MOSFETs de SiC – Mouser Perú

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UF3C SiC FETs

onsemi UF3C High-Performance SiC FETs are cascode Silicon Carbide (SiC) products that co-package high-performance G3 SiC JFETs with a cascode-optimized Si MOSFET to produce a standard gate drive SiC device. This series exhibits ultra-low gate charge and is excellent for switching inductive loads and applications requiring a standard gate drive. The onsemi UF3C SiC FETs are available in 650V, 1200V, and 1700V versions and are offered in D²PAK-3, D²PAK-7, D²PAK-7L, TO-247-3L, TO-247-4L, and TO-220-3L packages.

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Resultados: 23

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

Calificación

Restablecer todos

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En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC 650V/40MOSICFETG3TO247-4

UF3C065040K4S
onsemi
1: S/77.07
3,280En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF3C065040K4S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C065040K4S

onsemi

MOSFETs de SiC 650V/40MOSICFETG3TO247-4

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Hoja de datos

3,280En existencias

S/77.07

S/45.46

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

1 Channel

650 V

54 A

52 mOhms

- 25 V, + 25 V

4 V

43 nC

- 55 C

+ 175 C

326 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO220-3

UF3C065080T3S
onsemi
1: S/45.62
507En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF3C065080T3S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C065080T3S

onsemi

MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO220-3

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Hoja de datos

507En existencias

S/45.62

S/26.90

S/24.83

S/22.85

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

1 Channel

650 V

31 A

100 mOhms

- 25 V, + 25 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

190 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO247-4

UF3C065080K4S
onsemi
1: S/49.47
583En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF3C065080K4S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C065080K4S

onsemi

MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO247-4

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Hoja de datos

583En existencias

S/49.47

S/28.18

S/26.12

S/24.80

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

1 Channel

650 V

31 A

100 mOhms

- 25 V, + 25 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

190 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 1200V/80MOSICFETG3TO247-3

UF3C120080K3S
onsemi
1: S/82.37
1,142En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF3C120080K3S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C120080K3S

onsemi

MOSFETs de SiC 1200V/80MOSICFETG3TO247-3

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Hoja de datos

1,142En existencias

S/82.37

S/49.51

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

1 Channel

1.2 kV

33 A

100 mOhms

- 25 V, + 25 V

6 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

254.2 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO247-3

UF3C065080K3S
onsemi
1: S/47.92
644En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF3C065080K3S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C065080K3S

onsemi

MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO247-3

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Hoja de datos

644En existencias

S/47.92

S/27.44

S/25.42

S/24.02

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

1 Channel

650 V

31 A

100 mOhms

- 12 V, + 12 V

6 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

190 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 1200V/150MOSICFETG3TO263-7

UF3C120150B7S
onsemi
1: S/48.93
374En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF3C120150B7S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C120150B7S

onsemi

MOSFETs de SiC 1200V/150MOSICFETG3TO263-7

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Hoja de datos

374En existencias

Cinta cortada

S/48.93

S/28.53

S/26.27

S/24.52

Envase tipo carrete

S/24.52

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

1 Channel

1.2 kV

17 A

150 mOhms

- 25 V, + 25 V

4.4 V

25.7 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

SiC FET

MOSFETs de SiC 1200V/40MOSICFETG3TO24

UF3C120040K3S
onsemi
1: S/114.36
227En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF3C120040K3S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C120040K3S

onsemi

MOSFETs de SiC 1200V/40MOSICFETG3TO24

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Hoja de datos

227En existencias

S/114.36

S/85.36

S/76.49

S/75.16

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

1 Channel

1.2 kV

65 A

45 mOhms

- 25 V, + 25 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

429 W

Enhancement

SiC FET

MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO220-3

UF3C065030T3S
onsemi
1: S/99.88
902En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF3C065030T3S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C065030T3S

onsemi

MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO220-3

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Hoja de datos

902En existencias

S/99.88

S/63.33

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

1 Channel

650 V

85 A

35 mOhms

- 25 V, + 25 V

5 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

441 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 650V/40MOSICFETG3TO247-3

UF3C065040K3S
onsemi
1: S/75.94
1,166En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF3C065040K3S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C065040K3S

onsemi

MOSFETs de SiC 650V/40MOSICFETG3TO247-3

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Hoja de datos

1,166En existencias

S/75.94

S/44.65

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

1 Channel

650 V

54 A

42 mOhms

- 25 V, + 25 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

326 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 1200V/40MOSICFETG3TO247-4

UF3C120040K4S
onsemi
1: S/114.87
630En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF3C120040K4S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C120040K4S

onsemi

MOSFETs de SiC 1200V/40MOSICFETG3TO247-4

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Hoja de datos

630En existencias

S/114.87

S/75.16

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

1 Channel

1.2 kV

65 A

45 mOhms

- 25 V, + 25 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

429 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO263-3

UF3C065080B3
onsemi
1: S/44.76
1,251En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
UF3C065080B3

