Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 60V 3.3m max(VGS=10V) DPAK
TK90S06N1L,LQ
Toshiba
1:
S/12.26
2,093 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK90S06N1LLQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 60V 3.3m max(VGS=10V) DPAK
2,093 En existencias
1
S/12.26
10
S/7.98
100
S/5.53
500
S/4.44
1,000
S/4.28
2,000
S/4.01
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK
TK65S04N1L,LQ
Toshiba
1:
S/11.37
2,070 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK65S04N1LLQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK
2,070 En existencias
1
S/11.37
10
S/7.36
100
S/5.06
500
S/4.09
1,000
S/3.84
2,000
S/3.58
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Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición Motor H-Bridge Drvr Automotive; AEC-Q100
TB9057FG
Toshiba
1:
S/40.79
1,735 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TB9057FG
Toshiba
Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición Motor H-Bridge Drvr Automotive; AEC-Q100
1,735 En existencias
1
S/40.79
10
S/31.84
25
S/29.58
100
S/27.13
250
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250
S/25.77
500
S/25.26
1,000
S/24.68
2,500
Presupuesto
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Mosfet
SSM3K337R,LF
Toshiba
1:
S/3.19
2,316 En existencias
6,000 Se espera el 7/08/2026
N.º de artículo de Mouser 757-SSM3K337RLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Mosfet
2,316 En existencias
6,000 Se espera el 7/08/2026
1
S/3.19
10
S/1.97
100
S/1.27
500
S/0.969
3,000
S/0.747
6,000
Ver
1,000
S/0.872
6,000
S/0.685
9,000
S/0.615
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063
TJ60S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1:
S/8.10
807 En existencias
2,000 Se espera el 13/11/2026
N.º de artículo de Mouser 757-TJ60S04M3LT6L1NQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063
807 En existencias
2,000 Se espera el 13/11/2026
1
S/8.10
10
S/5.18
100
S/3.49
500
S/2.77
2,000
S/2.34
4,000
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1,000
S/2.54
4,000
S/2.25
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -60V 100W 7760pF 0.0112
TJ60S06M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1:
S/12.26
343 En existencias
6,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser 757-TJ60S06M3LT6L1NQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -60V 100W 7760pF 0.0112
343 En existencias
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2,000 Se espera el 6/11/2026
Plazo de entrega de fábrica:
16 Semanas
1
S/12.26
10
S/7.98
100
S/5.18
500
S/4.36
1,000
S/4.28
2,000
S/3.97
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=34V
SSM3H137TU,LF
Toshiba
1:
S/2.92
No en existencias
N.º de artículo de Mouser 757-SSM3H137TULF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=34V
No en existencias
1
S/2.92
10
S/1.80
100
S/1.16
500
S/0.88
3,000
S/0.673
6,000
Ver
1,000
S/0.79
6,000
S/0.615
9,000
S/0.541
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -80A -40V 100W 7770pF 0.0052
TJ80S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba
2,000:
S/2.13
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
N.º de artículo de Mouser 757-TJ80S04M3LT6L1NQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -80A -40V 100W 7770pF 0.0052
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
2,000
S/2.13
4,000
S/2.02
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Min.: 2,000 Mult.: 2,000
Carrete :2,000
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