Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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MOSFETs for General Purpose Applications

Infineon Technologies MOSFETs for General Purpose Applications offer simple and price-competitive solutions with a wide availability and established quality. This portfolio covers voltage classes up to 100V. It includes single and dual N-channel MOSFETs, and products for smaller power handling (single and dual N- and P-channel MOSFETs). The selected parts come in a wide range of packages including SOT-23, PQFN 2x2, PQFN 3x3, DPAK, SO-8, SuperSO8 5x6, and TO220. These products address a broad range of general-purpose applications like adapters, chargers, battery-powered applications, motor control and drives, battery management systems, inverters, computing, and mobile applications.

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Resultados: 19

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V IPP016N08NF2SAKMA1 Infineon Technologies 1: S/17.28 1,990En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP016N08NF2SAKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP016N08NF2SAKM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	1,990En existencias	S/17.28 S/8.84 S/8.02 S/6.58 Ver S/6.46 S/6.42	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole		N-Channel	1 Channel	80 V	196 A	1.6 mOhms	20 V	3.8 V	170 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IPP016N06NF2SAKMA1 Infineon Technologies 1: S/10.43 1,785En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP016N06NF2SAKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-P016N06NF2SAKMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	1,785En existencias	S/10.43 S/5.37 S/4.83 S/3.93 S/3.65	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	60 V	194 A	1.6 mOhms	20 V	2.1 V	155 nC	- 55 C	+ 175 C	250 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IPP019N06NF2SAKMA1 Infineon Technologies 1: S/10.47 8,698En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP019N06NF2SAKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-P019N06NF2SAKMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	8,698En existencias	S/10.47 S/5.14 S/4.63 S/3.69 Ver S/3.30 S/3.24	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	60 V	185 A	1.9 mOhms	20 V	2.1 V	108 nC	- 55 C	+ 175 C	188 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IPP014N06NF2SAKMA2 Infineon Technologies 1: S/9.30 943En existencias 1,000Se espera el 3/12/2026	N.º de artículo del Fabricante IPP014N06NF2SAKMA2 N.º de artículo de Mouser 726-P014N06NF2SAKMA2	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	943En existencias 1,000Se espera el 3/12/2026	S/9.30 S/6.07 S/5.64 S/4.63 Ver S/4.52 S/4.32	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	60 V	198 A	1.4 mOhms	20 V	2.1 V	203 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V IPA030N10NF2SXKSA1 Infineon Technologies 1: S/16.19 1,988En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPA030N10NF2SXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA030N10NF2SXKS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	1,988En existencias	S/16.19 S/8.25 S/7.47 S/6.07 S/5.88	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220FP-3	N-Channel	1 Channel	100 V	83 A	3 mOhms	20 V	3 V	154 nC	- 55 C	+ 175 C	41 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V IPP011N04NF2SAKMA1 Infineon Technologies 1: S/17.24 2,483En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP011N04NF2SAKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP011N04NF2SAKM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	2,483En existencias	S/17.24 S/8.17 S/6.89 S/6.38	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	40 V	201 A	1.15 mOhms	20 V	3.4 V	210 nC	- 55 C	+ 175 C	375 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V IPP050N10NF2SAKMA1 Infineon Technologies 1: S/12.69 1,395En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP050N10NF2SAKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP050N10NF2SAKM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	1,395En existencias	S/12.69 S/6.34 S/5.72 S/4.63 Ver S/4.59 S/4.20 S/4.16	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	100 V	110 A	5 mOhms	20 V	3.8 V	51 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V IPP013N04NF2SAKMA1 Infineon Technologies 1: S/15.06 4,900En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP013N04NF2SAKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP013N04NF2SAKM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	4,900En existencias	S/15.06 S/7.63 S/6.50 S/5.76 S/5.25	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	40 V	197 A	1.3 mOhms	20 V	3.4 V	159 nC	- 55 C	+ 175 C	250 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V IPP015N04NF2SAKMA1 Infineon Technologies 1: S/13.23 2,725En existencias 9,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante IPP015N04NF2SAKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP015N04NF2SAKM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	2,725En existencias 9,000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IPP015N04NF2SAKMA1 Existencias: 2,725 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 3,000 Se espera el 3/12/2026 6,000 Se espera el 10/12/2026 Plazo de entrega de fábrica: 31 