MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package
SCTHC250N120G3AG
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MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package
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SiC MOSFETS
Through Hole
STPAK-4
N-Channel
IGBTs SLLIMM compact series IPM, 3-phase inverter, 20 A, 600 V short-circuit rugged IGBT
STGI15C60S
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IGBTs SLLIMM compact series IPM, 3-phase inverter, 20 A, 600 V short-circuit rugged IGBT
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IGBTs
Through Hole
CDIPB-26L
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
STWA60N028T
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET
SH68N65DM6AG
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET
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MOSFETs
Si
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
STW65N023M9-4
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET
STW65N045M9-4
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET
576 En existencias
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S/40.75
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Power Transistor
360°
BU508AF
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BU508AF
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Power Transistor
11,058 En existencias
1
S/16.00
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S/10.43
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S/5.14
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BJTs - Bipolar Transistors
Si
Through Hole
ISOWATT-218FX-3
NPN
Módulos MOSFET N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP packa
STE145N65M5
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1:
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N.º de artículo de Mouser 511-STE145N65M5
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Módulos MOSFET N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP packa
760 En existencias
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S/122.26
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MOSFET Modules
Si
Screw Mount
ISOTOP
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 17 mOhm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3
STL8N10F7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 17 mOhm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3
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S/1.86
3,000
S/1.86
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-3.3x3.3-8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp
STP20NM60FD
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1:
S/25.69
4,453 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP20NM60FD
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp
4,453 En existencias
1
S/25.69
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S/17.87
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET
STD80N340K6
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1:
S/17.94
2,368 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD80N340K6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET
2,368 En existencias
1
S/17.94
10
S/11.83
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S/8.37
500
S/7.16
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S/5.84
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S/5.80
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
PD54008L-E
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1:
S/33.28
3,490 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-PD54008L-E
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
3,490 En existencias
1
S/33.28
10
S/23.94
100
S/21.64
500
S/21.60
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S/20.47
3,000
S/18.45
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RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
PowerFLAT (5x5)
N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
PD55003-E
STMicroelectronics
1:
S/44.18
5,857 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-PD55003-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
5,857 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/44.18
10
S/30.75
100
S/28.34
400
S/28.06
1,200
Ver
1,200
S/27.95
10,000
Presupuesto
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RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Formed-4
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5
STL57N65M5
STMicroelectronics
1:
S/48.19
2,439 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL57N65M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5
2,439 En existencias
1
S/48.19
10
S/32.19
100
S/27.87
500
S/27.36
1,000
S/23.20
3,000
S/22.77
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Carrete :3,000
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-8x8-5
N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
PD54008-E
STMicroelectronics
1:
S/60.57
1,538 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-PD54008-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
1,538 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/60.57
10
S/42.86
100
S/39.66
400
S/39.63
1,200
Ver
1,200
Presupuesto
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Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Formed-4
N-Channel
Módulos IGBT SLLIMM high power IPM, 3-phase inverter, 10 A, 1200 V short-circuit rugged IGBT
STGIK10M120T
STMicroelectronics
1:
S/175.32
63 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGIK10M120T
STMicroelectronics
Módulos IGBT SLLIMM high power IPM, 3-phase inverter, 10 A, 1200 V short-circuit rugged IGBT
63 En existencias
1
S/175.32
10
S/114.91
72
S/114.87
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Detalles
IGBT Modules
Si
Through Hole
SDIPHP-30
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
PD55008-E
STMicroelectronics
1:
S/68.16
1,332 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-PD55008-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
1,332 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/68.16
10
S/45.35
100
S/42.78
400
S/42.74
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Formed-4
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
STL36DN6F7
STMicroelectronics
1:
S/5.92
41,498 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL36DN6F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
41,498 En existencias
1
S/5.92
10
S/2.79
100
S/2.48
500
S/1.94
3,000
S/1.52
6,000
S/1.48
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
PD55015S-E
STMicroelectronics
1:
S/98.95
228 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-PD55015S-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
228 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/98.95
10
S/79.21
100
S/68.51
400
S/64.07
1,200
Ver
1,200
Presupuesto
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Straight-4
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5
STB31N65M5
STMicroelectronics
1:
S/23.00
840 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STB31N65M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5
840 En existencias
1
S/23.00
10
S/15.06
100
S/11.25
500
S/9.42
1,000
S/8.41
2,000
S/8.25
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :1,000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package
STD80N450K6
STMicroelectronics
1:
S/17.20
800 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD80N450K6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package
800 En existencias
1
S/17.20
10
S/11.33
100
S/7.98
500
S/6.77
2,500
S/5.57
5,000
Ver
1,000
S/6.73
5,000
S/5.49
10,000
Presupuesto
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,500
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
IGBTs Trench gate field-stop 1350 V, 25 A, soft-switching IH2 series IGBT
STGWA25IH135DF2
STMicroelectronics
1:
S/13.86
545 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGWA25IH135DF2
STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop 1350 V, 25 A, soft-switching IH2 series IGBT
545 En existencias
1
S/13.86
10
S/9.42
120
S/8.14
510
S/7.75
1,020
Ver
1,020
S/7.67
2,520
S/7.43
5,010
S/7.28
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
IGBT Transistors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
STD12N60DM2AG
STMicroelectronics
1:
S/13.27
2,383 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD12N60DM2AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
2,383 En existencias
1
S/13.27
10
S/8.60
100
S/5.96
500
S/4.98
1,000
S/4.71
2,500
S/4.32
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,500
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) HIGH VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWER
BUL7216
STMicroelectronics
1:
S/8.80
Plazo de entrega 20 Semanas
N.º de artículo del Fabricante
BUL7216
N.º de artículo de Mouser 511-BUL7216
STMicroelectronics
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) HIGH VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWER
Plazo de entrega 20 Semanas
1
S/8.80
10
S/4.36
100
S/3.75
500
S/3.04
1,000
Ver
1,000
S/2.26
2,000
S/2.25
10,000
S/2.20
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
BJTs - Bipolar Transistors
Si
Through Hole
TO-220-3
NPN
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package
STB33N60M2
STMicroelectronics
1:
S/19.93
987 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STB33N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package
987 En existencias
1
S/19.93
10
S/12.26
100
S/10.00
500
S/8.56
1,000
S/7.79
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :1,000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
Perú
