Semiconductores – Mouser Perú

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Seleccionar	Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	RoHS
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK TK65S04N1L,LQ Toshiba 1: S/11.37 1,769En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK65S04N1L,LQ N.º de artículo de Mouser 757-TK65S04N1LLQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK Obtenga más información sobre Toshiba umosviii h	Hoja de datos	1,769En existencias	Cinta cortada S/11.37 S/5.64 S/5.06 S/4.09 S/3.84 Envase tipo carrete S/3.63 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000
	Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición Motor H-Bridge Drvr Automotive; AEC-Q100 TB9057FG Toshiba 1: S/40.83 1,735En existencias	N.º de artículo del Fabricante TB9057FG N.º de artículo de Mouser 757-TB9057FG	Toshiba	Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición Motor H-Bridge Drvr Automotive; AEC-Q100 Obtenga más información sobre Toshiba aec q100 motor control		1,735En existencias	S/40.83 S/31.88 S/29.66 S/27.21 Ver S/25.77 S/25.26 S/24.68 Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063 TJ60S04M3L(T6L1,NQ Toshiba 1: S/8.10 190En existencias 2,000Se espera el 13/11/2026	N.º de artículo del Fabricante TJ60S04M3L(T6L1,NQ N.º de artículo de Mouser 757-TJ60S04M3LT6L1NQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063 Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	190En existencias 2,000Se espera el 13/11/2026	Cinta cortada S/8.10 S/3.93 S/3.49 S/2.77 S/2.64 Envase tipo carrete S/2.28 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -60V 100W 7760pF 0.0112 TJ60S06M3L(T6L1,NQ Toshiba 1: S/12.26 332En existencias 6,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante TJ60S06M3L(T6L1,NQ N.º de artículo de Mouser 757-TJ60S06M3LT6L1NQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -60V 100W 7760pF 0.0112 Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	332En existencias 6,000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: TJ60S06M3L(T6L1,NQ Existencias: 332 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 2,000 Se espera el 13/11/2026 4,000 Se espera el 15/02/2027 Plazo de entrega de fábrica: 20 Semanas	Cinta cortada S/12.26 S/6.11 S/5.53 S/4.44 S/4.28 Envase tipo carrete S/4.01 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Mosfet SSM3K337R,LF Toshiba 1: S/3.19 11,120En pedido	N.º de artículo del Fabricante SSM3K337R,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM3K337RLF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Mosfet Obtenga más información sobre Toshiba u mosiv mosfets	Hoja de datos	11,120En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: SSM3K337R,LF Existencias: 0 En pedido: 5,120 Se espera el 23/10/2026 6,000 Se espera el 12/02/2027 Plazo de entrega de fábrica: 20 Semanas	Cinta cortada S/3.19 S/1.97 S/1.27 S/0.969 Envase tipo carrete S/0.747 Ver S/0.872 S/0.685 S/0.615 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 60V 3.3m max(VGS=10V) DPAK TK90S06N1L,LQ Toshiba 1: S/12.26 3,996Se espera el 16/10/2026	N.º de artículo del Fabricante TK90S06N1L,LQ N.º de artículo de Mouser 757-TK90S06N1LLQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 60V 3.3m max(VGS=10V) DPAK Obtenga más información sobre Toshiba umosviii h	Hoja de datos	3,996Se espera el 16/10/2026	Cinta cortada S/12.26 S/6.11 S/5.49 S/4.44 S/4.28 Envase tipo carrete S/4.01 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=34V SSM3H137TU,LF Toshiba 1: S/2.92 No en existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM3H137TU,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM3H137TULF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=34V Obtenga más información sobre Toshiba u mosiv mosfets	Hoja de datos	No en existencias	Cinta cortada S/2.92 S/1.32 S/1.16 S/0.88 Envase tipo carrete S/0.876 Ver S/0.81 S/0.759 S/0.681	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -80A -40V 100W 7770pF 0.0052 TJ80S04M3L(T6L1,NQ Toshiba 2,000: S/2.06 Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas	N.º de artículo del Fabricante TJ80S04M3L(T6L1,NQ N.º de artículo de Mouser 757-TJ80S04M3LT6L1NQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -80A -40V 100W 7770pF 0.0052 Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas	Envase tipo carrete S/2.06 S/2.05	Min.: 2,000 Mult.: 2,000 : 2,000