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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G18XS-551AVT/SOT1258/TRAY

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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G18XS-552AVT/SOT1258/REEL

BLC10G18XS-552AVTY
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BLC10G18XS-552AVTY

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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G18XS-552AVT/SOT1258/REEL

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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G18XS-552AVT/SOT1258/TRAY

BLC10G18XS-552AVTZ
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G18XS-552AVT/SOT1258/TRAY

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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G18XS-602AVT/SOT1258/REELDP

BLC10G18XS-602AVTY
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BLC10G18XS-602AVTZ
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G19XS-551AV/SOT539/REELDP

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BLC10G19XS-551AVZ

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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G19XS-551AV/SOT1258/TRAYD

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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G19XS-551AV/OMP-1230/REEL

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BLC10G19XS-551AVYZ

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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G19XS-551AV/OMP-1230/REEL

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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G19XS-600AVT/SOT125/REELD

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BLC10G19XS-600AVTY

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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G19XS-600AVT/SOT125/REELD

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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G19XS-600AVT/SOT125/TRAYD

BLC10G19XS-600AVTZ
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BLC10G19XS-600AVTZ

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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G19XS-600AVT/SOT125/TRAYD

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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G19XS-601AVT/SOT1258/REEL

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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G19XS-601AVT/SOT1258/REEL

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S/509.37

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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G19XS-601AVT/SOT1258/TRAYD

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BLC10G19XS-601AVTZ

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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G19XS-601AVT/SOT1258/TRAYD

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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-301AVT/SOT1275/REEL

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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-301AVT/SOT1275/REEL

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BLC10G22XS-301AVTY

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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-301AVT/SOT1275/REEL

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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-301AVT/SOT1275/TRAY

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BLC10G22XS-301AVTZ

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94-BLC10G22XS301AVTZ

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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-301AVT/SOT1275/TRAY

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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-400AVT/SOT1258/TRAY

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BLC10G22XS-400AVTZ

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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-400AVT/SOT1258/TRAY

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S/321.13

S/313.42

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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-401AVT/SOT1275/REEL

BLC10G22XS-401AVTY
Ampleon
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Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

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BLC10G22XS-401AVTY

N.º de artículo de Mouser
94-BLC10G22XS401AVTY

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-401AVT/SOT1275/REEL

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S/307.55

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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-551AVT/SOT1258/REEL

BLC10G22XS-551AVTY
Ampleon
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Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

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BLC10G22XS-551AVTY

N.º de artículo de Mouser
94-BLC10G22XS551AVTY

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-551AVT/SOT1258/REEL

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Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

Envase tipo carrete

S/349.51

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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-551AVT/SOT1258/TRAY

BLC10G22XS-551AVTZ
Ampleon
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Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BLC10G22XS-551AVTZ

N.º de artículo de Mouser
94-BLC10G22XS551AVTZ

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-551AVT/SOT1258/TRAY

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Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

S/407.66

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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-570AVT/SOT1258/TRAY

BLC10G22XS-570AVTZ
Ampleon
60: S/334.13
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BLC10G22XS-570AVTZ

N.º de artículo de Mouser
94-BLC10G22XS570AVTZ

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-570AVT/SOT1258/TRAY

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Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

S/334.13

S/324.40

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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-600AVT/SOT1258/REELDP

BLC10G22XS-600AVTY
Ampleon
100: S/308.75
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BLC10G22XS-600AVTY

N.º de artículo de Mouser
94-BLC10G22XS600AVTY

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-600AVT/SOT1258/REELDP

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S/308.75

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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-600AVT/SOT1258/TRAYDP

BLC10G22XS-600AVTZ
Ampleon
60: S/313.03
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BLC10G22XS-600AVTZ

N.º de artículo de Mouser
94-BLC10G22XS600AVTZ

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-600AVT/SOT1258/TRAYDP

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S/313.03

S/290.77

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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-602AVT/SOT1258/REEL

BLC10G22XS-602AVTY
Ampleon
100: S/289.60
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BLC10G22XS-602AVTY

N.º de artículo de Mouser
94-BLC10G22XS602AVTY

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-602AVT/SOT1258/REEL

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S/289.60

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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-602AVT/SOT1258/TRAY

BLC10G22XS-602AVTZ
Ampleon
60: S/310.54
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BLC10G22XS-602AVTZ

N.º de artículo de Mouser
94-BLC10G22XS602AVTZ

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-602AVT/SOT1258/TRAY

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

S/310.54

S/299.88

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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-603AVT/SOT1258/REEL

BLC10G22XS-603AVTY
Ampleon
100: S/293.22
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BLC10G22XS-603AVTY

N.º de artículo de Mouser
94-BLC10G22XS603AVTY

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-603AVT/SOT1258/REEL

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Envase tipo carrete

S/293.22

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