Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N-Channel 40V & 60V Automotive Power MOSFETs

onsemi NVMFSCx Automotive Power 40V and 60V MOSFETs are available in 5mm x 6mm dual-sided cooled packages ideal for compact and efficient designs. The single N-Channel devices feature 1.5mΩ and 0.9mΩ R_DS(on) drain-source on-resistance to minimize conductive losses. The MOSFETs includes a wettable flank option available for enhanced optical inspection. The devices are also AEC-Q101-qualified and PPAP-capable, making them suitable for automotive applications.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 23

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Calificación	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T6 SL IN 5X6 DUALCOOL NVMFSC0D9N04C onsemi 1: S/29.47 2,789En existencias	N.º de artículo del Fabricante NVMFSC0D9N04C N.º de artículo de Mouser 863-NVMFSC0D9N04C	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T6 SL IN 5X6 DUALCOOL Obtenga más información sobre onsemi nvmfscx auto power mosfets	Hoja de datos	2,789En existencias	Cinta cortada S/29.47 S/17.79 S/13.47 S/12.81 Envase tipo carrete S/12.81 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	DFN-5060-8	N-Channel	1 Channel	40 V	313 A	870 uOhms	20 V	3.5 V	86 nC	- 55 C	+ 175 C	166 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO NVMFS5C612NLT1G onsemi 1: S/22.54 2,181En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante NVMFS5C612NLT1G N.º de artículo de Mouser 863-NVMFS5C612NLT1G NRND	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO Obtenga más información sobre onsemi nvmfs5c612n mosfets	Hoja de datos	2,181En existencias	Cinta cortada S/22.54 S/19.85 S/16.31 S/14.52 Envase tipo carrete S/9.23 Ver S/9.23 S/8.56 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT	SO-8FL-4	N-Channel	1 Channel	60 V	235 A	1.2 mOhms	20 V	2 V	91 nC	- 55 C	+ 175 C	167 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V 3.0 mOhms 150 A NVMFS5C628NWFT1G onsemi 1: S/15.61 699En existencias	N.º de artículo del Fabricante NVMFS5C628NWFT1G N.º de artículo de Mouser 863-NVMFS5C628NWFT1	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V 3.0 mOhms 150 A Obtenga más información sobre onsemi on semi nvmfs5c628n power mosfet	Hoja de datos	699En existencias	Cinta cortada S/15.61 S/7.90 S/7.16 S/5.92 S/5.57 Envase tipo carrete S/5.57 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT	SO-8FL-4	N-Channel	1 Channel	60 V	150 A	3 mOhms	20 V	4 V	34 nC	- 55 C	+ 175 C	110 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO NVMFS5C612NLET1G onsemi 1: S/21.56 1,050En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante NVMFS5C612NLET1G N.º de artículo de Mouser 863-NVMFS5C612NLET1G Nuevo producto	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO Obtenga más información sobre onsemi nvmfs5c612n mosfets	Hoja de datos	1,050En existencias	Cinta cortada S/21.56 S/11.25 S/10.28 Envase tipo carrete S/10.28	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 105 : 1,500	Si	SMD/SMT	DFN-5	N-Channel	1 Channel	60 V	250 A	1.36 mOhms	20 V	2 V	91 nC	- 55 C	+ 175 C	167 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 172A 2.3M0 NVMFS5830NLWFT1G-UM onsemi 1: S/7.94 1,200En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante NVMFS5830NLWFT1G-UM N.º de artículo de Mouser 863-FS5830NLWFT1G-UM Nuevo producto	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 172A 2.3M0 Obtenga más información sobre onsemi nvmfs5830nl mosfet	Hoja de datos	1,200En existencias	Cinta cortada S/7.94 S/5.37 S/4.52 Envase tipo carrete S/4.52	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 120 : 1,500	Si	SMD/SMT	DFN-5	N-Channel	1 Channel	40 V	185 A	2.3 mOhms	20 V	2.4 V	113 nC	- 55 C	+ 175 C	158 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO NVMFS5C612NT1G onsemi 1: S/23.63 728En existencias 1,500Se espera el 9/02/2027	N.