET Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Cinta cortada
S/8.87
S/5.64
S/3.80
S/3.08
S/2.90
Envase tipo carrete
S/2.48
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT PowerFLAT-8 N-Channel 1 Channel 40 V 167 A 3.2 mOhms 16 V 2 V 34.5 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Reel, Cut Tape
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N- channel 40 V, 1.7 mOhm max., 203 A STripFET F8 Power MOSFET Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Envase tipo carrete
S/2.83
S/2.78
S/2.69
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000
Reel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 0.85 mOhm max., 350 A STripFET F8 Power MOSFET Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Cinta cortada
S/3.97
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Si SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel 1 Channel 40 V 360 A 1.15 mOhms 20 V 2 V 96 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement Reel
STMicroelectronics STL145N4LF8AG
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel logic level 40 V, 2.6 mOhm 141 A STripFET F8 Power MOSFET Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Cinta cortada
S/8.80
S/5.61
S/3.76
S/3.04
S/2.86
Envase tipo carrete
S/2.45
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
AEC-Q101 Reel, Cut Tape