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C065080B3

Fin de vida útil

onsemi

MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO263-3

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Hoja de datos

1,251En existencias

Cinta cortada

S/44.76

S/26.43

S/24.02

S/22.38

Envase tipo carrete

S/22.38

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

1 Channel

650 V

25 A

100 mOhms

- 25 V, + 25 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO263-7

UF3C065080B7S
onsemi
1: S/51.38
199En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF3C065080B7S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C065080B7S

onsemi

MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO263-7

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Hoja de datos

199En existencias

Cinta cortada

S/51.38

S/30.48

S/28.42

S/26.51

Envase tipo carrete

S/26.51

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

1 Channel

650 V

27 A

85 mOhms

- 25 V, + 25 V

6 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

136.4 W

Enhancement

SiC FET

MOSFETs de SiC 1200V/400MOSICFETG3TO263-7

UF3C120400B7S
onsemi
1: S/36.01
678En existencias
800Se espera el 23/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
UF3C120400B7S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C120400B7S

onsemi

MOSFETs de SiC 1200V/400MOSICFETG3TO263-7

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Hoja de datos

678En existencias

800Se espera el 23/11/2026

Cinta cortada

S/36.01

S/19.73

S/18.14

S/17.13

Envase tipo carrete

S/17.13

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 800

: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

1 Channel

1.2 kV

5.9 A

410 mOhms

- 25 V, + 25 V

6 V

22.5 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

SiC FET

MOSFETs de SiC 1700V/400MOSICFETG3TO263-7

UF3C170400B7S
onsemi
1: S/45.31
26En existencias
1,600En pedido

N.º de artículo del Fabricante
UF3C170400B7S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C170400B7S

onsemi

MOSFETs de SiC 1700V/400MOSICFETG3TO263-7

Obtenga más información

Hoja de datos

26En existencias

1,600En pedido

Cinta cortada

S/45.31

S/24.76

S/23.78

Envase tipo carrete

S/23.78

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 400

: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

1 Channel

1.7 kV

7.6 A

410 mOhms

- 25 V, + 25 V

6 V

23.1 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

SiC FET

MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO247-3

UF3C065030K3S
onsemi
1: S/105.14
92En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF3C065030K3S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C065030K3S

onsemi

MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO247-3

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Hoja de datos

92En existencias

S/105.14

S/64.62

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

1 Channel

650 V

85 A

35 mOhms

- 25 V, + 25 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

441 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 1200V/80MOSICFETG3TO263-7

UF3C120080B7S
onsemi
1: S/74.85
621En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF3C120080B7S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C120080B7S

onsemi

MOSFETs de SiC 1200V/80MOSICFETG3TO263-7

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Hoja de datos

621En existencias

Cinta cortada

S/74.85

S/46.94

S/44.45

Envase tipo carrete

S/44.45

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

1 Channel

1.2 kV

28.8 A

85 mOhms

- 25 V, + 25 V

6 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

190 W

Enhancement

SiC FET

MOSFETs de SiC 1200V/80MOSICFETG3TO247-4

UF3C120080K4S
onsemi
1: S/82.44
639En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF3C120080K4S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C120080K4S

onsemi

MOSFETs de SiC 1200V/80MOSICFETG3TO247-4

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Hoja de datos

639En existencias

S/82.44

S/50.29

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 300

Through Hole

TO-247-4

1 Channel

1.2 kV

33 A

100 mOhms

- 25 V, + 25 V

6 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

254.2 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 1700V/400MOSICFETG3TO247-3

UF3C170400K3S
onsemi
1: S/46.09
464En existencias
600Se espera el 16/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
UF3C170400K3S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C170400K3S

onsemi

MOSFETs de SiC 1700V/400MOSICFETG3TO247-3

Obtenga más información

Hoja de datos

464En existencias

600Se espera el 16/11/2026

S/46.09

S/26.00

S/24.02

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 300

Through Hole

TO-247-3

1 Channel

1.7 kV

7.6 A

1.07 Ohms

- 25 V, + 25 V

6 V

27.5 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 1200V/150MOSICFETG3TO247-4

UF3C120150K4S
onsemi
1: S/54.34
64En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF3C120150K4S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C120150K4S

onsemi

MOSFETs de SiC 1200V/150MOSICFETG3TO247-4

Obtenga más información

Hoja de datos

64En existencias

S/54.34

S/30.36

S/29.39

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

1 Channel

1.2 kV

18.4 A

330 mOhms

- 25 V, + 25 V

3.5 V

25.7 nC

- 55 C

+ 175 C

166.7 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO247-4

UF3C065030K4S
onsemi
1: S/105.41
1,200Se espera el 19/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
UF3C065030K4S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C065030K4S

onsemi

MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO247-4

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Hoja de datos

1,200Se espera el 19/02/2027

S/105.41

S/84.39

S/72.98

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

1 Channel

650 V

85 A

35 mOhms

- 25 V, + 25 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

441 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 650V/40MOSICFETG3TO220-3

UF3C065040T3S
onsemi
1: S/76.10
1,000Se espera el 21/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
UF3C065040T3S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C065040T3S

onsemi

MOSFETs de SiC 650V/40MOSICFETG3TO220-3

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Hoja de datos

1,000Se espera el 21/12/2026

S/76.10

S/45.39

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

1 Channel

650 V

54 A

52 mOhms

- 25 V, + 25 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

326 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 1200V/400MOSICFETG3TO247-3

UF3C120400K3S
onsemi
1: S/43.01
300Se espera el 8/03/2027

N.º de artículo del Fabricante
UF3C120400K3S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C120400K3S

onsemi

MOSFETs de SiC 1200V/400MOSICFETG3TO247-3

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Hoja de datos

300Se espera el 8/03/2027

S/43.01

S/23.43

S/21.64

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

1 Channel

1.2 kV

7.6 A

1.07 Ohms

- 25 V, + 25 V

6 V

27.5 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO263-3

UF3C065030B3
onsemi
1: S/98.36
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
UF3C065030B3

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C065030B3

Fin de vida útil

onsemi

MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO263-3

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas

Cinta cortada

S/98.36

S/66.52

S/62.98

Envase tipo carrete

S/62.98

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

1 Channel

650 V

65 A

27 mOhms

- 25 V, + 25 V

4 V

51 nC

- 25 C

+ 175 C

242 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

UF3C SiC FETs

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