º de artículo del Fabricante NVMFS5C612NT1G N.º de artículo de Mouser 863-NVMFS5C612NT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO Obtenga más información sobre onsemi nvmfs5c612n mosfets	Hoja de datos	728En existencias 1,500Se espera el 9/02/2027	Cinta cortada S/23.63 S/14.05 S/11.41 S/10.16 S/9.07 Envase tipo carrete S/9.07	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT	DFN-5	N-Channel	1 Channel	60 V	225 A	1.65 mOhms	20 V	4 V	62 nC	- 55 C	+ 175 C	167 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO NVMFS5C604NLT1G onsemi 1: S/34.57 1,057En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante NVMFS5C604NLT1G N.º de artículo de Mouser 863-NVMFS5C604NLT1G NRND	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO Obtenga más información sobre onsemi nvmfs5c604n mosfets	Hoja de datos	1,057En existencias	Cinta cortada S/34.57 S/18.84 S/17.32 S/16.23 Envase tipo carrete S/16.23 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT	SO-8FL-4	N-Channel	1 Channel	60 V	287 A	1.2 mOhms	20 V	2 V	120 nC	- 55 C	+ 175 C	200 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO NVMFS5C604NT1G onsemi 1: S/42.97 160En existencias	N.º de artículo del Fabricante NVMFS5C604NT1G N.º de artículo de Mouser 863-NVMFS5C604NT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO Obtenga más información sobre onsemi nvmfs5c604n mosfets	Hoja de datos	160En existencias	Cinta cortada S/42.97 S/26.43 S/22.62 S/21.18 S/20.05 Envase tipo carrete S/20.05	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT	DFN-5	N-Channel	1 Channel	60 V	288 A	1.2 mOhms	20 V	4 V	80 nC	- 55 C	+ 175 C	200 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET NVMFS5C604NLAFT1G onsemi 1: S/29.27 3,893En existencias	N.º de artículo del Fabricante NVMFS5C604NLAFT1G N.º de artículo de Mouser 863-NVMFS5C604NLFT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET Obtenga más información sobre onsemi nvmfs5c604n mosfets	Hoja de datos	3,893En existencias	Cinta cortada S/29.27 S/15.69 S/14.17 S/13.23 S/13.00 Envase tipo carrete S/13.00 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,500 : 1,500	Si	SMD/SMT	SO-8FL-4	N-Channel	1 Channel	60 V	287 A	930 uOhms	20 V	2 V	120 nC	- 55 C	+ 175 C	200 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET NVMFS5C604NLWFAFT1G onsemi 1: S/28.22 2,328En existencias 3,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante NVMFS5C604NLWFAFT1G N.º de artículo de Mouser 863-NVMFS5C604NWFT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET Obtenga más información sobre onsemi nvmfs5c604n mosfets	Hoja de datos	2,328En existencias 3,000En pedido	Cinta cortada S/28.22 S/17.09 S/14.05 S/13.08 S/12.07 Envase tipo carrete S/12.07 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,500 : 1,500	Si	SMD/SMT	SOIC-8	N-Channel	1 Channel	60 V	287 A	930 uOhms	20 V	1.2 V	120 nC	- 55 C	+ 175 C	200 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG NVMFS5C628NT1G onsemi 1: S/17.87 5,655En existencias	N.º de artículo del Fabricante NVMFS5C628NT1G N.º de artículo de Mouser 863-NVMFS5C628NT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG Obtenga más información sobre onsemi on semi nvmfs5c628n power mosfet	Hoja de datos	5,655En existencias	Cinta cortada S/17.87 S/10.59 S/8.76 S/7.32 S/6.66 Envase tipo carrete S/6.38 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT	SO-8FL-4	N-Channel	1 Channel	60 V	150 A	3 mOhms	20 V	4 V	34 nC	- 55 C	+ 175 C	110 W	Enhancement	AEC-Q100	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V T6 LL IN 5X6 DUALCOOL NVMFSC1D6N06CL onsemi 1: S/33.51 1,519En existencias	N.