Resultados: 4,109
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS


onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET DFN8 60V 17A 39MOHM 1,050En existencias
1,500Se espera el 29/12/2026
Cinta cortada
S/7.20
S/3.89
S/2.97
Envase tipo carrete
S/2.97
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150
: 1,500

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs SO-8 73,554En existencias
Cinta cortada
S/7.05
S/3.71
S/3.23
S/2.63
Envase tipo carrete
S/2.20
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Panjit Rectificadores y diodos Schottky Automotive 60V, Schottky, 10A 6,227En existencias
Cinta cortada
S/4.59
S/2.13
S/1.88
S/1.49
Envase tipo carrete
S/1.49
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 13A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. 5,917En existencias
Cinta cortada
S/9.07
S/4.40
S/3.81
S/3.14
S/2.95
Envase tipo carrete
S/2.65
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperSOT-3 53,227En existencias
Cinta cortada
S/4.79
S/2.23
S/1.74
S/1.43
S/1.35
Envase tipo carrete
S/1.19
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
: 3,000
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V/-20V N/P 335,282En existencias
36,000Se espera el 15/12/2026
Cinta cortada
S/4.16
S/1.92
S/1.69
S/1.30
S/1.20
Envase tipo carrete
S/1.01
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
: 3,000

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified 308,189En existencias
Cinta cortada
S/3.39
S/1.54
S/1.36
S/1.04
Envase tipo carrete
S/0.802
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 15A AEC-Q101 Qualified 55,673En existencias
Cinta cortada
S/8.33
S/4.01
S/3.59
S/2.85
S/2.71
Envase tipo carrete
S/2.37
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8W 38,991En existencias
Cinta cortada
S/6.97
S/3.32
S/2.96
S/2.34
Envase tipo carrete
S/1.87
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH 67,485En existencias
Cinta cortada
S/4.13
S/1.92
S/1.56
S/1.29
S/1.15
Envase tipo carrete
S/0.891
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 80V, 15mOhms, SOT-1205-8 Standard Level MOSFET 29,756En existencias
Cinta cortada
S/8.99
S/4.40
S/3.93
S/3.12
Envase tipo carrete
S/2.73
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Nexperia Transistores digitales PIMC31/SOT457/SC-74 206,485En existencias
Cinta cortada
S/2.02
S/1.23
S/0.786
S/0.588
Envase tipo carrete
S/0.533
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified 128,649En existencias
Cinta cortada
S/3.39
S/1.54
S/1.36
S/1.04
Envase tipo carrete
S/0.802
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 0.8A Id AEC-Q101 Qualified 180,988En existencias
Cinta cortada
S/3.04
S/1.38
S/1.22
S/0.926
S/0.899
Envase tipo carrete
S/0.712
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 20V Vds SOT-363 127,410En existencias
Cinta cortada
S/3.04
S/1.38
S/1.21
S/0.926
Envase tipo carrete
S/0.708
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 30V TSOP-6 169,077En existencias
Cinta cortada
S/3.97
S/1.82
S/1.61
S/1.24
Envase tipo carrete
S/0.961
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Vishay Semiconductors Rectificadores 200 Volt 6.0 Amp 37,112En existencias
Cinta cortada
S/6.38
S/3.01
S/2.68
S/2.11
Envase tipo carrete
S/1.65
S/1.62
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWR MOSFET FOR LITH BATT PRT DUAL N-CHAN 97,622En existencias
Cinta cortada
S/7.01
S/3.33
S/2.97
S/2.34
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Envase tipo carrete
S/1.81
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 5,000
: 5,000
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET 30V 250MA 1.5OH 924,428En existencias
Cinta cortada
S/2.02
S/0.903
S/0.79
S/0.596
Envase tipo carrete
S/0.444
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
: 3,000
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650V, 56 mOhm typ., 53 A MDmesh DM6 Power MOSFET 174En existencias
Cinta cortada
S/76.68
S/58.43
S/47.37
Envase tipo carrete
S/47.37
Min.: 1
Mult.: 1
: 200
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Asymmetric N ch 30V/30V 55A/85A P 2,997En existencias
Cinta cortada
S/7.75
S/3.72
S/3.32
S/2.63
S/2.50
Envase tipo carrete
S/2.14
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, 100V 8A Dual Nch+Nch, SOP8, Power MOSFET 4,571En existencias
Cinta cortada
S/11.76
S/5.84
S/5.25
S/4.24
Envase tipo carrete
S/3.87
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
ROHM Semiconductor Módulos MOSFET 1700V Vdss; 250A Id SiC Pwr Module 44En existencias
Cinta cortada
S/4,440.80
Envase tipo carrete
S/4,440.80
Min.: 1
Mult.: 1
: 4
Nexperia Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMD2001D/SOT457/SC-74 184,860En existencias
Cinta cortada
S/1.99
S/1.22
S/0.771
S/0.58
Envase tipo carrete
S/0.432
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Nexperia Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMP4201Y/SOT363/SC-88 288,012En existencias
Cinta cortada
S/2.57
S/1.59
S/1.02
S/0.771
Envase tipo carrete
S/0.463
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 10,000