CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Polaridad del transistor Tecnología Id - Corriente de drenaje continua Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Frecuencia de trabajo Ganancia Potencia de salida Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Estilo de montaje Paquete / Cubierta Empaquetado

CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 3En existencias
Cinta cortada
S/326.35
Envase tipo carrete
S/326.35
S/294.55
Min.: 1
Mult.: 1
: 10
N-Channel GaAs 28 GHz 15 dB 24.5 dBm SMD/SMT Die Reel, Cut Tape

CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 26 GHz Medium Power Packaged GaAs FET 98En existencias
Cinta cortada
S/224.40
S/210.58
S/207.82
Envase tipo carrete
S/201.71
Min.: 1
Mult.: 1
: 100
GaAs 26 mA 173 Ohms 26 GHz 11 dB 20 dBm + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications 100En existencias
S/489.99
S/465.85
S/462.04
Min.: 10
Mult.: 10
GaAs 250 mA to 300 mA 8 V 18 GHz 11 dB 30 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications 90En existencias
S/527.24
S/501.00
Ver
Min.: 10
Mult.: 10
GaAs 440 mA to 800 mA 8 V 12 GHz 9 dB 32 dBm + 150 C Die Bulk

CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 9En existencias
Cinta cortada
S/532.88
Envase tipo carrete
S/532.88
S/532.81
Min.: 1
Mult.: 1
: 10
N-Channel GaAs 18 GHz 12 dB 30 dBm SMD/SMT Die Reel, Cut Tape
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications 100En existencias
S/368.54
S/368.11
S/337.60
Min.: 10
Mult.: 10
GaAs 180 mA to 220 mA 7.5 V 26 GHz 13 dB 28 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Low Noise pHEMT Devices 100En existencias
S/132.77
S/121.56
Min.: 10
Mult.: 10
GaAs 175 mA 4.5 V 26 GHz 8 dB, 11 dB 20 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications 100En existencias
S/562.12
S/561.45
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Min.: 10
Mult.: 10
GaAs 150 mA to 190 mA 7.5 V 28 GHz 12 dB 28 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro MWT-PH27F71
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 3En existencias
Cinta cortada
S/218.14
Envase tipo carrete
S/218.14
S/188.83
Min.: 1
Mult.: 1
: 10
N-Channel GaAs 26 GHz 16 dB 25 dBm SMD/SMT Die Reel, Cut Tape
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications 20En existencias
S/271.74
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Min.: 1
Mult.: 1
GaAs 26 GHz 19 dB 21 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications 20En existencias
S/123.98
S/114.79
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Min.: 1
Mult.: 1
GaAs 240 mA to 280 mA 18 GHz 13 dB 30 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications 10En existencias
S/165.59
S/160.60
S/159.51
S/153.33
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Min.: 1
Mult.: 1
GaAs 310 mA to 360 mA 12 GHz 13 dB 30.5 dBm + 150 C Die Bulk

CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
10Se espera el 3/11/2026
S/73.41
S/70.34
S/65.08
S/64.03
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Min.: 10
Mult.: 10
N-Channel GaAs 26 GHz 14 dB 24 dBm SMD/SMT Die Gel Pack
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Low Noise pHEMT Devices Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Cinta cortada
S/253.01
Min.: 1,000
Mult.: 10
: 10
GaAs 120 mA 4 V 26 GHz 10 dB, 13 dB 16 dBm + 150 C Die Reel
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
S/69.09
S/68.78
Min.: 1
Mult.: 1
GaAs 90 mA to 120 mA 26 GHz 16 dB 25 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
S/96.50
S/96.46
Min.: 1
Mult.: 1
GaAs 160 mA to 200 mA 18 GHz 13 dB 28.5 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
S/253.67
Min.: 1
Mult.: 1
GaAs 40 mA to 60 mA 28 GHz 14 dB 21.5 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
S/254.18
Min.: 10
Mult.: 10
GaAs 60 mA to 80 mA 6.5 V 28 GHz 15 dB 23 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
S/318.72
Min.: 10
Mult.: 10
GaAs 220 mA 12 GHz 10 dB 26 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
S/248.69
Min.: 1
Mult.: 1
GaAs 12 GHz 12 dB 22 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
S/128.61
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
GaAs 26 GHz 15 dB 21 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
S/235.57
S/220.98
Min.: 10
Mult.: 10
GaAs 85 mA 26 GHz 15 dB 21 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
S/303.89
Min.: 1
Mult.: 1
GaAs 18 GHz 11 dB 26.5 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro MMA-005022C
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
S/760.21
S/633.50
Min.: 10
Mult.: 10
N-Channel GaAs 340 mA 10 V 30 kHz to 50 GHz 15.5 dB - 40 C + 85 C SMD/SMT Die-21 Gel Pack
CML Micro MMA-012030
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
S/510.07
S/425.06
Min.: 10
Mult.: 10
P-Channel GaAs 500 mA 12.5 V 100 MHz to 20 GHz 12.5 dB - 40 C + 85 C SMD/SMT Die Gel Pack