Single SiC Semiconductores

Resultados: 133
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
Infineon Technologies Transistor de unión de efecto de campo (JFET) CoolSiC JFET 1200 V J1 in QDPAK 67En existencias
Cinta cortada
S/ 131.96
S/ 107.67
S/ 95.13
S/ 87.35
Envase tipo carrete
S/ 80.73
Min.: 1
Mult.: 1
: 750
Infineon Technologies Rectificadores y diodos Schottky SIC DISCRETE 121En existencias
240Se espera el 30/11/2026
S/ 86.14
S/ 57.84
S/ 49.20
Min.: 1
Mult.: 1
Microchip Technology Módulos MOSFET MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm TO-268 160En existencias
S/ 185.40
S/ 164.22
S/ 161.97
S/ 155.47
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Microchip Technology Módulos de semiconductores discretos PM-MOSFET-SIC-SBD-SOT227 18En existencias
S/ 146.20
Min.: 1
Mult.: 1
Microchip Technology Módulos MOSFET MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm SOT-227 31En existencias
S/ 112.07
S/ 95.87
S/ 95.79
S/ 84.51
S/ 84.47
Min.: 1
Mult.: 1
ROHM Semiconductor Módulos MOSFET 1200V Vdss; 204A ID SiC Mod; SICSTD02 4En existencias
S/ 2,738.14
Min.: 1
Mult.: 1
ROHM Semiconductor Módulos MOSFET 1200V, 300A, Boost Chopper, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET 4En existencias
S/ 2,782.59
Min.: 1
Mult.: 1
Qorvo GaN FETs RedesignofQPD1004 41En existencias
100Se espera el 2/11/2026
Cinta cortada
S/ 518.17
Envase tipo carrete
S/ 518.17
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 25
: 100
Qorvo GaN FETs RedesignofQPD1011 68En existencias
Cinta cortada
S/ 253.75
S/ 209.84
S/ 198.87
Envase tipo carrete
S/ 198.87
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 25
: 100
Qorvo GaN FETs RedesignofQPD1014 90En existencias
Cinta cortada
S/ 307.47
S/ 255.66
S/ 244.25
Envase tipo carrete
S/ 244.25
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 25
: 100

onsemi IGBTs 650V 75A FS4 HYBRID IGBT 417En existencias
S/ 46.83
S/ 28.03
S/ 24.48
Min.: 1
Mult.: 1

onsemi IGBTs Hybrid iGBT 650V 50A FS4 with SiC-SBD 764En existencias
S/ 48.11
S/ 28.84
S/ 25.38
Min.: 1
Mult.: 1
Microchip Technology APT100GT120JU3
Microchip Technology Módulos IGBT PM-IGBT-TFS-SOT227 23En existencias
S/ 147.41
Min.: 1
Mult.: 1
Infineon Technologies IGBTs Short circuit rugged 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology 2,325En existencias
Cinta cortada
S/ 16.62
S/ 10.90
S/ 8.14
S/ 7.08
Envase tipo carrete
S/ 5.99
S/ 5.92
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Infineon Technologies IGBTs Short circuit rugged 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology 882En existencias
Cinta cortada
S/ 18.41
S/ 12.18
S/ 8.64
S/ 7.51
Envase tipo carrete
S/ 6.58
S/ 6.11
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET 1,667En existencias
Cinta cortada
S/ 74.27
S/ 46.48
S/ 46.44
S/ 43.99
Envase tipo carrete
S/ 43.99
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
Vishay Semiconductors Módulos MOSFET MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET 292En existencias
S/ 291.35
S/ 239.47
Min.: 1
Mult.: 1
Vishay Semiconductors Módulos MOSFET MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET 221En existencias
S/ 234.48
S/ 210.66
Min.: 1
Mult.: 1
Infineon Technologies Módulos de semiconductores discretos HybridPACK DSC S module with SiC MOSFET and NTC 79En existencias
S/ 521.13
S/ 487.19
Min.: 1
Mult.: 1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET 2,195En existencias
Cinta cortada
S/ 74.70
S/ 43.71
S/ 40.72
S/ 40.56
Envase tipo carrete
S/ 40.56
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,800
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET 1,758En existencias
Cinta cortada
S/ 54.57
S/ 31.22
S/ 29.54
Envase tipo carrete
S/ 29.54
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,800
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET 1,799En existencias
Cinta cortada
S/ 32.27
S/ 17.48
S/ 16.04
S/ 14.79
Envase tipo carrete
S/ 14.79
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,800
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET 1,795En existencias
Cinta cortada
S/ 27.48
S/ 14.67
S/ 13.43
S/ 11.95
Envase tipo carrete
S/ 11.95
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,800
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET 1,961En existencias
Cinta cortada
S/ 44.18
S/ 28.96
S/ 25.89
S/ 23.51
S/ 23.04
Envase tipo carrete
S/ 21.84
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET 459En existencias
S/ 74.58
S/ 44.26
Min.: 1
Mult.: 1