º de artículo del Fabricante NVMFSC1D6N06CL N.º de artículo de Mouser 863-NVMFSC1D6N06CL	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V T6 LL IN 5X6 DUALCOOL Obtenga más información sobre onsemi nvmfscx auto power mosfets	Hoja de datos	1,519En existencias	Cinta cortada S/33.51 S/18.22 S/16.74 S/16.47 S/15.57 Envase tipo carrete S/15.57 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 3,000 : 3,000	Si	SMD/SMT	DFN-8	N-Channel	1 Channel	60 V	224 A	1.5 mOhms	20 V	2 V	41 nC	- 55 C	+ 150 C	166 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO NVMFS5C604NLWFT1G onsemi 1: S/29.08 1,531En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante NVMFS5C604NLWFT1G N.º de artículo de Mouser 863-NVM604NLWFT1G NRND	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO Obtenga más información sobre onsemi nvmfs5c604n mosfets	Hoja de datos	1,531En existencias	Cinta cortada S/29.08 S/15.61 S/14.29 S/13.66 S/12.88 Envase tipo carrete S/12.88 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT	SO-8FL	N-Channel	1 Channel	60 V	287 A	930 uOhms	20 V	1.2 V	120 nC	- 55 C	+ 175 C	200 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V NVMFS5C612NLAFT1G onsemi 1: S/21.80 950En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante NVMFS5C612NLAFT1G N.º de artículo de Mouser 863-NVMFS5C612NLFT1G NRND	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V Obtenga más información sobre onsemi nvmfs5c612n mosfets	Hoja de datos	950En existencias	Cinta cortada S/21.80 S/13.04 S/10.51 S/8.99 S/8.14 Envase tipo carrete S/8.14 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT	SO-8FL-4	N-Channel	1 Channel	60 V	250 A	1.13 mOhms	20 V	1.2 V	91 nC	- 55 C	+ 175 C	3.8 W, 167 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 225A 1.65mOhms NVMFS5C612NWFT1G onsemi 1: S/26.12 17En existencias 3,000Se espera el 2/02/2027	N.º de artículo del Fabricante NVMFS5C612NWFT1G N.º de artículo de Mouser 863-NVMFS5C612NWFT1	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 225A 1.65mOhms Obtenga más información sobre onsemi nvmfs5c612n mosfets	Hoja de datos	17En existencias 3,000Se espera el 2/02/2027	Cinta cortada S/26.12 S/16.04 S/13.20 S/11.99 S/11.13 Envase tipo carrete S/11.13 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT	SO-8FL-4	N-Channel	1 Channel	60 V	225 A	1.65 mOhms	20 V	4 V	62 nC	- 55 C	+ 175 C	167 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V NVMFS5C612NLWFAFT1G onsemi 1: S/22.54 374En existencias 3,000Se espera el 5/01/2027	N.º de artículo del Fabricante NVMFS5C612NLWFAFT1G N.º de artículo de Mouser 863-NVMFS5C612NWFT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V Obtenga más información sobre onsemi nvmfs5c612n mosfets	Hoja de datos	374En existencias 3,000Se espera el 5/01/2027	Cinta cortada S/22.54 S/11.79 S/10.78 S/9.69 S/9.15 Envase tipo carrete S/9.15 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT	SO-8FL	N-Channel	1 Channel	60 V	250 A	1.13 mOhms	20 V	1.2 V	91 nC	- 55 C	+ 175 C	3.8 W, 167 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T6 LL IN 5X6 DUALCOOL NVMFSC0D9N04CL onsemi 1: S/27.17 6,000Se espera el 2/07/2027	N.º de artículo del Fabricante NVMFSC0D9N04CL N.º de artículo de Mouser 863-NVMFSC0D9N04CL	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T6 LL IN 5X6 DUALCOOL Obtenga más información sobre onsemi nvmfscx auto power mosfets	Hoja de datos	6,000Se espera el 2/07/2027	Cinta cortada S/27.17 S/17.20 S/14.64 S/12.30 S/11.76 Envase tipo carrete S/11.48 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	DFN-8	N-Channel	1 Channel	40 V	316 A	870 uOhms	20 V	3.5 V	86 nC	- 55 C	+ 175 C	166 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO NVMFS5C604NLWFET1G onsemi 1: S/27.99 1,500Se espera el 30/10/2026 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante NVMFS5C604NLWFET1G N.