Rectificadores y diodos Schottky SIC DISCRETE
IDWD80G200C5XKSA1
Infineon Technologies
1:
S/188.79
2 Se espera el 17/12/2026
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IDWD80G200C5XKSA
Nuevo producto
Infineon Technologies
Rectificadores y diodos Schottky SIC DISCRETE
2 Se espera el 17/12/2026
1
S/188.79
10
S/161.03
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S/134.72
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Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 1200V/9MOSICFETDGG3TO
UG3SC120009K4S
onsemi
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S/268.31
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431-UG3SC120009K4S
onsemi
Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 1200V/9MOSICFETDGG3TO
592 En existencias
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Módulos MOSFET 1200V Vdss; 204A ID SiC Mod; SICSTD02
BSM180C12P2E202
ROHM Semiconductor
1:
S/2,761.07
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N.º de artículo de Mouser
755-BSM180C12P2E202
ROHM Semiconductor
Módulos MOSFET 1200V Vdss; 204A ID SiC Mod; SICSTD02
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S/2,761.07
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Módulos MOSFET MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm TO-268
MSC017SMA120S
Microchip Technology
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S/185.36
160 En existencias
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579-MSC017SMA120S
Microchip Technology
Módulos MOSFET MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm TO-268
160 En existencias
1
S/185.36
10
S/160.88
30
S/147.53
120
S/146.98
270
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270
S/145.38
510
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Módulos de semiconductores discretos SiC 1200V 80mO MOSFET & 10A SBD SOT-227
GCMS080B120S1-E1
SemiQ
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S/114.83
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148-GCMS080B120S1-E1
SemiQ
Módulos de semiconductores discretos SiC 1200V 80mO MOSFET & 10A SBD SOT-227
549 En existencias
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IGBTs Hybrid iGBT 650V 50A FS4 with SiC-SBD
+1 imagen
AFGHL50T65SQDC
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863-AFGHL50T65SQDC
onsemi
IGBTs Hybrid iGBT 650V 50A FS4 with SiC-SBD
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S/48.11
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S/28.84
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S/25.38
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IGBTs 650V 75A FS4 HYBRID IGBT
+1 imagen
AFGHL75T65SQDC
onsemi
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S/46.83
417 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
863-AFGHL75T65SQDC
NRND
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IGBTs 650V 75A FS4 HYBRID IGBT
417 En existencias
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S/46.83
10
S/28.03
120
S/24.13
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Módulos MOSFET MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm SOT-227
MSC080SMA120J
Microchip Technology
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33 En existencias
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494-MSC080SMA120J
Microchip Technology
Módulos MOSFET MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm SOT-227
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Módulos de semiconductores discretos PM-MOSFET-SIC-SBD-SOT227
MSC40SM120JCU3
Microchip Technology
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494-MSC40SM120JCU3
Microchip Technology
Módulos de semiconductores discretos PM-MOSFET-SIC-SBD-SOT227
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Módulos MOSFET 1200V, 300A, Boost Chopper, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
BSM300C12P3E201
ROHM Semiconductor
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S/2,837.75
4 En existencias
N.º de artículo de Mouser
755-BSM300C12P3E201
ROHM Semiconductor
Módulos MOSFET 1200V, 300A, Boost Chopper, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
4 En existencias
1
S/2,837.75
12
S/2,782.55
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GaN FETs RedesignofQPD1004
QPD1004ASR
Qorvo
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S/518.17
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100 Se espera el 14/01/2027
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N.º de artículo de Mouser
772-QPD1004ASR
Nuevo producto
Qorvo
GaN FETs RedesignofQPD1004
37 En existencias
100 Se espera el 14/01/2027
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GaN FETs RedesignofQPD1011
QPD1011ASR
Qorvo
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S/253.75
90 En existencias
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N.º de artículo de Mouser
772-QPD1011ASR
Nuevo producto
Qorvo
GaN FETs RedesignofQPD1011
90 En existencias
1
S/253.75
10
S/209.84
25
S/198.87
100
S/198.87
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GaN FETs RedesignofQPD1014
QPD1014ASR
Qorvo
1:
S/307.47
90 En existencias
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772-QPD1014ASR
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Qorvo
GaN FETs RedesignofQPD1014
90 En existencias
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S/307.47
10
S/255.66
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S/244.25
100
S/244.25
