Single SiC Semiconductores

Resultados: 124
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
Infineon Technologies Rectificadores y diodos Schottky SIC DISCRETE
2Se espera el 17/12/2026
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onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 1200V/9MOSICFETDGG3TO 592En existencias
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ROHM Semiconductor Módulos MOSFET 1200V Vdss; 204A ID SiC Mod; SICSTD02 4En existencias
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Microchip Technology Módulos MOSFET MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm TO-268 160En existencias
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SemiQ Módulos de semiconductores discretos SiC 1200V 80mO MOSFET & 10A SBD SOT-227 549En existencias
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onsemi IGBTs Hybrid iGBT 650V 50A FS4 with SiC-SBD 834En existencias
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onsemi IGBTs 650V 75A FS4 HYBRID IGBT 417En existencias
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Microchip Technology Módulos MOSFET MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm SOT-227 33En existencias
Min.: 1
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Microchip Technology Módulos de semiconductores discretos PM-MOSFET-SIC-SBD-SOT227 18En existencias
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ROHM Semiconductor Módulos MOSFET 1200V, 300A, Boost Chopper, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET 4En existencias
Min.: 1
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Qorvo GaN FETs RedesignofQPD1004 37En existencias
100Se espera el 14/01/2027
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Máx.: 25
: 100

Qorvo GaN FETs RedesignofQPD1011 90En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 25
: 100

Qorvo GaN FETs RedesignofQPD1014 90En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 25
: 100

Infineon Technologies IGBTs Short circuit rugged 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology 882En existencias
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Mult.: 1
: 1,000

onsemi IGBTs FS4 70A HIGH SPEED CO-PACK WITH SIC DIODE 20A GEN1.5 720En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 72
: 800

Microchip Technology APT100GT120JU3
Microchip Technology Módulos IGBT PM-IGBT-TFS-SOT227 23En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies IGBTs Short circuit rugged 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology 473En existencias
2,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET 1,670En existencias
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Mult.: 1
: 2,000

onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) UF3N120007K4S 1,089En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 112

onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) UG4SC075005L8S 967En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 108
: 2,000

onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) UJ4N075004L8S 1,714En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 191
: 2,000

Vishay Semiconductors Módulos MOSFET MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET 292En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Módulos de semiconductores discretos HybridPACK DSC S module with SiC MOSFET and NTC 82En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Rectificadores y diodos Schottky SIC DISCRETE 375En existencias
240Se espera el 5/11/2026
Min.: 1
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET 397En existencias
1,800En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,800