X3-Class HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS X3-Class HiPerFET™ Power MOSFETs are N-channel, enhancement mode, avalanche-rated MOSFETs. The X3-Class provides high power density and is easy to mount, all in a space-saving package. The IXYS X3-Class MOSFETs are ideal for switch-mode and resonant-mode power supplies.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Discrete MOSFET 90A 650V X3 TO247
Hoja de datos
422En existencias
S/85.60
S/52.78
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 90 A 33 mOhms 20 V 5.2 V 95 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 54A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
615En existencias
S/65.08
S/37.13
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 54 A 59 mOhms 20 V 5.2 V 49 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 34A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
682En existencias
S/43.71
S/24.41
S/22.50
S/22.15
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 100 mOhms 20 V 5.2 V 29 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 46A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
290En existencias
S/48.07
S/27.09
S/25.07
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 73 mOhms 20 V 5.2 V 40 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Discrete MOSFET 70A 650V X3 TO247
Hoja de datos
943En existencias
S/72.21
S/42.47
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 70 A 44 mOhms 20 V 5.2 V 66 nC - 55 C + 150 C 780 W Enhancement Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 34A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
144En existencias
S/40.01
S/21.64
S/20.12
S/19.70
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 100 mOhms 20 V 5.2 V 29 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 650V 34A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
449En existencias
S/43.71
S/24.41
S/24.37
S/21.84
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 100 mOhms 20 V 5.2 V 29 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement Tube