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IGBTs Short circuit rugged 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
AIGBG25N120S7ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/19.27
882 En existencias
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N.º de artículo de Mouser
726-AIGBG25N120S7ATM
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Infineon Technologies
IGBTs Short circuit rugged 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
882 En existencias
1
S/19.27
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S/12.61
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S/9.42
500
S/7.86
1,000
S/7.32
2,000
S/6.85
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IGBTs FS4 70A HIGH SPEED CO-PACK WITH SIC DIODE 20A GEN1.5
AFGBG70T65SQDC
onsemi
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S/39.08
720 En existencias
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N.º de artículo de Mouser
863-AFGBG70T65SQDC
Nuevo producto
onsemi
IGBTs FS4 70A HIGH SPEED CO-PACK WITH SIC DIODE 20A GEN1.5
720 En existencias
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S/39.08
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S/26.86
800
S/26.86
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Módulos IGBT PM-IGBT-TFS-SOT227
Microchip Technology APT100GT120JU3
APT100GT120JU3
Microchip Technology
1:
S/137.87
23 En existencias
N.º de artículo de Mouser
494-APT100GT120JU3
Microchip Technology
Módulos IGBT PM-IGBT-TFS-SOT227
23 En existencias
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IGBTs Short circuit rugged 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
AIGBG15N120S7ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/15.38
473 En existencias
2,000 En pedido
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N.º de artículo de Mouser
726-AIGBG15N120S7ATM
Nuevo producto
Infineon Technologies
IGBTs Short circuit rugged 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
473 En existencias
2,000 En pedido
1
S/15.38
10
S/10.08
100
S/7.05
500
S/5.88
1,000
S/5.84
2,000
S/5.53
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1,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
IMT44R011M2HXTMA2
Infineon Technologies
1:
S/74.27
1,670 En existencias
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N.º de artículo de Mouser
726-IMT44R011M2HXTMA
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
1,670 En existencias
1
S/74.27
10
S/52.82
100
S/46.48
1,000
S/43.99
2,000
S/43.99
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2,000
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Transistor de unión de efecto de campo (JFET) UF3N120007K4S
UF3N120007K4S
onsemi
1:
S/250.02
1,089 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
772-UF3N120007K4S
Nuevo producto
onsemi
Transistor de unión de efecto de campo (JFET) UF3N120007K4S
1,089 En existencias
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Detalles
Transistor de unión de efecto de campo (JFET) UG4SC075005L8S
UG4SC075005L8S
onsemi
1:
S/214.94
967 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
772-UG4SC075005L8S
Nuevo producto
onsemi
Transistor de unión de efecto de campo (JFET) UG4SC075005L8S
967 En existencias
1
S/214.94
10
S/179.06
100
S/155.31
2,000
S/155.31
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Carrete :
2,000
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Transistor de unión de efecto de campo (JFET) UJ4N075004L8S
UJ4N075004L8S
onsemi
1:
S/180.73
1,714 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
772-UJ4N075004L8S
Nuevo producto
onsemi
Transistor de unión de efecto de campo (JFET) UJ4N075004L8S
1,714 En existencias
1
S/180.73
10
S/142.66
100
S/134.10
2,000
S/134.10
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Carrete :
2,000
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Módulos MOSFET MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET
VS-SF150SA120
Vishay Semiconductors
1:
S/291.35
292 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
78-VS-SF150SA120
Nuevo producto
Vishay Semiconductors
Módulos MOSFET MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET
292 En existencias
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Mult.: 1
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Módulos de semiconductores discretos HybridPACK DSC S module with SiC MOSFET and NTC
FF06MR12A04MA2AKSA1
Infineon Technologies
1:
S/521.13
82 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-FF06MR12A04MA2AK
Nuevo producto
Infineon Technologies
Módulos de semiconductores discretos HybridPACK DSC S module with SiC MOSFET and NTC
82 En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Rectificadores y diodos Schottky SIC DISCRETE
IDWD25G200C5XKSA1
Infineon Technologies
1:
S/78.28
375 En existencias
240 Se espera el 5/11/2026
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IDWD25G200C5XKSA
Nuevo producto
Infineon Technologies
Rectificadores y diodos Schottky SIC DISCRETE
375 En existencias
240 Se espera el 5/11/2026
1
S/78.28
10
S/53.29
100
S/49.82
480
S/45.31
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
IMLT40R011M2HXTMA1
Infineon Technologies
1:
S/70.45
397 En existencias
1,800 En pedido
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IMLT40R011M2HXTM
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
397 En existencias
1,800 En pedido
1
S/70.45
10
S/41.22
100
S/41.10
1,800
S/41.10
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1,800
Detalles