º de artículo de Mouser 863-MFS5C604NLWFET1G Nuevo producto	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO Obtenga más información sobre onsemi nvmfs5c604n mosfets	Hoja de datos	1,500Se espera el 30/10/2026	Cinta cortada S/27.99 S/17.09 S/14.44 Envase tipo carrete S/14.44	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 150 : 1,500	Si	SMD/SMT	DFNW-5	N-Channel	1 Channel	60 V	287 A	1.2 mOhms	20 V	2 V	120 nC	- 55 C	+ 175 C	200 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS NVMFS024N06CT1G onsemi 1: S/8.76 3,000Se espera el 9/11/2026	N.º de artículo del Fabricante NVMFS024N06CT1G N.º de artículo de Mouser 863-NVMFS024N06CT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS Obtenga más información sobre onsemi nvmfs024n06c mosfets	Hoja de datos	3,000Se espera el 9/11/2026	Cinta cortada S/8.76 S/5.49 S/3.61 S/2.86 S/2.55 Envase tipo carrete S/2.55 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT	SO-8FL-4	N-Channel	1 Channel	60 V	25 A	22 mOhms	20 V	4 V	5.7 nC	- 55 C	+ 175 C	28 W	Enhancement	AEC-Q100	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO NVMFWS024N06CT1G onsemi 1: S/8.52 3,000Se espera el 3/11/2026	N.º de artículo del Fabricante NVMFWS024N06CT1G N.º de artículo de Mouser 863-NVMFWS024N06CT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO Obtenga más información sobre onsemi nvmfs024n06c mosfets	Hoja de datos	3,000Se espera el 3/11/2026	Cinta cortada S/8.52 S/4.09 S/3.66 S/2.74 S/2.25 Envase tipo carrete S/2.25	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT	DFN-5	N-Channel	1 Channel	60 V	25 A	22 mOhms	20 V	4 V	5.7 nC	- 55 C	+ 175 C	28 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 120A 4.2MO NVMFS5832NLWFT1G-UM onsemi 1: S/8.64 1,500Se espera el 9/11/2026 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante NVMFS5832NLWFT1G-UM N.º de artículo de Mouser 863-FS5832NLWFT1G-UM Nuevo producto	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 120A 4.2MO Obtenga más información sobre onsemi nvmfs5832nl mosfet	Hoja de datos	1,500Se espera el 9/11/2026	Cinta cortada S/8.64 S/5.49 S/3.69 Envase tipo carrete S/3.69	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 150 : 1,500	Si	SMD/SMT	DFN-5	N-Channel	1 Channel	40 V	120 A	4.2 mOhms	20 V	2.4 V	51 nC	- 55 C	+ 175 C	127 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO NVMFS5C604NWFT1G onsemi 1: S/41.46 Plazo de entrega 53 Semanas	N.º de artículo del Fabricante NVMFS5C604NWFT1G N.º de artículo de Mouser 863-FS5C604NWFT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO Obtenga más información sobre onsemi nvmfs5c604n mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega 53 Semanas	Cinta cortada S/41.46 S/23.00 S/21.80 S/21.18 Envase tipo carrete S/20.36	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT	DFNW-5	N-Channel	1 Channel	60 V	288 A	1.2 mOhms	20 V	4 V	80 nC	- 55 C	+ 175 C	200 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET NVMFS5C604NLAFT3G onsemi 5,000: S/12.53 Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas NRND	N.º de artículo del Fabricante NVMFS5C604NLAFT3G N.º de artículo de Mouser 863-NVMFS5C604NLFT3G NRND	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET Obtenga más información sobre onsemi nvmfs5c604n mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas	Envase tipo carrete S/12.53	Min.: 5,000 Mult.: 5,000 : 5,000	Si	SMD/SMT	SO-8FL	N-Channel	1 Channel	60 V	40 A, 287 A	930 uOhms	20 V	1.2 V	120 nC	- 55 C	+ 175 C	3.9 W, 200 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel

N-Channel 40V & 60V Automotive Power MOSFETs

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