Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
SQJ768ELP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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S/8.02
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3,000 Se espera el 10/08/2026
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N.º de artículo de Mouser 78-SQJ768ELP-T1_GE3
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Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
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1
S/8.02
10
S/5.06
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Diodos Schottky de SiC SOT-227 Silicon Carbide Schottky Barrier Diode, 1200 V, 200 A
VS-SC200FA120
Vishay
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N.º de artículo de Mouser 78-VS-SC200FA120
Vishay
Diodos Schottky de SiC SOT-227 Silicon Carbide Schottky Barrier Diode, 1200 V, 200 A
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Rectificadores y diodos Schottky Automotive 60V, Schottky, 10A
MBR1060DC-AU_R2_006A1
Panjit
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Panjit
Rectificadores y diodos Schottky Automotive 60V, Schottky, 10A
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Módulos IGBT 1200 V, 600 A common emitter IGBT module
FF600R12KE7EHPSA1
Infineon Technologies
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Módulos IGBT 1200 V, 600 A common emitter IGBT module
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Módulos IGBT 1700 V, 200 A dual IGBT module
FF200R17KE4HOSA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser 726-FF200R17KE4HOSA1
Infineon Technologies
Módulos IGBT 1700 V, 200 A dual IGBT module
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN MULTI-CHIP
NSVT5551DW1T1G
onsemi
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N.º de artículo de Mouser 863-NSVT5551DW1T1G
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onsemi
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN MULTI-CHIP
2,774 En existencias
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S/4.20
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL DEPLETION MODE
DN2625DK6-G
Microchip Technology
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N.º de artículo de Mouser 689-DN2625DK6-G
Microchip Technology
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL DEPLETION MODE
20,602 En existencias
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S/12.26
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S/10.74
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Rectificadores THYR / DIODE MODULE DK
DD600N16KXPSA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser 726-DD600N16KXPSA1
Infineon Technologies
Rectificadores THYR / DIODE MODULE DK
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S/1,449.64
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-Ch Dual Cool PowerTrench MOSFET
FDMS86300DC
onsemi
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S/15.84
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N.º de artículo de Mouser 512-FDMS86300DC
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-Ch Dual Cool PowerTrench MOSFET
35,437 En existencias
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S/15.84
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S/10.12
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S/7.24
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S/7.24
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 12V Vgs SO-8
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SI4228DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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51,167 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SI4228DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 12V Vgs SO-8
51,167 En existencias
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S/5.72
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S/3.61
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S/2.39
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S/1.51
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S/1.70
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S/1.39
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
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SQ4961EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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25,283 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQ4961EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
25,283 En existencias
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S/9.11
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S/5.84
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S/3.97
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S/3.16
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S/2.79
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S/2.90
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S/2.65
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
STL36DN6F7
STMicroelectronics
1:
S/5.92
41,533 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL36DN6F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
41,533 En existencias
1
S/5.92
10
S/3.74
100
S/2.48
500
S/1.94
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S/1.35
6,000
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S/1.77
6,000
S/1.34
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S/1.32
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S/1.29
