Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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TKx Silicon N-Channel MOSFETs

Toshiba TKx Silicon N-Channel MOSFETs are available in U-MOSX-H and DTMOSVI types and offer exceptional performance characteristics. These MOSFETs are designed with fast reverse recovery times that enhance efficiency in high-speed switching applications by reducing the delay between the turn-off and turn-on states. The low drain-source on-resistance [R_DS(on)] contributes to minimal power losses and improved thermal management, making them ideal for applications requiring high current handling with low energy dissipation.

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

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Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=40W F=1MHZ

TK125A60Z1,S4X
Toshiba
1: S/16.82
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TK125A60Z1,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK125A60Z1S4X

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Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=40W F=1MHZ

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S/16.82

S/11.02

S/8.21

S/6.89

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TO-220SIS-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

125 mOhms

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4 V

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40 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Silicon N-Channel MOS (DTMOS) MOSFET

TK080U60Z1,RQ
Toshiba
1: S/22.97
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TK080U60Z1,RQ

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757-TK080U60Z1RQ

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Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Silicon N-Channel MOS (DTMOS) MOSFET

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Cinta cortada

S/22.97

S/15.03

S/11.05

S/9.85

S/8.72

Envase tipo carrete

S/8.72

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1 Channel

600 V

30 A

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30 V

4 V

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211 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=230W F=1MHZ

TK095U65Z5,RQ
Toshiba
1: S/30.52
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757-TK095U65Z5RQ

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Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=230W F=1MHZ

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Cinta cortada

S/30.52

S/20.40

S/16.39

S/14.56

S/12.92

Envase tipo carrete

S/12.92

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: 2,000

SMD/SMT

TOLL-9

N-Channel

1 Channel

650 V

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4.5 V

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Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=176W F=1MHZ

TK099U60Z1,RQ
Toshiba
1: S/19.58
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=176W F=1MHZ

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Cinta cortada

S/19.58

S/12.85

S/9.58

S/8.02

S/7.43

Envase tipo carrete

S/6.97

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SMD/SMT

TOLL-9

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1 Channel

600 V

25 A

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30 V

4 V

36 nC

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176 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=150W F=1MHZ

TK125U60Z1,RQ
Toshiba
1: S/16.85
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S/16.85

S/11.02

S/8.21

S/6.89

S/6.38

Envase tipo carrete

S/5.99

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SMD/SMT

TOLL-9

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1 Channel

600 V

20 A

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30 V

4 V

28 nC

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150 W

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Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=130W F=1MHZ

TK155U60Z1,RQ
Toshiba
1: S/15.06
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S/15.06

S/9.85

S/7.16

S/5.99

S/5.57

Envase tipo carrete

S/5.22

Min.: 1
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: 2,000

SMD/SMT

TOLL-9

N-Channel

1 Channel

600 V

17 A

155 mOhms

30 V

4 V

24 nC

+ 150 C

130 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247 PD=242W F=1MHZ

TK063N60Z1,S1F
Toshiba
1: S/30.83
53En existencias
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TK063N60Z1,S1F

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757-TK063N60Z1S1F

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247 PD=242W F=1MHZ

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S/30.83

S/20.63

S/16.58

S/14.75

S/13.08

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

37 A

63 mOhms

30 V

4 V

56 nC

+ 150 C

242 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 150V 1.4A N-CH

TK7R4A15Q5,S4X
Toshiba
1: S/17.75
294En existencias

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TK7R4A15Q5,S4X

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757-TK7R4A15Q5S4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 150V 1.4A N-CH

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S/17.75

S/11.05

S/8.52

S/6.66

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TO-220SIS-3

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57 A

7.4 mOhms

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- 55 C

+ 175 C

46 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 150V 1.1A N-CH

TK9R7A15Q5,S4X
Toshiba
1: S/14.60
187En existencias

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TK9R7A15Q5,S4X

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757-TK9R7A15Q5S4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 150V 1.1A N-CH

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S/14.60

S/9.50

S/6.66

S/5.57

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TO-220SIS-3

N-Channel

1 Channel

150 V

49 A

9.7 mOhms

20 V

4.5 V

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45 W

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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 1.69A N-CH

TK068N65Z5,S1F
Toshiba
1: S/40.01
85En existencias
60Se espera el 25/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
TK068N65Z5,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TK068N65Z5S1F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 1.69A N-CH

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S/40.01

S/21.64

S/19.97

S/19.70

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Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

