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Ampleon Semiconductores

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N.° de pieza

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9H10XS-60P/SOT1273/TRAYDP

BLC9H10XS-60PZ
Ampleon
60: S/186.41
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BLC9H10XS-60PZ

N.º de artículo de Mouser
94-BLC9H10XS-60PZ

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9H10XS-60P/SOT1273/TRAYDP

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Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

S/186.41

S/185.32

Ver

Min.: 60
Mult.: 60

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF0910H9LS600/SOT502/REEL

BLF0910H9LS600J
Ampleon
100: S/497.73
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BLF0910H9LS600J

N.º de artículo de Mouser
94-BLF0910H9LS600J

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF0910H9LS600/SOT502/REEL

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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/497.73

Presupuesto

Min.: 100
Mult.: 100

: 100

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF0910H9LS600/SOT502/TRAY

BLF0910H9LS600U
Ampleon
60: S/498.40
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BLF0910H9LS600U

N.º de artículo de Mouser
94-BLF0910H9LS600U

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF0910H9LS600/SOT502/TRAY

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

S/498.40

Presupuesto

Min.: 60
Mult.: 60

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF0910H9LS750P/SOT539/REEL

BLF0910H9LS750PJ
Ampleon
100: S/697.85
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BLF0910H9LS750PJ

N.º de artículo de Mouser
94-BLF0910H9LS750PJ

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF0910H9LS750P/SOT539/REEL

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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/697.85

Min.: 100
Mult.: 100

: 100

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF0910H9LS750P/SOT539/TRAY

BLF0910H9LS750PU
Ampleon
60: S/707.89
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BLF0910H9LS750PU

N.º de artículo de Mouser
94-BLF0910H9LS750PU

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF0910H9LS750P/SOT539/TRAY

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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

S/707.89

Min.: 60
Mult.: 60

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF13H9LS750P/SOT1483/TRAY

BLF13H9LS750PU
Ampleon
60: S/838.95
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BLF13H9LS750PU

N.º de artículo de Mouser
94-BLF13H9LS750PU

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF13H9LS750P/SOT1483/TRAY

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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

S/838.95

Presupuesto

Min.: 60
Mult.: 60

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power LDMOS Transistor

BLF2425M9L30J
Ampleon
100: S/562.23
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BLF2425M9L30J

N.º de artículo de Mouser
94-BLF2425M9L30J

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power LDMOS Transistor

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Envase tipo carrete

S/562.23

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Min.: 100
Mult.: 100

: 100

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power LDMOS Transistor

BLF2425M9L30U
Ampleon
60: S/552.27
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BLF2425M9L30U

N.º de artículo de Mouser
94-BLF2425M9L30U

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power LDMOS Transistor

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

S/552.27

Presupuesto

Min.: 60
Mult.: 60

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power LDMOS transistor

BLF2425M9LS140J
Ampleon
100: S/408.60
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BLF2425M9LS140J

N.º de artículo de Mouser
94-BLF2425M9LS140J

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power LDMOS transistor

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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/408.60

Presupuesto

Min.: 100
Mult.: 100

: 100

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power LDMOS transistor

BLF2425M9LS140U
Ampleon
60: S/413.34
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BLF2425M9LS140U

N.º de artículo de Mouser
94-BLF2425M9LS140U

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power LDMOS transistor

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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

S/413.34

Presupuesto

Min.: 60
Mult.: 60

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power LDMOS Transistor

BLF2425M9LS30J
Ampleon
100: S/390.96
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BLF2425M9LS30J

N.º de artículo de Mouser
94-BLF2425M9LS30J

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power LDMOS Transistor

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/390.96

Presupuesto

Min.: 100
Mult.: 100

: 100

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power LDMOS Transistor

BLF2425M9LS30U
Ampleon
1: S/503.14
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLF2425M9LS30U

N.º de artículo de Mouser
94-BLF2425M9LS30U

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power LDMOS Transistor

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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

S/503.14

S/424.09

S/389.79

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Broadband pwr LDMOS transistor

BLF647PSJ
Ampleon
100: S/724.90
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BLF647PSJ

N.º de artículo de Mouser
94-BLF647PSJ

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Broadband pwr LDMOS transistor

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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

