Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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MOSFET de potencia 150 V OptiMOS™ 6

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 150V Power MOSFETs feature industry-leading low R_DS(on), improved switching performance, and excellent EMI behavior, which contribute to unparalleled efficiency, power density, and reliability. The OptiMOS 6 technology offers significant improvements over its predecessor, OptiMOS 5, including up to 41% lower R_DS(on), 20% lower FOM_g, and 17% lower FOM_gd. Additionally, these MOSFETs exhibit high avalanche ruggedness and a maximum junction temperature of +175°C, ensuring robust and stable operation in demanding environments. With a wide package portfolio, Infineon OptiMOS™ 6 150V Power MOSFETs are designed to meet the stringent requirements of both high and low-switching frequency applications, providing enhanced system reliability and a longer lifetime.

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Resultados: 12

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package IPT034N15NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: S/22.03 7,710En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IPT034N15NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT034N15NM6ATMA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 150v power mosfets	Hoja de datos	7,710En existencias	Cinta cortada S/22.03 S/11.44 S/10.43 S/9.23 S/9.07 Envase tipo carrete S/8.14 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	PG-HSOF-8	N-Channel	1 Channel	150 V	194 A	3.2 mOhms	20 V	4 V	69 nC	- 55 C	+ 175 C	294 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package IPT047N15NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: S/19.07 8,874En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IPT047N15NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT047N15NM6ATMA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 150v power mosfets	Hoja de datos	8,874En existencias	Cinta cortada S/19.07 S/9.85 S/8.95 S/7.75 Envase tipo carrete S/7.32 Presupuesto Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	PG-HSOF-8	N-Channel	1 Channel	150 V	147 A	4.4 mOhms	20 V	4 V	51 nC	- 55 C	+ 175 C	234 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TO-220 package IPP038N15NM6AKSA1 Infineon Technologies 1: S/23.16 1,674En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IPP038N15NM6AKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP038N15NM6AKSA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TO-220 package Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 150v power mosfets	Hoja de datos	1,674En existencias	S/23.16 S/12.18 S/11.09 S/10.59 S/9.50	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	PG-TO220-3	N-Channel	1 Channel	150 V	178 A	3.6 mOhms	20 V	4 V	69 nC	- 55 C	+ 175 C	294 W	Enhancement	OptiMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package IPB038N15NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: S/20.82 1,030En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IPB038N15NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB038N15NM6ATMA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 150v power mosfets	Hoja de datos	1,030En existencias	Cinta cortada S/20.82 S/10.82 S/9.85 S/9.42 Envase tipo carrete S/8.72 S/8.17	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	150 V	156 A	3.6 mOhms	20 V	4 V	69 nC	- 55 C	+ 175 C	294 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package IPB051N15NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: S/15.76 5,908En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IPB051N15NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB051N15NM6ATMA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 150v power mosfets	Hoja de datos	5,908En existencias	Cinta cortada S/15.76 S/8.02 S/7.24 S/5.99 Envase tipo carrete S/5.64	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	150 V	139 A	4.8 mOhms	20 V	4 V	51 nC	- 55 C	+ 175 C	234 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package IPB085N15NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: S/12.69 2,493En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IPB085N15NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB085N15NM6ATMA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 150v power mosfets	Hoja de datos	2,493En existencias	Cinta cortada S/12.69 S/6.34 S/5.72 S/4.83 Envase tipo carrete S/4.36 S/4.20 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	150 V	90 A	8 mOhms	20 V	4 V	29 nC	- 55 C	+ 175 C	158 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 7-pin package IPF036N15NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: S/22.73 1,191En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IPF036N15NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPF036N15NM6ATMA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 7-pin package Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 150v power mosfets	Hoja de datos	1,191En existencias	Cinta cortada S/22.73 S/11.91 S/10.86 S/9.81 Envase tipo carrete S/9.19	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	150 V	190 A	3.4 mOhms	20 V	4 V	69 nC	- 55 C	+ 175 C	294 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLT package for top-side cooling IPTC034N15NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: S/25.18 53En existencias 5,400Se espera el 13/05/2027 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IPTC034N15NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPTC034N15NM6ATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLT package for top-side cooling Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 150v power mosfets	Hoja de datos	53En existencias 5,400Se espera el 13/05/2027	Cinta cortada S/25.18 S/13.58 S/12.18 S/11.25 Envase tipo carrete S/10.51	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,800	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	150 V	194 A	3.2 mOhms	20 V	4 V	69 nC	- 55 C	+ 175 C	294 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in SuperSO8 package ISC165N15NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: S/9.73 193En existencias 20,000Se espera el 8/04/2027 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante ISC165N15NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC165N15NM6ATMA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in SuperSO8 package Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 150v power mosfets	Hoja de datos	193En existencias 20,000Se espera el 8/04/2027	Cinta cortada S/9.73 S/4.75 S/4.36 S/3.75 S/3.51 Envase tipo carrete S/2.98 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	1 Channel	150 V	50 A	15.6 mOhms	20 V	4 V	14.8 nC	- 55 C	+ 175 C	95 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TO-220 package IPP057N15NM6AKSA1 Infineon Technologies 1: S/15.03 21,819En pedido Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IPP057N15NM6AKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP057N15NM6AKSA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TO-220 package Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 150v power mosfets	Hoja de datos	21,819En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IPP057N15NM6AKSA1 Existencias: 0 En pedido: 2,319 Se espera el 5/11/2026 14,500 Se espera el 12/11/2026 5,000 Se espera el 25/02/2027 Plazo de entrega de fábrica: 8 Semanas	S/15.03 S/7.63 S/6.93 S/5.37 Ver S/5.14 S/5.10	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	PG-TO220-3	N-Channel	1 Channel	150 V	128 A	5.4 mOhms	20 V	4 V	44 nC	- 55 C	+ 175 C	211 W	Enhancement	OptiMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 7-pin package IPF048N15NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: S/18.10 1,734En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IPF048N15NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPF048N15NM6ATMA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 7-pin package Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 150v power mosfets	Hoja de datos	1,734En existencias	Cinta cortada S/18.10 S/9.30 S/8.45 S/7.24 Envase tipo carrete S/6.81	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	PG-TO263-7	N-Channel	1 Channel	150 V	146 A	4.6 mOhms	20 V	4 V	51 nC	- 55 C	+ 175 C	234 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package IPB057N15NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: S/13.47 1,000Se espera el 19/11/2026 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IPB057N15NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB057N15NM6ATMA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 150v power mosfets	Hoja de datos	1,000Se espera el 19/11/2026	Cinta cortada S/13.47 S/8.80 S/6.15 S/5.18 Envase tipo carrete S/4.48	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	150 V	128 A	5.4 mOhms	20 V	4 V	44 nC	- 55 C	+ 175 C	211 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape

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