Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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MOSFET de potencia 150 V OptiMOS™ 6

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 150V Power MOSFETs feature industry-leading low R_DS(on), improved switching performance, and excellent EMI behavior, which contribute to unparalleled efficiency, power density, and reliability. The OptiMOS 6 technology offers significant improvements over its predecessor, OptiMOS 5, including up to 41% lower R_DS(on), 20% lower FOM_g, and 17% lower FOM_gd. Additionally, these MOSFETs exhibit high avalanche ruggedness and a maximum junction temperature of +175°C, ensuring robust and stable operation in demanding environments. With a wide package portfolio, Infineon OptiMOS™ 6 150V Power MOSFETs are designed to meet the stringent requirements of both high and low-switching frequency applications, providing enhanced system reliability and a longer lifetime.

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in SuperSO8 package

ISC165N15NM6ATMA1
Infineon Technologies
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ISC165N15NM6ATMA1

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Envase tipo carrete

S/2.89

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

150 V

50 A

15.6 mOhms

20 V

4 V

14.8 nC

- 55 C

+ 175 C

95 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TO-220 package

IPP038N15NM6AKSA1
Infineon Technologies
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S/23.16

S/12.18

S/11.09

S/9.42

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO220-3

N-Channel

1 Channel

150 V

178 A

3.6 mOhms

20 V

4 V

69 nC

- 55 C

+ 175 C

294 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package

IPT047N15NM6ATMA1
Infineon Technologies
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S/12.61

S/8.95

S/7.75

Envase tipo carrete

S/7.24

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PG-HSOF-8

N-Channel

1 Channel

150 V

147 A

4.4 mOhms

20 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package

IPB038N15NM6ATMA1
Infineon Technologies
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S/21.72

S/14.44

S/10.32

S/9.42

Envase tipo carrete

S/8.72

S/8.17

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

150 V

156 A

3.6 mOhms

20 V

4 V

69 nC

- 55 C

+ 175 C

294 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package

IPB051N15NM6ATMA1
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S/15.76

S/10.32

S/7.24

S/5.99

Envase tipo carrete

S/5.61

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

150 V

139 A

4.8 mOhms

20 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 7-pin package

IPF036N15NM6ATMA1
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S/22.73

S/15.14

S/10.86

S/9.81

Envase tipo carrete

S/9.30

S/9.19

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

150 V

190 A

3.4 mOhms

20 V

4 V

69 nC

- 55 C

+ 175 C

294 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLT package for top-side cooling

IPTC034N15NM6ATMA1
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Cinta cortada

S/25.18

S/16.89

S/12.18

S/11.25

S/10.51

Envase tipo carrete

S/10.51

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

150 V

194 A

3.2 mOhms

20 V

4 V

69 nC

- 55 C

+ 175 C

294 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package

IPB057N15NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.46
167En existencias
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IPB057N15NM6ATMA1

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726-IPB057N15NM6ATMA

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Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/12.46

S/8.10

S/5.61

S/4.52

Envase tipo carrete

S/4.16

S/4.09

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

150 V

128 A

5.4 mOhms

20 V

4 V

44 nC

- 55 C

+ 175 C

211 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package

IPB085N15NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.69
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IPB085N15NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB085N15NM6ATMA

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Infineon Technologies

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686En existencias

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Cinta cortada

S/12.69

S/8.25

S/5.72

S/4.83

Envase tipo carrete

S/4.16

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

150 V

90 A

8 mOhms

20 V

4 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

158 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 7-pin package

IPF048N15NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/18.10
344En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
IPF048N15NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF048N15NM6ATMA

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344En existencias

Cinta cortada

S/18.10

S/11.95

S/8.45

S/7.24

Envase tipo carrete

S/6.73

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

PG-TO263-7

N-Channel

1 Channel

150 V

146 A

4.6 mOhms

20 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package

IPT034N15NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/20.79
7,970En pedido
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IPT034N15NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT034N15NM6ATMA

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S/20.79

S/13.82

S/9.85

S/8.72

Envase tipo carrete

S/8.14

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Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PG-HSOF-8

N-Channel

1 Channel

150 V

194 A

3.2 mOhms

20 V

4 V

69 nC

- 55 C

+ 175 C

294 W

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OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TO-220 package

IPP057N15NM6AKSA1
Infineon Technologies
1: S/14.71
4,000En pedido
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N.º de artículo del Fabricante
IPP057N15NM6AKSA1

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726-IPP057N15NM6AKSA

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S/14.71

S/7.43

S/6.73

S/5.41

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150 V

128 A

5.4 mOhms

20 V

4 V

44 nC

- 55 C

+ 175 C

211 W

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Tube

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