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S/724.90

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Min.: 100
Mult.: 100

: 100

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF984PS/SOT1121/TRAY

BLF984PSU
Ampleon
60: S/542.73
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BLF984PSU

N.º de artículo de Mouser
94-BLF984PSU

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF984PS/SOT1121/TRAY

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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

S/542.73

Presupuesto

Min.: 60
Mult.: 60

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF989ES/SOT539/TRAY

BLF989ESU
Ampleon
60: S/832.49
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BLF989ESU

N.º de artículo de Mouser
94-BLF989ESU

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF989ES/SOT539/TRAY

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

S/832.49

Min.: 60
Mult.: 60

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF989S/SOT1275/TRAY

BLF989SU
Ampleon
60: S/761.26
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BLF989SU

N.º de artículo de Mouser
94-BLF989SU

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF989S/SOT1275/TRAY

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

S/761.26

Min.: 60
Mult.: 60

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF989/SOT1275/TRAY

BLF989U
Ampleon
1: S/935.37
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLF989U

N.º de artículo de Mouser
94-BLF989U

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF989/SOT1275/TRAY

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

S/935.37

S/775.07

S/756.90

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLL9G1214LS-600/SOT502/TRAY

BLL9G1214LS-600U
Ampleon
1: S/1,167.17
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLL9G1214LS-600U

N.º de artículo de Mouser
94-BLL9G1214LS-600U

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLL9G1214LS-600/SOT502/TRAY

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

S/1,167.17

S/973.71

S/956.47

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM10D2327-40AB/SOT1462/REELDP

BLM10D2327-40ABX
Ampleon
2,000: S/82.01
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BLM10D2327-40ABX

N.º de artículo de Mouser
94-BLM10D2327-40ABX

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM10D2327-40AB/SOT1462/REELDP

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

Envase tipo carrete

S/82.01

Min.: 2,000
Mult.: 2,000

: 2,000

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM10D2327-40AB/SOT1462/REELDP

BLM10D2327-40ABZ
Ampleon
1: S/132.11
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLM10D2327-40ABZ

N.º de artículo de Mouser
94-BLM10D2327-40ABZ

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM10D2327-40AB/SOT1462/REELDP

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

Cinta cortada

S/132.11

S/105.76

S/98.09

S/91.47

Ver

Envase tipo carrete

S/82.25

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 500

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM7G1822S-40PBG/SOT1212/REELD

BLM7G1822S-40PBGYZ
Ampleon
300: S/126.66
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BLM7G1822S-40PBGYZ

N.º de artículo de Mouser
94-BLM7G1822S40PBGYZ

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM7G1822S-40PBG/SOT1212/REELD

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

Envase tipo carrete

S/126.66

Ver

Min.: 300
Mult.: 300

: 300

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM8D1822S-50PBG/SOT1212/REELD

BLM8D1822S-50PBGY
Ampleon
100: S/166.17
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BLM8D1822S-50PBGY

N.º de artículo de Mouser
94-BLM8D1822S-50PBGY

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM8D1822S-50PBG/SOT1212/REELD

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

Envase tipo carrete

S/166.17

S/160.49

Ver

Min.: 100
Mult.: 100

: 100

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D0708-05AM/LGA-7x7/REELDP

BLM9D0708-05AMZ
Ampleon
1,000: S/44.06
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BLM9D0708-05AMZ

N.º de artículo de Mouser
94-BLM9D0708-05AMZ

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D0708-05AM/LGA-7x7/REELDP

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

Envase tipo carrete

S/44.06

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

: 1,000

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D0910-05AM/LGA-7x7/REELDP

BLM9D0910-05AMZ
Ampleon
1,000: S/44.06
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BLM9D0910-05AMZ

N.º de artículo de Mouser
94-BLM9D0910-05AMZ

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D0910-05AM/LGA-7x7/REELDP

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

Envase tipo carrete

S/44.06

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

: 1,000

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D1819-08AM/LGA-7x7/REELDP

BLM9D1819-08AMZ
Ampleon
1,000: S/46.83
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BLM9D1819-08AMZ

N.º de artículo de Mouser
94-BLM9D1819-08AMZ

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D1819-08AM/LGA-7x7/REELDP

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

Envase tipo carrete

S/46.83

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

: 1,000

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