Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Chnl 30-V D-S AEC-Q101 Qualified
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SQ4949EY-T1_GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Chnl 30-V D-S AEC-Q101 Qualified
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch P Ch 100/-100V AEC-Q101 Qualified
SQJ570EP-T1_GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 8A 34W AEC-Q101 Qualified
SQJ960EP-T1_GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 8A 34W AEC-Q101 Qualified
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Controladores de puerta con aislamiento galvánico 5 kVRMS Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver
NCP51560BBDWR2G
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Controladores de puerta con aislamiento galvánico 5 kVRMS Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperSOT-3
FDC6318P
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperSOT-3
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Diodos de Conmutación de Señal Baja Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR
1SS226,LF
Toshiba
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N.º de artículo de Mouser 757-1SS226LF
Toshiba
Diodos de Conmutación de Señal Baja Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMP4201Y/SOT363/SC-88
PMP4201Y,115
Nexperia
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMP4201Y/SOT363/SC-88
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
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SQ1563AEH-T1_GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 15A AEC-Q101 Qualified
SQJ940EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 15A AEC-Q101 Qualified
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8W
SQS966ENW-T1_GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8W
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Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN 2XPNP16NSOIC MIL
HFA3096BZ
Renesas / Intersil
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Renesas / Intersil
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN 2XPNP16NSOIC MIL
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-Ch Dual Cool PowerTrench MOSFET
FDMS86300DC
onsemi
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onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-Ch Dual Cool PowerTrench MOSFET
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S/15.84
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S/7.24
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 12V Vgs SO-8
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SI4228DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/5.72
51,167 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SI4228DY-T1-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 12V Vgs SO-8
51,167 En existencias
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S/5.72
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S/1.70
5,000
S/1.39
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
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SQ4961EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
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25,283 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQ4961EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
25,283 En existencias
1
S/9.11
10
S/5.84
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S/3.16
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S/2.90
5,000
S/2.65
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Asymmetric N ch 30V/30V 55A/85A P
XP3832CMT
YAGEO XSemi
1:
S/7.75
2,997 En existencias
N.º de artículo de Mouser 603-XP3832CMT
YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Asymmetric N ch 30V/30V 55A/85A P
2,997 En existencias
1
S/7.75
10
S/4.94
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S/3.32
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S/1.98
9,000
S/1.85
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH
BSL308CH6327XTSA1
Infineon Technologies
1:
S/4.13
67,694 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSL308CH6327XTSA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH
67,694 En existencias
1
S/4.13
10
S/2.35
100
S/1.60
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S/1.29
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S/0.919
6,000
Ver
1,000
S/1.16
6,000
S/0.891
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7K15-80E/SOT1205/LFPAK56D
BUK7K15-80EX
Nexperia
1:
S/8.99
29,872 En existencias
N.º de artículo de Mouser 771-BUK7K15-80EX
Nexperia
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7K15-80E/SOT1205/LFPAK56D
29,872 En existencias
1
S/8.99
10
S/5.80
100
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S/3.12
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3,000
S/2.32
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S/2.27
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Transistores digitales PIMC31/SOT457/SC-74
PIMC31,115
Nexperia
1:
S/2.02
225,723 En existencias
N.º de artículo de Mouser 771-PIMC31115
Nexperia
Transistores digitales PIMC31/SOT457/SC-74
225,723 En existencias
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1
S/2.02
10
S/1.23
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S/0.35
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Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified
+2 imágenes
SQ1912AEEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/3.39
130,679 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQ1912AEEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified
130,679 En existencias
1
S/3.39
10
S/2.10
100
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1,000
S/0.938
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S/0.67
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 0.8A Id AEC-Q101 Qualified
SQ1912EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/3.04
181,173 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQ1912EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 0.8A Id AEC-Q101 Qualified
181,173 En existencias
1
S/3.04
10
S/1.89
100
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S/0.65
9,000
S/0.58
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Carrete :3,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 20V Vds SOT-363
SQ1922AEEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/3.04
127,420 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQ1922AEEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 20V Vds SOT-363
127,420 En existencias
1
S/3.04
10
S/1.88
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6,000
S/0.65
9,000
S/0.58
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 30V TSOP-6
SQ3989EV-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/3.97
171,834 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQ3989EV-T1_GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 30V TSOP-6
171,834 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/3.97
10
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 80V Vds AEC-Q101 Qualified
SQJB90EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/8.14
26,289 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQJB90EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 80V Vds AEC-Q101 Qualified
26,289 En existencias
1
S/8.14
10
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Rectificadores 200 Volt 6.0 Amp
VS-MURD620CTTR-M3
Vishay Semiconductors
1:
S/6.38
37,712 En existencias
N.º de artículo de Mouser 844-MURD620CTTR-M3
Vishay Semiconductors
Rectificadores 200 Volt 6.0 Amp
37,712 En existencias
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S/6.38
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S/2.68
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Carrete :2,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET 30V 250MA 1.5OH
NVTJD4001NT1G
onsemi
1:
S/2.02
926,686 En existencias
N.º de artículo de Mouser 863-NVTJD4001NT1G
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET 30V 250MA 1.5OH
926,686 En existencias
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1
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10
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S/0.596
3,000
S/0.596
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Min.: 1 Mult.: 1
Máx.: 850
Carrete :3,000
Detalles
