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10 A Semiconductores

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 10A TO-252 XP65SL380DH YAGEO XSemi 1: S/9.30 2,999En existencias	N.º de artículo del Fabricante XP65SL380DH N.º de artículo de Mouser 603-XP65SL380DH	YAGEO XSemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 10A TO-252 Obtenga más información sobre YAGEO XSemi xsemi power mosfets	Hoja de datos	2,999En existencias	Cinta cortada S/9.30 S/4.55 S/4.09 S/3.23 S/3.07 Envase tipo carrete S/2.72 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 800V 1.1 Rds IXFA10N80P IXYS 1: S/25.65 8,813En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXFA10N80P N.º de artículo de Mouser 747-IXFA10N80P	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 800V 1.1 Rds Obtenga más información sobre IXYS 900v hiperfet	Hoja de datos	8,813En existencias	S/25.65 S/13.58 S/11.79 S/10.78	Min.: 1 Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch QFET Logic Level FQD13N10LTM onsemi 1: S/5.02 225,296En existencias	N.º de artículo del Fabricante FQD13N10LTM N.º de artículo de Mouser 512-FQD13N10LTM	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch QFET Logic Level	Hoja de datos	225,296En existencias	Cinta cortada S/5.02 S/2.34 S/2.07 S/1.61 S/1.52 Envase tipo carrete S/1.18 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 2,500 : 2,500
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package STD80N450K6 STMicroelectronics 1: S/17.20 765En existencias	N.º de artículo del Fabricante STD80N450K6 N.º de artículo de Mouser 511-STD80N450K6	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm std80n450k6 power mosfet	Hoja de datos	765En existencias	Cinta cortada S/17.20 S/8.80 S/7.98 S/6.77 Envase tipo carrete S/6.31 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH STP10NK60Z STMicroelectronics 1: S/17.05 2,868En existencias	N.º de artículo del Fabricante STP10NK60Z N.º de artículo de Mouser 511-STP10NK60Z	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmsuperMESH	Hoja de datos	2,868En existencias	S/17.05 S/9.89 S/8.91 S/7.63 S/7.36	Min.: 1 Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch QFET Logic Level FQD13N10TM onsemi 1: S/5.76 4,535En existencias	N.º de artículo del Fabricante FQD13N10TM N.º de artículo de Mouser 512-FQD13N10TM	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch QFET Logic Level	Hoja de datos	4,535En existencias	Cinta cortada S/5.76 S/2.70 S/2.40 S/1.88 S/1.69 Envase tipo carrete S/1.45 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 2,500 : 2,500
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7 IPL65R230C7 Infineon Technologies 1: S/13.86 6,299En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPL65R230C7 N.º de artículo de Mouser 726-IPL65R230C7	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmosc7 mosfet	Hoja de datos	6,299En existencias	Cinta cortada S/13.86 S/6.97 S/6.11 S/5.10 S/4.98 Envase tipo carrete S/4.75 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) D2 Depletion Mode Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTT10N100D2 IXYS 1: S/103.93 786En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXTT10N100D2 N.º de artículo de Mouser 747-IXTT10N100D2	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) D2 Depletion Mode Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Obtenga más información sobre IXYS d2 n channel mosfets	Hoja de datos	786En existencias	S/103.93 S/77.42 S/70.96 S/67.65 Presupuesto Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V Vdss 10A ID TO-252(DPAK); TO-252 RD3P100SNFRATL ROHM Semiconductor 1: S/9.03 2,354En existencias	N.º de artículo del Fabricante RD3P100SNFRATL N.