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563
DMG1016V-7
Diodes Incorporated
1:
S/2.02
252,491 En existencias
N.º de artículo de Mouser 621-DMG1016V-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563
252,491 En existencias
1
S/2.02
10
S/1.23
100
S/0.786
500
S/0.588
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S/0.525
3,000
S/0.525
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Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Barrier Diode, 1200V, 40A, 2nd Gen
SCS240KE2GC11
ROHM Semiconductor
1:
S/92.17
1,258 En existencias
N.º de artículo de Mouser 755-SCS240KE2GC11
ROHM Semiconductor
Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Barrier Diode, 1200V, 40A, 2nd Gen
1,258 En existencias
1
S/92.17
10
S/66.06
100
S/57.92
450
S/57.06
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
SQJQ910EL-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/14.05
43,407 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQJQ910EL-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
43,407 En existencias
1
S/14.05
10
S/8.95
100
S/6.38
500
S/5.22
1,000
S/5.14
2,000
S/4.79
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Diodos de Conmutación de Señal Baja High-speed switching USM IO-0.1A, VR-80V
1SS302A,LF
Toshiba
1:
S/0.856
609,265 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-1SS302ALF
Toshiba
Diodos de Conmutación de Señal Baja High-speed switching USM IO-0.1A, VR-80V
609,265 En existencias
1
S/0.856
10
S/0.518
100
S/0.323
500
S/0.276
3,000
S/0.179
6,000
Ver
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S/0.241
6,000
S/0.175
9,000
S/0.156
24,000
S/0.128
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.8A VDSS=20V
SSM6L14FE(TE85L,F)
Toshiba
1:
S/1.95
243,536 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-SSM6L14FETE85LF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.8A VDSS=20V
243,536 En existencias
1
S/1.95
10
S/1.19
100
S/0.755
500
S/0.568
4,000
S/0.37
8,000
Ver
1,000
S/0.506
2,000
S/0.455
8,000
S/0.331
24,000
S/0.308
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Carrete :4,000
Detalles
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMD2001D/SOT457/SC-74
PMD2001D,115
Nexperia
1:
S/0.856
186,158 En existencias
N.º de artículo de Mouser 771-PMD2001D115
Nexperia
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMD2001D/SOT457/SC-74
186,158 En existencias
1
S/0.856
10
S/0.514
100
S/0.405
500
S/0.381
3,000
S/0.339
6,000
Ver
1,000
S/0.366
6,000
S/0.327
9,000
S/0.315
24,000
S/0.311
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMP4201Y/SOT363/SC-88
PMP4201Y,135
Nexperia
1:
S/2.57
286,220 En existencias
N.º de artículo de Mouser 771-PMP4201Y135
Nexperia
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMP4201Y/SOT363/SC-88
286,220 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/2.57
10
S/1.59
100
S/1.02
500
S/0.771
1,000
Ver
10,000
S/0.502
1,000
S/0.623
5,000
S/0.549
10,000
S/0.502
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Carrete :10,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70
SIA907EDJT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/7.43
110,643 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SIA907EDJT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70
110,643 En existencias
1
S/7.43
10
S/4.75
100
S/3.17
500
S/2.51
3,000
S/2.16
6,000
Ver
1,000
S/2.29
6,000
S/2.07
9,000
S/2.00
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
SQ1922EEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/3.39
301,813 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQ1922EEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
301,813 En existencias
1
S/3.39
10
S/2.10
100
S/1.36
500
S/1.04
3,000
S/0.802
6,000
Ver
1,000
S/0.938
6,000
S/0.736
9,000
S/0.67
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 40V Vds PowerPAK SO-8L
SQJ208EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/8.64
71,040 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQJ208EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 40V Vds PowerPAK SO-8L
71,040 En existencias
1
S/8.64
10
S/5.49
100
S/3.70
500
S/3.00
3,000
S/2.51
6,000
Ver
1,000
S/2.71
6,000
S/2.39
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified
SQJ980AEP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/7.71
28,794 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQJ980AEP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified
28,794 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/7.71
10
S/4.90
100
S/3.30
500
S/2.61
3,000
S/2.27
6,000
Ver
1,000
S/2.39
6,000
S/2.18
9,000
S/2.11
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Asymmetric N ch 30V/30V 55A/85A P
XP3832CMT
YAGEO XSemi
1:
S/7.75
2,997 En existencias
N.º de artículo de Mouser 603-XP3832CMT
YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Asymmetric N ch 30V/30V 55A/85A P
2,997 En existencias
1
S/7.75
10
S/4.94
100
S/3.32
500
S/2.63
3,000
S/2.12
6,000
Ver
1,000
S/2.41
6,000
S/1.98
9,000
S/1.85
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Controladores de puerta con aislamiento galvánico 5 kVRMS Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver
NCP51560BBDWR2G
onsemi
1:
S/14.71
1,220 En existencias
N.º de artículo de Mouser 863-NCP51560BBDWR2G
onsemi
Controladores de puerta con aislamiento galvánico 5 kVRMS Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver
1,220 En existencias
1
S/14.71
10
S/11.09
25
S/10.20
100
S/9.19
250
Ver
1,000
S/8.17
250
S/8.72
500
S/8.64
1,000
S/8.17
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :1,000
Detalles
Perú
