MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package
SCTHC250N120G3AG
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MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package
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SiC MOSFETS
SiC
Through Hole
STPAK-4
IGBTs SLLIMM compact series IPM, 3-phase inverter, 20 A, 600 V short-circuit rugged IGBT
STGI15C60S
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IGBTs SLLIMM compact series IPM, 3-phase inverter, 20 A, 600 V short-circuit rugged IGBT
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IGBTs
Through Hole
CDIPB-26L
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
STWA60N028T
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
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S/27.52
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET
SH68N65DM6AG
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET
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1
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S/41.38
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MOSFETs
Si
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Automotive 5000 W, 33 V TVS
SM50T39AY
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Automotive 5000 W, 33 V TVS
2,364 En existencias
1
S/5.76
10
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S/3.47
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S/3.34
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S/2.90
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S/3.13
5,000
S/2.81
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Diodos Schottky de SiC Automotive 1200 V, 20A power Schottky High Surge silicon carbide diode
STPSC20G12WLY
STMicroelectronics
1:
S/48.58
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N.º de artículo de Mouser 511-STPSC20G12WLY
STMicroelectronics
Diodos Schottky de SiC Automotive 1200 V, 20A power Schottky High Surge silicon carbide diode
571 En existencias
1
S/48.58
10
S/29.12
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S/22.42
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SiC Schottky Diodes
Through Hole
DO-247-2
Rectificadores y diodos Schottky Automotive 100 V, 5 A, Power Schottky Trench Rectifier
STPST5H100SBY-TR
STMicroelectronics
1:
S/4.01
9,415 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STPST5H100SBY-TR
STMicroelectronics
Rectificadores y diodos Schottky Automotive 100 V, 5 A, Power Schottky Trench Rectifier
9,415 En existencias
1
S/4.01
10
S/2.69
100
S/2.04
500
S/1.69
2,500
S/1.29
5,000
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S/1.53
5,000
S/1.20
10,000
S/1.14
25,000
S/1.10
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Schottky Diodes & Rectifiers
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
Rectificadores y diodos Schottky Automotive 100 V, 8 A Power Schottky Trench Rectifier
STPST8H100SFY
STMicroelectronics
1:
S/3.74
5,567 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STPST8H100SFY
STMicroelectronics
Rectificadores y diodos Schottky Automotive 100 V, 8 A Power Schottky Trench Rectifier
5,567 En existencias
1
S/3.74
10
S/2.47
100
S/1.88
500
S/1.57
6,000
S/1.23
12,000
Ver
1,000
S/1.39
2,500
S/1.38
12,000
S/1.11
24,000
S/1.06
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Schottky Diodes & Rectifiers
Si
SMD/SMT
TO-277A-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
STW65N023M9-4
STMicroelectronics
1:
S/72.48
489 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STW65N023M9-4
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
489 En existencias
1
S/72.48
10
S/45.19
120
S/39.55
510
S/36.98
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-4
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET
STW65N045M9-4
STMicroelectronics
1:
S/40.75
576 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STW65N045M9-4
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET
576 En existencias
1
S/40.75
10
S/24.21
120
S/22.85
510
S/20.36
1,020
S/19.31
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-4
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Power Transistor
360°
BU508AF
STMicroelectronics
1:
S/16.00
11,068 En existencias
N.º de artículo del Fabricante
BU508AF
N.º de artículo de Mouser 511-BU508AF
STMicroelectronics
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Power Transistor
11,068 En existencias
1
S/16.00
10
S/8.60
100
S/6.66
600
S/6.19
1,200
S/5.02
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BJTs - Bipolar Transistors
Si
Through Hole
ISOWATT-218FX-3
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 1500 W 10kW Transil 5.8V tp 70V BI
SM15T39CAY
STMicroelectronics
1:
S/4.48
47,368 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-SM15T39CAY
STMicroelectronics
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 1500 W 10kW Transil 5.8V tp 70V BI
47,368 En existencias
1
S/4.48
10
S/3.58
100
S/2.79
500
S/2.26
2,500
S/1.74
5,000
Ver
1,000
S/1.97
5,000
S/1.71
10,000
S/1.65
25,000
S/1.61
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Detalles
SMC (DO-214AB)
Módulos MOSFET N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP packa
STE145N65M5
STMicroelectronics
1:
S/116.81
760 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STE145N65M5
STMicroelectronics
Módulos MOSFET N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP packa
760 En existencias