Semanas	S/13.23 S/6.62 S/5.99 S/4.87 Ver S/4.71 S/4.52	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	40 V	193 A	1.5 mOhms	20 V	3.4 V	106 nC	- 55 C	+ 175 C	188 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V IPP019N08NF2SAKMA1 Infineon Technologies 1: S/16.23 1,551En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP019N08NF2SAKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP019N08NF2SAKM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	1,551En existencias	S/16.23 S/8.25 S/7.32 S/6.15 Ver S/6.11 S/5.92 S/5.88	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	80 V	191 A	1.9 mOhms	20 V	3.8 V	124 nC	- 55 C	+ 175 C	250 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V IPP026N10NF2SAKMA1 Infineon Technologies 1: S/17.63 1,338En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP026N10NF2SAKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP026N10NF2SAKM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	1,338En existencias	S/17.63 S/9.65 S/8.76 S/7.24 Ver S/7.20 S/7.12	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	100 V	184 A	2.6 mOhms	20 V	3.8 V	103 nC	- 55 C	+ 175 C	250 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V IPP040N08NF2SAKMA1 Infineon Technologies 1: S/11.25 6,337En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP040N08NF2SAKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP040N08NF2SAKM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	6,337En existencias	S/11.25 S/5.57 S/5.02 S/4.05 Ver S/3.78 S/3.65 S/3.58	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole		N-Channel	1 Channel	80 V	115 A	4 mOhms	20 V	3.8 V	54 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V IPP055N08NF2SAKMA1 Infineon Technologies 1: S/8.95 3,917En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP055N08NF2SAKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP055N08NF2SAKM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	3,917En existencias	S/8.95 S/4.36 S/3.88 S/3.09 Ver S/2.96 S/2.65 S/2.61	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole		N-Channel	1 Channel	80 V	99 A	5.5 mOhms	20 V	3.8 V	36 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V IPP024N08NF2SAKMA1 Infineon Technologies 1: S/13.97 375En existencias 1,000Se espera el 4/03/2027	N.º de artículo del Fabricante IPP024N08NF2SAKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP024N08NF2SAKM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	375En existencias 1,000Se espera el 4/03/2027	S/13.97 S/7.05 S/6.58 S/5.18 S/4.79	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	80 V	182 A	2.4 mOhms	20 V	3.8 V	89 nC	- 55 C	+ 175 C	214 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V IPP082N10NF2SAKMA1 Infineon Technologies 1: S/9.19 841En existencias 1,000Se espera el 2/11/2026	N.º de artículo del Fabricante IPP082N10NF2SAKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP082N10NF2SAKM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	841En existencias 1,000Se espera el 2/11/2026	S/9.19 S/4.71 S/3.76 S/3.30 Ver S/3.11 S/3.09	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole		N-Channel	1 Channel	100 V	77 A	8.2 mOhms	20 V	3.8 V	28 nC	- 55 C	+ 175 C	100 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V IPP129N10NF2SAKMA1 Infineon Technologies 1: S/8.84 911En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP129N10NF2SAKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP129N10NF2SAKM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	911En existencias	S/8.84 S/4.28 S/3.83 S/3.05 Ver S/2.85 S/2.78 S/2.72 S/2.62	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole		N-Channel	1 Channel	100 V	52 A	12.9 mOhms	20 V	3.8 V	19 nC	- 55 C	+ 175 C	71 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V IPA082N10NF2SXKSA1 Infineon Technologies 1: S/11.33 544En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPA082N10NF2SXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA082N10NF2SXKS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	544En existencias	S/11.33 S/5.61 S/5.06 S/4.16 S/3.62	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220FP-3	N-Channel	1 Channel	100 V	46 A	8.2 mOhms	20 V	3.8 V	42 nC	- 55 C	+ 175 C	35 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IPP030N06NF2SAKMA1 Infineon Technologies 1: S/8.76 835En existencias 1,000Se espera el 28/01/2027	N.º de artículo del Fabricante IPP030N06NF2SAKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP030N06NF2SAKM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	835En existencias 1,000Se espera el 28/01/2027	S/8.76 S/4.24 S/3.79 S/3.15 Ver S/2.61 S/2.57 S/2.53	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	60 V	119 A	3.05 mOhms	20 V	3.3 V	68 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IPP040N06NF2SAKMA1 Infineon Technologies 1: S/7.55 23En existencias 2,000Se espera el 10/12/2026	N.º de artículo del Fabricante IPP040N06NF2SAKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP040N06NF2SAKM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	23En existencias 2,000Se espera el 10/12/2026	S/7.55 S/3.60 S/3.16 S/2.51 Ver S/2.29 S/2.09 S/2.02 S/1.91	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	60 V	80 A	4 mOhms	20 V	3.3 V	38 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	Tube

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