BC847xQC NPN General Purpose Transistors

Nexperia BC847xQC NPN General Purpose Transistors feature high power dissipation capability, 0.5mm low package height, and are available in the DFN1412D-3 SMD package. These transistors operate at 45V collector-emitter voltage (VCEO), 100mA collector current (IC), 200mA peak collector current (ICM), and -55°C and 150°C ambient temperature range. The BC847xQC transistors offer a smaller footprint compared to conventional leaded SMD packages and are used in applications such as general-purpose switching/amplification and space-restricted applications.

Tipos de Semiconductores discretos

Cambiar Vista por categorías
Resultados: 4
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta
Nexperia Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) BC847BQC-Q/SOT8009/DFN1412D-3 4,737En existencias
Cinta cortada
S/1.52
S/0.95
S/0.541
S/0.463
Envase tipo carrete
S/0.366
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT DFN-1412D-3
Nexperia Rectificadores y diodos Schottky BAT54QB-Q/SOT8015/DFN1110D-3 4,800En existencias
Cinta cortada
S/0.817
S/0.51
S/0.319
S/0.234
Envase tipo carrete
S/0.163
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT DFN-3
Nexperia Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) BC847AQC-Q/SOT8009/DFN1412D-3 3,018En existencias
Cinta cortada
S/1.25
S/0.724
S/0.444
S/0.319
Envase tipo carrete
S/0.214
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT DFN-1412D-3
Nexperia Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) BC847CQC-Q/SOT8009/DFN1412D-3 2,512En existencias
Cinta cortada
S/1.25
S/0.724
S/0.444
S/0.319
Envase tipo carrete
S/0.218
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT DFN-1412D-3