Microcontroladores de 32 bits - MCU 32-BIT Embedded MCU 64 MHz 512kB Body
SPC560B50L5C6E0X
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1:
S/36.71
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N.º de artículo de Mouser 511-SPC560B50L5C6E0X
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Microcontroladores de 32 bits - MCU 32-BIT Embedded MCU 64 MHz 512kB Body
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S/36.71
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Tableros y Juegos de Desarrollo - Otros procesadores Discovery Plus Kit SPC56 L Line MCU
SPC56EL70L5DISP
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N.º de artículo de Mouser 511-SPC56EL70L5DISP
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Tableros y Juegos de Desarrollo - Otros procesadores Discovery Plus Kit SPC56 L Line MCU
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Microcontroladores de 32 bits - MCU 32-bit Power Architecture MCU for Automotive Chassis and Safety Applications
SPC570S40E1CEFAY
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Microcontroladores de 32 bits - MCU 32-bit Power Architecture MCU for Automotive Chassis and Safety Applications
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Microcontroladores de 32 bits - MCU 32-bit Power Architecture MCU for Automotive Chassis and Safety Applications
SPC570S50E1CEFAR
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N.º de artículo de Mouser 511-SPC570S50E1CEFAR
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Microcontroladores de 32 bits - MCU 32-bit Power Architecture MCU for Automotive Chassis and Safety Applications
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S/37.52
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S/25.73
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Microcontroladores de 32 bits - MCU 32-bit Power Architecture MCU for Automotive General Purpose Applications - Chor
SPC58EG80E5QEC0X
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N.º de artículo de Mouser 511-SPC58EG80E5QEC0X
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Microcontroladores de 32 bits - MCU 32-bit Power Architecture MCU for Automotive General Purpose Applications - Chor
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S/125.81
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S/94.70
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S/90.34
250
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250
S/88.55
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S/79.56
800
S/78.43
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Reguladores de voltaje de conmutación 400 mA nano-quiescent synchronous step-down converter with digital voltage selec
ST1PS02BQTR
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S/6.42
4,751 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-ST1PS02BQTR
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Reguladores de voltaje de conmutación 400 mA nano-quiescent synchronous step-down converter with digital voltage selec
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S/6.42
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S/4.71
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S/4.28
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S/3.77
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S/2.93
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S/3.54
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S/3.36
3,000
S/2.93
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Interfaz IC RS-232 5V 2Driver/2Receiver
ST202EBTR
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S/7.08
8,258 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-ST202EB
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Interfaz IC RS-232 5V 2Driver/2Receiver
8,258 En existencias
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S/7.08
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S/4.71
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S/3.61
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S/3.34
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IC de seguridad/autenticación Trusted Platform Module 1.2 & 2.0 with TCG SPI interface
ST33HTPH2E32AHD0
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S/13.16
2,547 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-ST33HTPH2E32AHD0
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IC de seguridad/autenticación Trusted Platform Module 1.2 & 2.0 with TCG SPI interface
2,547 En existencias
1
S/13.16
10
S/10.47
25
S/9.61
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S/9.07
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S/8.14
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S/8.87
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S/8.60
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S/8.41
3,000
S/8.14
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Reguladores de tensión LDO High Input Volt 85 mA LDO REG
+1 imagen
ST715PU33R
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S/3.08
6,585 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-ST715PU33R
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Reguladores de tensión LDO High Input Volt 85 mA LDO REG
6,585 En existencias
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S/3.08
10
S/2.10
25
S/1.88
100
S/1.65
3,000
S/1.27
6,000
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S/1.46
1,000
S/1.41
6,000
S/1.26
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package
STB28N60M2
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1:
S/10.86
1,854 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STB28N60M2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package
1,854 En existencias
1
S/10.86
10
S/5.37
100
S/4.83
500
S/3.87
1,000
S/3.38
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte
STD3N80K5
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S/8.56
5,125 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD3N80K5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte
5,125 En existencias
1
S/8.56
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S/5.41
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S/3.54
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S/2.81
2,500
S/2.28
5,000
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S/2.68
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S/2.20
10,000
S/2.14
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-3.8ohms Zener SuperMESH 2.5A
STD3NK80Z-1
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1:
S/11.13
3,401 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD3NK80Z-1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-3.8ohms Zener SuperMESH 2.5A
3,401 En existencias
1
S/11.13
10
S/5.22
100
S/4.71
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S/4.01
1,000
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S/3.71
3,000
S/3.46
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected
STD5N95K5
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1:
S/10.04
3,878 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD5N95K5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected
3,878 En existencias
1
S/10.04
10
S/4.94
100
S/4.44
500
S/3.53
1,000
S/3.34
2,500
S/2.99
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.162 Ohm 17A MDmesh II PWR
STF23NM50N
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1:
S/25.15
798 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF23NM50N
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.162 Ohm 17A MDmesh II PWR
798 En existencias
1
S/25.15
10
S/14.95
100
S/12.11
500
S/10.47
1,000
S/9.89
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IGBTs N-CH 7 A - 600V POWERMESH IGBT
STGF7NB60SL
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1:
S/8.99
2,872 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGF7NB60SL
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IGBTs N-CH 7 A - 600V POWERMESH IGBT
2,872 En existencias
1
S/8.99
10
S/4.40
100
S/3.51
500
S/3.01
1,000
Ver
1,000
S/2.75
2,000
S/2.67
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IGBTs IGBT
STGP7NC60HD
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1:
S/8.60
3,174 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGP7NC60HD
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IGBTs IGBT
3,174 En existencias
1
S/8.60
10
S/4.16
100
S/3.60
500
S/2.86
1,000
Ver
1,000
S/2.54
2,000
S/2.32
4,000
S/2.23
10,000
S/2.15
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Detalles
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
STGWA40H120F2
STMicroelectronics
1:
S/30.63
535 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGWA40H120F2
STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
535 En existencias
1
S/30.63
10
S/17.71
100
S/14.83
600
S/13.78
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
IGBTs 600V 65A N-Channel
STGY50NC60WD
STMicroelectronics
1:
S/67.89
965 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGY50NC60WD
STMicroelectronics
IGBTs 600V 65A N-Channel
965 En existencias
1
S/67.89
10
S/41.96
100
S/39.12
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Detalles
IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss in
STGYA120M65DF2AG
STMicroelectronics
1:
S/36.39
495 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGYA120M65DF2AG
STMicroelectronics
IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss in
495 En existencias
1
S/36.39
10
S/22.54
100
S/18.37
600
S/17.32
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Min.: 1 Mult.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET i
STH275N8F7-6AG
STMicroelectronics
1:
S/22.58
925 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STH275N8F7-6AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET i
925 En existencias
1
S/22.58
10
S/11.83
100
S/10.78
500
S/9.73
1,000
S/9.03
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Carrete :1,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 V 2.1 mOhm 180 A STripFET
STH310N10F7-6
STMicroelectronics
1:
S/27.13
1,235 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STH310N10F7-6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 V 2.1 mOhm 180 A STripFET
1,235 En existencias
1
S/27.13
10
S/14.48
100
S/13.23
500
S/12.46
1,000
S/11.60
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :1,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.005Ohm 21A STripFET VII
STL110N10F7
STMicroelectronics
1:
S/11.95
4,534 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL110N10F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.005Ohm 21A STripFET VII
4,534 En existencias
1
S/11.95
10
S/5.92
100
S/5.33
500
S/4.32
1,000
S/4.24
3,000
S/3.83
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 1.68 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET
STL190N4F7AG
STMicroelectronics
1:
S/10.98
2,099 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL190N4F7AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 1.68 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET
2,099 En existencias
1
S/10.98
10
S/6.42
100
S/4.83
500
S/4.13
1,000
S/3.60
3,000
S/3.22
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 3.7Ohm typ 2A Zener-protected
STL2N80K5
STMicroelectronics
1:
S/5.49
5,124 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL2N80K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 3.7Ohm typ 2A Zener-protected
5,124 En existencias
1
S/5.49
10
S/3.27
100
S/2.77
500
S/2.30
3,000
S/1.83
9,000
Ver
1,000
S/2.12
9,000
S/1.79
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 31 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV
STL47N60M6
STMicroelectronics
1:
S/26.27
1,743 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL47N60M6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 31 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV
1,743 En existencias
1
S/26.27
10
S/13.97
100
S/12.77
500
S/11.91
1,000
S/11.09
3,000
S/11.09
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Perú