º de artículo de Mouser 755-RD3P100SNFRATL	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V Vdss 10A ID TO-252(DPAK); TO-252 Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm rd3x aec q101 n ch mosfets	Hoja de datos	2,354En existencias	Cinta cortada S/9.03 S/4.40 S/3.81 S/3.13 S/2.95 Envase tipo carrete S/2.65 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 300Vds 30Vgs AEC-Q101 Qualified SQD10N30-330H_GE3 Vishay / Siliconix 1: S/9.11 11,661En existencias	N.º de artículo del Fabricante SQD10N30-330H_GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SQD10N30-330H_GE3	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 300Vds 30Vgs AEC-Q101 Qualified Obtenga más información sobre Vishay / Siliconix vishay sqmosfets	Hoja de datos	11,661En existencias	Cinta cortada S/9.11 S/4.44 S/3.97 S/3.16 Envase tipo carrete S/2.68 Ver S/2.98 S/2.65 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 10 Amp Zener SuperMESH STP11NK50Z STMicroelectronics 1: S/14.87 1,738En existencias	N.º de artículo del Fabricante STP11NK50Z N.º de artículo de Mouser 511-STP11NK50Z	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 10 Amp Zener SuperMESH Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmsuperMESH	Hoja de datos	1,738En existencias	S/14.87 S/9.61 S/7.67 S/6.42 S/5.88	Min.: 1 Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V SuperMESH3 Zener-Protected 10A STW13N95K3 STMicroelectronics 1: S/36.16 1,100En existencias	N.º de artículo del Fabricante STW13N95K3 N.º de artículo de Mouser 511-STW13N95K3	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V SuperMESH3 Zener-Protected 10A Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmsuperMESH3	Hoja de datos	1,100En existencias	S/36.16 S/24.68 S/20.36 S/16.97	Min.: 1 Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Single N-Channel PowerTrench MOSFET FDMA8051L onsemi 1: S/3.74 15,991En existencias	N.º de artículo del Fabricante FDMA8051L N.º de artículo de Mouser 512-FDMA8051L	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Single N-Channel PowerTrench MOSFET Obtenga más información sobre onsemi fairchild powertrench mosfets	Hoja de datos	15,991En existencias	Cinta cortada S/3.74 S/1.72 S/1.52 S/1.43 S/1.20 Envase tipo carrete S/1.08 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 3,000 : 3,000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET RCJ100N25TL ROHM Semiconductor 1: S/10.16 1,698En existencias	N.º de artículo del Fabricante RCJ100N25TL N.º de artículo de Mouser 755-RCJ100N25TL	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm silicon power mosfets	Hoja de datos	1,698En existencias	Cinta cortada S/10.16 S/4.98 S/4.48 S/3.58 Envase tipo carrete S/3.32 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 30V 10A Si MOSFET RF4E100AJTCR ROHM Semiconductor 1: S/6.77 5,180En existencias	N.º de artículo del Fabricante RF4E100AJTCR N.º de artículo de Mouser 755-RF4E100AJTCR	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 30V 10A Si MOSFET Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm low gate drive mosfets	Hoja de datos	5,180En existencias	Cinta cortada S/6.77 S/4.16 S/2.76 S/2.17 Envase tipo carrete S/1.68 Ver S/1.85 S/1.49 S/1.44 S/1.40 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101 TJ10S04M3L,LXHQ Toshiba 1: S/5.61 17,713En existencias	N.º de artículo del Fabricante TJ10S04M3L,LXHQ N.º de artículo de Mouser 757-TJ10S04M3L,LXHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosvi	Hoja de datos	17,713En existencias	Cinta cortada S/5.61 S/2.62 S/2.33 S/1.82 Envase tipo carrete S/1.51 Ver S/1.79 S/1.36 S/1.35	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET IRF740APBF-BE3 Vishay / Siliconix 1: S/10.08 5,845En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF740APBF-BE3 N.º de artículo de Mouser 78-IRF740APBF-BE3	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET	Hoja de datos	5,845En existencias	S/10.08 S/6.03 S/4.48 S/3.76 S/3.33	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L SIHJ10N60E-T1-GE3 Vishay Semiconductors 1: S/15.06 10,142En existencias	N.