1
S/116.81
10
S/87.46
100
S/76.29
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MOSFET Modules
Si
Screw Mount
ISOTOP
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 17 mOhm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3
STL8N10F7
STMicroelectronics
1:
S/5.96
38,114 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL8N10F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 17 mOhm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3
38,114 En existencias
1
S/5.96
10
S/3.64
100
S/2.49
500
S/1.95
1,000
S/1.86
3,000
S/1.86
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Carrete :3,000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-3.3x3.3-8
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp
STP20NM60FD
STMicroelectronics
1:
S/25.69
4,463 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP20NM60FD
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp
4,463 En existencias
1
S/25.69
10
S/17.87
100
S/16.93
500
S/14.79
1,000
S/12.88
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Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Rectificadores y diodos Schottky 100 V, 5 A Power Schottky Trench Rectifier
STPST5H100SF
STMicroelectronics
1:
S/2.10
11,061 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STPST5H100SF
STMicroelectronics
Rectificadores y diodos Schottky 100 V, 5 A Power Schottky Trench Rectifier
11,061 En existencias
1
S/2.10
10
S/1.82
100
S/1.32
500
S/1.14
6,000
S/0.829
12,000
Ver
1,000
S/1.00
12,000
S/0.814
24,000
S/0.779
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :6,000
Detalles
Schottky Diodes & Rectifiers
Si
SMD/SMT
TO-277A-3
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
PD54008L-E
STMicroelectronics
1:
S/33.28
3,649 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-PD54008L-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
3,649 En existencias
1
S/33.28
10
S/23.94
100
S/21.64
500
S/21.60
1,000
S/20.47
3,000
S/18.45
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
PowerFLAT (5x5)
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
PD55003-E
STMicroelectronics
1:
S/44.18
5,857 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-PD55003-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
5,857 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/44.18
10
S/30.75
100
S/28.34
400
S/28.06
1,200
Ver
1,200
S/27.95
10,000
Presupuesto
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Formed-4
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5
STL57N65M5
STMicroelectronics
1:
S/48.19
2,439 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL57N65M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5
2,439 En existencias
1
S/48.19
10
S/32.19
100
S/27.87
500
S/27.36
1,000
S/23.20
3,000
S/22.77
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-8x8-5
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET
STD80N340K6
STMicroelectronics
1:
S/17.94
2,368 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD80N340K6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET
2,368 En existencias
1
S/17.94
10
S/11.83
100
S/8.37
500
S/7.16
2,500
S/5.84
5,000
Ver
5,000
S/5.80
10,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,500
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
PD54008-E
STMicroelectronics
1:
S/60.57
1,538 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-PD54008-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
1,538 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/60.57
10
S/42.86
100
S/39.66
400
S/39.63
1,200
Ver
1,200
Presupuesto
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Formed-4
Módulos IGBT SLLIMM high power IPM, 3-phase inverter, 10 A, 1200 V short-circuit rugged IGBT
STGIK10M120T
STMicroelectronics
1:
S/175.32
63 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGIK10M120T
STMicroelectronics
Módulos IGBT SLLIMM high power IPM, 3-phase inverter, 10 A, 1200 V short-circuit rugged IGBT
63 En existencias
1
S/175.32
10
S/114.91
72
S/114.87
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
IGBT Modules
Si
Through Hole
SDIPHP-30
Diodos Schottky de SiC 1200 V, 40 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
360°
+6 imágenes
STPSC40G12WL
STMicroelectronics
1:
S/59.59
533 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STPSC40G12WL
STMicroelectronics
Diodos Schottky de SiC 1200 V, 40 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
533 En existencias
1
S/59.59
10
S/45.35
100
S/37.68
600
S/33.59
1,200
Ver
1,200
S/28.65
3,000
Presupuesto
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
SiC Schottky Diodes
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
PD55008-E
STMicroelectronics
1:
S/68.16
1,332 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-PD55008-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
1,332 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/68.16
10
S/45.35
100
S/42.78
400
S/42.74
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Formed-4
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
STL36DN6F7
STMicroelectronics
1:
S/5.92
41,533 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL36DN6F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
41,533 En existencias
1
S/5.92
10
S/3.74
100
S/2.48
500
S/1.94
3,000
S/1.32
6,000
Ver
1,000
S/1.77
6,000
S/1.31
9,000
S/1.28
24,000
S/1.26
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
Perú