37 A

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4.5 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

270 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=40W F=1MHZ

TK155A60Z1,S4X
Toshiba
1: S/15.06
143En existencias
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TK155A60Z1,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK155A60Z1S4X

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S/15.06

S/9.85

S/7.16

S/5.99

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TO-220SIS-3

N-Channel

1 Channel

600 V

17 A

155 mOhms

30 V

4 V

24 nC

+ 150 C

40 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 150V 2.2A N-CH

TK4R9E15Q5,S1X
Toshiba
1: S/25.30
350En existencias
400Se espera el 30/09/2026

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TK4R9E15Q5,S1X

N.º de artículo de Mouser
757-TK4R9E15Q5S1X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 150V 2.2A N-CH

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350En existencias

400Se espera el 30/09/2026

S/25.30

S/13.86

S/12.69

S/11.91

S/10.59

Min.: 1
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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

150 V

120 A

4.9 mOhms

20 V

4.5 V

96 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 150V 1.4A N-CH

TK7R2E15Q5,S1X
Toshiba
1: S/17.59
350En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK7R2E15Q5,S1X

N.º de artículo de Mouser
757-TK7R2E15Q5S1X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 150V 1.4A N-CH

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350En existencias

S/17.59

S/11.52

S/8.56

S/7.20

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

150 V

84 A

7.2 mOhms

20 V

4.5 V

66 nC

- 55 C

+ 175 C

230 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 150V 1.1A N-CH

TK9R6E15Q5,S1X
Toshiba
1: S/15.18
224En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK9R6E15Q5,S1X

N.º de artículo de Mouser
757-TK9R6E15Q5S1X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 150V 1.1A N-CH

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224En existencias

S/15.18

S/7.79

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

150 V

52 A

9.6 mOhms

20 V

4.5 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 150V 2.2A N-CH

TK5R0A15Q5,S4X
Toshiba
1: S/21.88
15En existencias
350Se espera el 28/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
TK5R0A15Q5,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK5R0A15Q5S4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 150V 2.2A N-CH

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15En existencias

350Se espera el 28/09/2026

S/21.88

S/12.77

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220SIS-3

N-Channel

1 Channel

150 V

76 A

5 mOhms

20 V

4.5 V

96 nC

- 55 C

+ 175 C

53 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=45W F=1MHZ

TK080A60Z1,S4X
Toshiba
1: S/26.16
9En existencias
100Se espera el 25/01/2027
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
TK080A60Z1,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK080A60Z1S4X

Nuevo en Mouser

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=45W F=1MHZ

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9En existencias

100Se espera el 25/01/2027

S/26.16

S/13.66

S/12.73

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220SIS-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

80 mOhms

30 V

4 V

43 nC

+ 150 C

45 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247 PD=176W F=1MHZ

TK099N60Z1,S1F
Toshiba
1: S/23.78
20En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
TK099N60Z1,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TK099N60Z1S1F

Nuevo producto

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247 PD=176W F=1MHZ

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20En existencias

S/23.78

S/15.57

S/11.48

S/10.20

S/9.03

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

25 A

99 mOhms

30 V

36 nC

+ 150 C

176 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK35A65W5,S5X
Toshiba
1: S/33.59
8En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK35A65W5,S5X

N.º de artículo de Mouser
757-TK35A65W5S5X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

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8En existencias

S/33.59

S/18.26

S/16.74

S/15.61

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

35 A

80 mOhms

30 V

3 V

115 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChtrr130ns 0.08ohm DTMOS

TK35N65W5,S1F
Toshiba
1: S/37.21
9En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK35N65W5,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TK35N65W5S1F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChtrr130ns 0.08ohm DTMOS

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9En existencias

S/37.21

S/25.92

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

35 A

80 mOhms

30 V

4.5 V

115 nC

- 55 C

+ 150 C

270 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR DFN 8x8 PD=240W F=1MHZ

TK28V65W5,LQ
Toshiba
5,000: S/9.93
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK28V65W5,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK28V65W5LQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR DFN 8x8 PD=240W F=1MHZ

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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/9.93

Min.: 5,000
Mult.: 5,000

: 5,000

SMD/SMT

DFN8x8-5

N-Channel

1 Channel

650 V

27.6 A

140 mOhms

30 V

3 V

90 nC

- 55 C

+ 150 C

240 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel

TKx Silicon N-Channel MOSFETs

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