º de artículo del Fabricante SIHJ10N60E-T1-GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SIHJ10N60E-T1-GE3	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L Obtenga más información sobre Vishay Semiconductors vishay siliconix e series mosfets	Hoja de datos	10,142En existencias	Cinta cortada S/15.06 S/7.63 S/6.89 S/5.64 Envase tipo carrete S/5.29 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Easy Drive 650V 10A 360 mOhm FCMT360N65S3 onsemi 1: S/20.75 2,518En existencias	N.º de artículo del Fabricante FCMT360N65S3 N.º de artículo de Mouser 863-FCMT360N65S3	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Easy Drive 650V 10A 360 mOhm Obtenga más información sobre onsemi fcmt360n65s3 superfet iii	Hoja de datos	2,518En existencias	Cinta cortada S/20.75 S/10.78 S/9.85 S/8.68 S/8.21 Envase tipo carrete S/8.21 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000
MOSFETs de SiC Transistor SiC MOSFET 1200V 450m 2nd Gen TO-247 SCT2450KEGC11 ROHM Semiconductor 1: S/50.17 400En existencias	N.º de artículo del Fabricante SCT2450KEGC11 N.º de artículo de Mouser 755-SCT2450KEGC11	ROHM Semiconductor	MOSFETs de SiC Transistor SiC MOSFET 1200V 450m 2nd Gen TO-247 Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm sic schottky barrier diodes	Hoja de datos	400En existencias	S/50.17 S/28.61 S/26.74	Min.: 1 Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET IRF740PBF-BE3 Vishay / Siliconix 1: S/11.09 4,239En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF740PBF-BE3 N.º de artículo de Mouser 78-IRF740PBF-BE3	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET	Hoja de datos	4,239En existencias	S/11.09 S/6.85 S/4.71 S/3.97 S/3.51	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -100V(Vdss), -10A(Id), (4.5V, 6.0V Drive) RD3P01BATTL1 ROHM Semiconductor 1: S/7.36 2,326En existencias	N.º de artículo del Fabricante RD3P01BATTL1 N.º de artículo de Mouser 755-RD3P01BATTL1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -100V(Vdss), -10A(Id), (4.5V, 6.0V Drive) Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm rd3 pch power mosfets	Hoja de datos	2,326En existencias	Cinta cortada S/7.36 S/3.52 S/3.11 S/2.48 Envase tipo carrete S/2.04 Ver S/2.33 S/2.00	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL EH MODE 30V 10A 12mOhm DMN3016LFDE-13 Diodes Incorporated 1: S/3.74 16,028En existencias	N.º de artículo del Fabricante DMN3016LFDE-13 N.º de artículo de Mouser 621-DMN3016LFDE-13	Diodes Incorporated	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL EH MODE 30V 10A 12mOhm	Hoja de datos	16,028En existencias	Cinta cortada S/3.74 S/1.69 S/1.48 S/1.10 Envase tipo carrete S/1.10 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 660 : 10,000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 345 mOhm typ., 10 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a DPAK package STD12N60DM6 STMicroelectronics 1: S/11.48 2,358En existencias	N.º de artículo del Fabricante STD12N60DM6 N.º de artículo de Mouser 511-STD12N60DM6	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 345 mOhm typ., 10 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a DPAK package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm dm6 power mosfet	Hoja de datos	2,358En existencias	Cinta cortada S/11.48 S/5.84 S/5.10 S/4.16 S/3.84 Envase tipo carrete S/3.63 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -30V -10A MOSFET RRH100P03TB1 ROHM Semiconductor 1: S/10.00 2,001En existencias	N.º de artículo del Fabricante RRH100P03TB1 N.º de artículo de Mouser 755-RRH100P03TB1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -30V -10A MOSFET	Hoja de datos	2,001En existencias	Cinta cortada S/10.00 S/4.90 S/4.40 S/3.51 S/3.36 Envase tipo carrete S/3.01 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500